【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子，尤其涉及一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器及制备方法。
技术介绍
1、随着激光技术的进步，激光器已经被广泛应用于社会建设的各个领域。垂直外腔面发射激光器具有较高的输出功率的同时，通过半导体能带工程的设计使其可以有较宽的工作波长可选择性，加之可以方便的进行腔内倍频、调谐等特性，这一激光技术逐渐在各个领域得到了广泛的应用。近年来，随着人们对表面光栅结构和理论认识的深入，亚波长光栅和超表面结构被越来越广泛的应用到了如激光器、探测器、波导等光电器件中。通过简单的结构设计，表面光栅可以实现高反射、高透射、高q值等各种特性，使其应用领域不断扩展。
2、传统垂直外腔面发射激光器通常使用交替生长的高低折射率材料组成的dbr来作为其中一个腔面反射镜实现激光器的振荡。然而，在半导体中这些高低折射率材料通常由三元或四元的材料组成，具有较复杂的生长条件和较高的热阻。加之为了实现较高的反射率通常需要几十对高低折射率材料的交替生长，这大大增加了半导体有源区在光泵浦下的散热负担，成为影响激光器效率提高的阻碍。通过表面光栅的...
【技术保护点】
1.一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述增益芯片(2)还包括：
3.根据权利要求2所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述窗口层(24)的厚度大于载流子扩散长度。
4.根据权利要求2所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述有源层(23)由多个量子阱或量子点周期组成，单个周期的光学厚度为半波长的整数倍。
5.根据权利要求2所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光...
【技术特征摘要】
1.一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述增益芯片(2)还包括：
3.根据权利要求2所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述窗口层(24)的厚度大于载流子扩散长度。
4.根据权利要求2所述的基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述有源层(23)由多个量子阱或量子点周期组成，单个周期的光学厚度为半波长的整数倍。
5.根据权利要求2所述的基于表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，韦欣，张杨，吴刚，李川川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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