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本公开提供了一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法，包括：在单晶硅衬底上生长SiO<subgt;x</subgt;非晶薄膜或Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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