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本公开提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：在β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底上制备同质的β‑Ga<subgt;2</subgt;O<su...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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