具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于欧姆接触层上；N型电极形成于衬底的另一侧；复合p型GaN层包括层叠设置的第一p型GaN层和第二p型GaN层，第一p型GaN层于第一预设温度下形成，第二p型GaN层于第二预设温度下形成，第一预设温度小于第二预设温度。本发明专利技术的氮化镓基激光器，有效降低了生长过程中对量子阱结构的热退化作用，同时有效保障p型GaN材料的高质量，进而提升了氮化镓基激光器的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种具有复合p型gan结构的氮化镓基激光器及其制备方法。

技术介绍

1、氮化镓基激光器是一种重要的半导体光电器件，在激光显示、激光通信及激光手术等领域具有广泛的应用。在激光显示领域，芯片级的半导体红绿蓝三基色激光器具有不可或缺的作用，红光与蓝光的半导体激光器发展相对成熟，绿光半导体激光器仍处于发展的初级阶段。氮化镓基蓝绿光半导体激光器能够在实现波长连续可调的情况下同时做到单片集成三基色激光器。

2、氮化镓基蓝绿光半导体激光器仍存在激光光束质量差，激光器斜率效率低等问题，具体到激光器的结构层面，存在有源区质量差，衬底模式泄露，载流子符合效率低，p型制备困难等问题。

3、p型gan通常使用mg作为p型掺杂剂，而mg在gan中容易形成mg-h络合物，不容易激活，需要较高的电离能来激活受主杂质。因此在气相沉积法生长p型gan的过程中需要较高的生长温度，并且在外延生长后需要通过高温退火来激活受主杂质。但对于gan基蓝绿光量子阱激光器，由于有源区的主要成分为ingan材料，ingan材料在高温下不稳定，容易产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器，其特征在于，所述有源层包括交错层叠设置的量子垒层和量子阱层，所述量子垒层为lny2Ga1-y2N层，所述量子阱层为lny3Ga1-y3N层；

5.根据权利要求1所述的具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的具...

【技术特征摘要】

1.一种具有复合p型gan结构的氮化镓基激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有复合p型gan结构的氮化镓基激光器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的具有复合p型gan结构的氮化镓基激光器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的具有复合p型gan结构的氮化镓基激光器，其特征在于，所述有源层包括交错层叠设置的量子垒层和量子阱层，所述量子垒层为lny2ga1-y2n层，所述量子阱层为lny3ga1-y3n层；

5.根据权利要求1所述的具有复合p型...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振宇，赵德刚，梁锋，刘宗顺，杨静，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：