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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
在片差分电路的校准单元、校准组件和校准方法技术
本公开提供了一种在片差分电路的校准单元,包括:衬底;第一传输线,设置于衬底表面,一端在衬底一侧边缘用于与探针针尖相接触,另一端在衬底另一侧边缘用于与差分线相接触,其中,第一传输线从一侧曲折延伸至另一侧,并包括两个转折点;第二传输线,设置...
应用于基准电压源的电压校准装置制造方法及图纸
本发明提供了一种应用于基准电压源的电压校准装置,涉及基准电压源校准技术领域。该电压校准装置包括:基准电压源,用于提供待校准的电压;电流源,分别与基准电压源的输入端和输出端连接,用于提供校准电压所需的电流;组合开关,与电流源连接,包括第一...
单片集成中红外多波长原位光谱检测器件及其制备方法技术
一种单片集成中红外多波长原位光谱检测器件及其制备方法,包括:量子级联激光器增益区,用于形成中红外光源,其中中红外光源为包括在N个波长处具有高边模抑制比的激光,且每种波长对应一种待测物的特征吸收峰;阵列波导光栅无源波导区,用于将中红外光源...
材料生长参数的调整方法及装置制造方法及图纸
本申请提出一种材料生长参数的调整方法及装置,其中,方法包括:将已制备材料的历史生长过程中生长参数的第一参数值及已制备材料的表征结果,输入第一参数获取模型,以获取待制备材料生长时生长参数的初始参数值;在待制备材料在初始参数值对应的生长环境...
材料生长阶段的确定方法及装置制造方法及图纸
本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置,其中,方法包括:在材料生产过程中,获取材料当前时刻的分析图,并确定分析图的特征向量,之后,将特征向量输入预先训练好的聚类算法,获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合,并将分析图集合对应的标...
用于FPGA-TDC的防气泡误差的编码器、方法、电子设备和介质技术
本公开提供了一种用于FPGA‑TDC的防气泡误差的编码器,包括:数据接收模块,用于接收抽头延迟链输出的温度计码,并将温度计码按照预设大小划分为多个数据片段;多个温度计码解码器,连接数据接收模块,每一温度计码解码器用于接收一个数据片段,并...
兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置制造方法及图纸
本公开提出一种兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置,涉及机器学习技术领域,该方法包括:确定待制备器件的第一功能参数和目标制备材料的生长参数信息,其中,第一功能参数表征期望的器件参数的参数范围;将第一功能参数和生长参数信息输入到材料...
用于皮肤表面代谢物采样的多孔水凝胶的制备方法技术
本发明提供一种用于皮肤表面代谢物采样的多孔水凝胶的制备方法,涉及水凝胶制备技术领域。该方法包括:聚乙烯醇溶于水中,制备聚乙烯醇溶液;将聚乙烯醇溶液与碱溶液混合,并加入蔗糖作为模板制备水凝胶前体;将水凝胶前体置于真空烘箱脱气泡并允许交联,...
材料生长的控制方法及装置制造方法及图纸
本申请提出一种材料生长的控制方法及装置,其中,方法包括:在材料生长过程中,获取当前时刻的原位数据,之后,根据材料的生长模式,确定处理模型,以利用处理模型对原位数据进行处理,获取处理结果,然后基于处理结果,确定待执行的控制操作。由此,基于...
空间光通信装置和方法、电子设备及存储介质制造方法及图纸
本发明提供了一种空间光通信装置,应用于光通信技术领域,包括:共孔径收发模块用于在建链跟瞄阶段向对端所在区域发射第一激光信号,广角探测接收模块用于在建链跟瞄阶段接收对端发送的第一激光信号,并将对端发送的第一激光信号发送给通信数据处理模块,...
直接调制激光器制造技术
提供了一种直接调制激光器,其中,包括:激光器本体,用于产生激光光束;驱动芯片,与所述激光器本体连接,用于根据所述激光光束的目标波长,确定供电参数,并按照所述供电参数向所述激光器本体提供驱动信号,所述驱动信号使所述激光器本体在线性区工作,...
带间级联激光器阵列芯片及其制备方法技术
本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片,可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括:衬底;位于衬底上的N个激光器阵列单元,其中,N为大于等于3的正整数,至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置;以及导...
相干性可调激光光源以及应用制造技术
一种相干性可调激光光源及应用,涉及半导体激光器以及生物成像技术领域,该相干性可调激光光源包括:异形谐振腔,包括前腔面、后腔面、侧壁以及异形区域;非注入区,设置在异形谐振腔上表面,非注入区包括刻蚀掉欧姆接触层形成的高电阻区域;其中,非注入...
温度场与热源热流密度非均匀性表征方法及装置制造方法及图纸
本发明提供一种温度场与热源热流密度非均匀性表征方法及装置。该表征方法包括:建立待表征物体的几何模型和物理模型;采用数值模拟法对物理模型进行瞬态热模拟,得到瞬态热模拟结果;采用加权图像熵和/或奇异值熵、奇异值系数对瞬态热模拟结果进行表征,...
氮化镓基光电导开关及其制备方法技术
本发明提供一种氮化镓基光电导开关及其制备方法,氮化镓基光电导开关包括衬底,高阻层位于衬底上,低阻层位于高阻层上,低阻层包括间隔设置的两个低阻单元;欧姆接触层位于低阻层上,欧姆接触层包括间隔设置的两个欧姆电极,两个欧姆电极与两个低阻单元一...
基于可见光通信的姿态感知方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
提供了一种基于可见光通信的姿态感知方法,可应用于通感一体化技术领域。该方法包括以下步骤:获取每个子信道的误码率;将每个子信道的误码率组合成信道估计矩阵;以及将信道估计矩阵输入训练完成的卷积神经网络,提取信道估计矩阵的特征,实现姿态的判断...
具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器制造技术
提供一种具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器,其结构包括:衬底,所述衬底的材料包括氮化镓;位于所述衬底上的第一分布式布拉格反射器;位于所述第一分布式布拉格反射器远离所述衬底一侧的n型区;位于所述n型区远离所述衬底一侧的空穴阻挡层;...
自旋轨道矩磁性隧道结器件、存储器制造技术
提供了一种自旋轨道矩磁性隧道结器件,其结构包括:依次层叠设置的衬底、缓冲层、竞争自旋合金层、轨道霍尔间隔层、磁隧道结层、保护层以及顶电极层。通过引入轨道霍尔间隔层分隔磁自由层与竞争自旋合金层,使该器件能够通过轨道霍尔间隔层引入轨道极化流...
一种环形栅场效应晶体管制造技术
本发明提供了一种环形栅场效应晶体管,属于纳电子学技术领域。所述环形栅场效应晶体管包括:源极、沟道区和漏极;所述源极的材料包括已掺杂的砷烯纳米带;所述沟道区包括左侧砷烯纳米带延伸区,本征砷烯纳米带沟道,右侧砷烯纳米带延伸区,所述源极与所述...
薄膜铌酸锂模斑转换器制造技术
本发明实施例提供了一种薄膜铌酸锂模斑转换器,涉及光通信领域,薄膜铌酸锂模斑转换器包括:衬底层;绝缘层;铌酸锂光波导;填充层;第二光波导;引导片;引导片布设于第二光波导两侧,引导片的侧边接触于第二光波导的边沿,引导片用于引导光信号从第二光...
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