【技术实现步骤摘要】
本公开涉及红外探测器,具体涉及一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法。
技术介绍
1、自第一台红外光电导型的tls2探测器问世以来,红外光电探测器经历了一个多世纪的发展,已广泛应用于科学、工农业和医疗卫生等领域。近几年来,随着人工智能、大数据和物联网等技术的蓬勃发展,人们对光电探测的需求也随之不断增长,促使下一代红外探测器正朝着高工作温度、小型化、低成本和低功耗等方向发展。目前,市面上成熟的高性能红外探测器仍以基于hgcdte、ingaas、insb和inas/gasb等材料的焦平面探测器为主。这些红外探测器一般工作在液氮温区,需要配备高真空的杜瓦和制冷机,极大地增加了探测器的制造成本并制约了探测器的小型化。
2、纳米线光电器件具有尺寸小、暗电流低、响应波段宽且工作温度高等优点,是非常具有竞争力的下一代红外探测备选器件。另外,不同于传统的薄膜生长技术,纳米线生长技术可与成熟的硅(si)技术相兼容,这可以显著降低红外探测器的制造成本。目前,si基异质外延的高质量纳米线主要是利用“自下而上”技术来制备的。基于立式的高质
...【技术保护点】
1.一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底的取向为(001)、(110)或(111)。
3.根据权利要求2所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述对所述SiOx非晶薄膜或所述SixNy非晶薄膜进行选择性刻蚀处理,得到硅图形衬底,包括:
4.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底为p型掺杂硅衬底或n型掺杂硅衬底。
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...【技术特征摘要】
1.一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底的取向为(001)、(110)或(111)。
3.根据权利要求2所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述对所述siox非晶薄膜或所述sixny非晶薄膜进行选择性刻蚀处理,得到硅图形衬底,包括:
4.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底为p型掺杂硅衬底或n型掺杂硅衬底。
5.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述在单晶硅衬底上生长siox非晶薄膜或sixny非晶薄膜,包括:
6.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络...
【专利技术属性】
技术研发人员:文炼均,潘东,赵建华,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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