一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法技术

技术编号:40513297 阅读:20 留言:0更新日期:2024-03-01 13:29
本公开提供了一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,包括:在单晶硅衬底上生长SiO<subgt;x</subgt;非晶薄膜或Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;非晶薄膜;其中,SiO<subgt;x</subgt;非晶薄膜或Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;非晶薄膜用于保护层;单晶硅衬底用于底电极;对SiO<subgt;x</subgt;非晶薄膜或Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;非晶薄膜进行选择性刻蚀处理,得到硅图形衬底;在硅图形衬底上生长面内纳米线网络;在纳米线网络上沉积顶电极,完成纳米线网络红外探测器的制备。本公开还提供了一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及红外探测器,具体涉及一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法


技术介绍

1、自第一台红外光电导型的tls2探测器问世以来,红外光电探测器经历了一个多世纪的发展,已广泛应用于科学、工农业和医疗卫生等领域。近几年来,随着人工智能、大数据和物联网等技术的蓬勃发展,人们对光电探测的需求也随之不断增长,促使下一代红外探测器正朝着高工作温度、小型化、低成本和低功耗等方向发展。目前,市面上成熟的高性能红外探测器仍以基于hgcdte、ingaas、insb和inas/gasb等材料的焦平面探测器为主。这些红外探测器一般工作在液氮温区,需要配备高真空的杜瓦和制冷机,极大地增加了探测器的制造成本并制约了探测器的小型化。

2、纳米线光电器件具有尺寸小、暗电流低、响应波段宽且工作温度高等优点,是非常具有竞争力的下一代红外探测备选器件。另外,不同于传统的薄膜生长技术,纳米线生长技术可与成熟的硅(si)技术相兼容,这可以显著降低红外探测器的制造成本。目前,si基异质外延的高质量纳米线主要是利用“自下而上”技术来制备的。基于立式的高质量纳米线,人们成功研本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底的取向为(001)、(110)或(111)。

3.根据权利要求2所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述对所述SiOx非晶薄膜或所述SixNy非晶薄膜进行选择性刻蚀处理,得到硅图形衬底,包括:

4.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底为p型掺杂硅衬底或n型掺杂硅衬底。

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底的取向为(001)、(110)或(111)。

3.根据权利要求2所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述对所述siox非晶薄膜或所述sixny非晶薄膜进行选择性刻蚀处理,得到硅图形衬底,包括:

4.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅衬底为p型掺杂硅衬底或n型掺杂硅衬底。

5.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,其特征在于,所述在单晶硅衬底上生长siox非晶薄膜或sixny非晶薄膜,包括:

6.根据权利要求1所述的硅基高密度集成纳米线网络...

【专利技术属性】
技术研发人员:文炼均潘东赵建华
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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