基于氧化镓的紫外偏振光电器件及制备方法技术

本公开提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：在β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底上制备同质的β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;外延层得到外延片；在外延层上沉积一层铝层或金层后再沉积一层硬掩膜层；通过掩膜材料将硬掩膜层图形化，并基于图形化的硬掩膜层对外延片进行刻蚀，得到长轴延伸方向相互垂直的第一条形台面阵列和第二条形台面阵列；在制备了第一条形台面阵列和第二条形台面阵列的器件表面沉积隔离层；将铝层溶解，并去除第一条形台面阵列和第二条形台面阵列表面的隔离层；按应用需求在第一条形台面阵列和/或第二条形台面阵列上制备电极，并进行封装得到基于紫外偏振光实现运算放大的运算放大器或具有紫外偏振光探测功能的探测器，完成基于氧化镓的紫外偏振光电器件的制备。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件及制备方法。

技术介绍

1、紫外光指波长为10-400nm的光，可继续细分为近紫外(315-400nm，uva)、中紫外(280-315nm，uvb)、远紫外(200-280nm，uvc)、极紫外(10-200nm，vuv)等。其中，近紫外和中紫外光可以透过臭氧层、大气层进入地面，而远紫外光会被臭氧层和大气层完全吸收，无法到达地面，因此也被称为日盲紫外。因此日盲紫外探测器具有背景噪声极低，虚警率低等优势。因此，紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一光电探测技术，在各个领域均有很高的应用价值。

2、然而，现有的半导体紫外探测器存在对紫外光源的响应灵敏度较低，制造过程复杂、成本高，偏振探测性能差等问题。

技术实现思路

1、基于上述问题，本公开提供了一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件及制备方法，以缓解现有技术中的上述技术问题。

2、(二)技术方案

3、本公开的一个方面，提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

3.根据权利要求1-2任一项所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，所述硬掩膜层和隔离层的制备材料相同，均为SiO2。

4.根据权利要求3所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

5.根据权利要求1-4任一项所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

6.根据权利要求5所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，其中，所述第一条形台面和/或所述第二条形台面的宽度w、以及相邻条形台面的间距d不能同时小于2...

【技术特征摘要】

1.一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

3.根据权利要求1-2任一项所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，所述硬掩膜层和隔离层的制备材料相同，均为sio2。

4.根据权利要求3所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

5.根据权利要求1-4任一项所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，

6.根据权利要求5所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，其中，所述第一条形台面和/或所述第二条形台面的宽度w、以及相邻条形台面的间距d不能同时小于2μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，操作s...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡鉴闻，魏钟鸣，胡寅，龙浩然，杨珏晗，刘端阳，文宏玉，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：