中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明提供一种具有片上滤波结构的半导体激光器,包括:由下至上依次叠设的N面电极、N型衬底、缓冲层、N型限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型限制层,其中,P型限制层的中部呈凸台形状且两侧开设有台阶结构,凸台形状的上表面覆盖有盖层,台阶...
  • 本公开提供一种混合栅碳化硅场效应管器件,包括:碳化硅外延层,包括第一导电区域、第二导电区域以及第三导电区域,第二导电区域与第三导电区域位于第一导电区域的两侧,第二导电区域和第三导电区域的导电类型相同,并区别于第一导电区域的导电类型;栅介...
  • 本公开提供一种波长可调的钙钛矿微纳激光器及制备方法,涉及微纳光学器件,方法包括:对衬底表面进行紫外臭氧处理;在半密封容器中加入钙钛矿材料的反溶剂,将处理后的衬底置于半密封容器内部的支架上;向处理后的衬底表面滴加溶液后完成半密封,将半密封...
  • 本发明提供了一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器及制备方法,该激光器包括:泵浦光源、增益芯片和输出耦合镜泵浦光源用于发射泵浦光;增益芯片设于泵浦光的光路上,包括表面光栅反射镜,用于在泵浦光的激发下产生激光,并通过表面光栅反射镜将...
  • 本公开提供了一种信号处理方法、装置、设备及存储介质,可以应用于激光相干检测技术领域。该信号处理方法包括:基于当前迭代次数,对干涉信号的卷绕相位信号进行差分操作,得到卷绕相位信号的差分信号,其中,干涉信号是由基准信号和待识别信号发生外差干...
  • 本公开提供了一种光纤传感同轴光收发一体模块及应用,其中,该光纤传感同轴光收发一体模块包括:光源芯片;探测器芯片;硅基波导耦合器,硅基波导耦合器包括锥形模斑转换结构、第一直波导结构、第一弯曲波导结构、第二弯曲波导结构、锥形波导结构和第二直...
  • 本公开提供了一种应用于时间数字转换电路的信号处理装置和方法,可以应用于半导体技术领域。该装置包括:总线信息处理单元用于将通过目标端口输入的低脉冲信号的持续时间与时间数字转换电路的系统时钟的时钟周期进行比对,得到比对结果;在比对结果表征持...
  • 本公开提供一种具有弧形收集极结构的纳米真空沟道晶体管及制备方法,纳米真空沟道晶体管包括:收集极,绝缘层,发射极和栅极;收集极、发射极设置在绝缘层的第一表面,收集极与发射极相对且间隔预设距离,以形成真空沟道;发射极的端部形状为针尖状,收集...
  • 本公开提供了视觉任务处理器和图像处理芯片,可以应用于信息处理领域。包括:控制模块、数据处理模块、存储模块和系统总线;其中,存储模块被配置为接收通过系统总线写入的待处理数据和待执行指令;控制模块被配置为在检测到存储模块有待处理数据和待执行...
  • 本公开提供了一种异质结面发射激光器,包括:衬底;第一多层结构,设置在衬底上,其包括多个第一低折射率材料层及多个第一高折射率材料层,多个第一低折射率材料层及多个第一高折射率材料层交替生长形成第一周期性的布拉格反射镜结构;第二多层结构,设置...
  • 本公开提供了一种硅波导端面耦合器,包括:衬底;倒锥结构,设置于衬底的上表面的一端,倒锥结构的侧壁为抛物线形;两个侧锥结构,设置于衬底的上表面,两个侧锥结构关于倒锥结构的对称轴对称分布;矩形波导结构,设置于衬底的上表面,且与倒锥结构靠近衬...
  • 本发明提供一种光纤干涉式静态应变传感器,包括应变传感干涉仪组、参考干涉仪、光电信号收发模块、第一耦合器、第一应变传感光纤、第一反射镜、第二耦合器、第二应变传感光纤、第二反射镜、第三耦合器、传感光纤、第三反射镜、温度控制装置、光源、分路器...
  • 本发明提供一种智能工业以太网装置及其控制方法,包括:光学镜头;第一结构件、第二结构件、第三结构件;图像传感器电路板、主控电路板、加速视觉芯片电路板、工业以太网电路板;其中,光学镜头、第一结构件和图像传感器电路板组成成像组件,实现高速成像...
  • 本公开提供了一种柔性光电传感器及其制备方法,涉及光电传感器领域;该柔性光电传感器包括:垂直腔面发射激光器组、光探测器以及由下至上依次设置的第二有机聚合材料层、多层石墨烯层、绝缘层、单层石墨烯层和第一有机聚合材料层;所述多层石墨烯层上开设...
  • 本发明提供一种外延生长方法及外延膜,包括:在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层;使用激光束在第一外延层上切割出图形,得到图形化衬底;将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长,得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜...
  • 本发明提供一种FPGA时间数字转换器,包括:粗计数层,用于记录启动信号发生时的系统时钟周期个数;细计数层,由一次时间内插模块以及二次时间内插模块构成,用于对系统时钟内插;其中,一次时间内插模块用于基于多个不同相位的内插时钟信号对系统时钟...
  • 本公开提供一种AlGaN基紫外发光器件的制备方法,包括:操作S1:在衬底上制备平坦的AlN模板;操作S2:在所述AlN模板上,生长具有六方凸台表面形貌的恢复层;操作S3:在所述恢复层上三维模式生长AlGaN得到具有岛状凸起的3D‑AlG...
  • 本公开提供一种多波长半导体激光器,由下至上依次包括:N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、多量子阱有源层、上波导层、多波长光栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、P面电极层;其中,从所述欧姆接触层表面指向所述衬底层的方向刻蚀有平行的第一...
  • 本公开提供一种MEMS磁场传感器、双轴磁场传感器和多轴磁场传感器,MEMS磁场传感器包括:基板;支撑组件,设置在基板上,支撑组件包括:多个基座;移动板,适用于承载敏感元件,敏感元件适用于感应外部磁场的变化;多个折叠梁,设置在移动板的相对...
  • 本发明公开了一种失配光谱均匀化灯具,包括:电路板;LED阵列,设置于电路板上,用于提供灯具工作时主要的光谱形态;发光元件,包括设置于LED阵列四周或间隙的特定波长光源,用于调整灯具的发光光谱,形成灯具表面的发光光谱均一化;均匀化结构,设...