专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
晶体管可靠性多尺度模拟方法技术
本发明提供一种晶体管可靠性多尺度模拟方法,应用于半导体器件仿真、集成电路设计领域,包括:基于第一性原理计算获取晶体管材料界面的原子级参数和缺陷的原子级参数;基于原子级参数计算缺陷电荷俘获参数;根据计算得到的缺陷电荷俘获参数,计算晶体管中...
垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件技术
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件,该制造方法包括:在第一衬底上依次生长第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜;其中第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜被配置为沿垂直于有源层的方向自第一布拉格反射镜的一侧...
正弦参考电压产生电路、芯片及电子设备制造技术
本公开提出一种正弦参考电压产生电路、芯片及电子设备,涉及电路技术领域,正弦参考电压产生电路中的第一mos管的源极与第二mos管的源极、第四mos管的漏极、第七mos管的源极、第八mos管的源极、第十四mos管的源极以及第十五mos管的源...
频域脉冲压缩芯片制造技术
本公开实施例提供了一种频域脉冲压缩芯片,包括:配置模块,用于配置脉冲压缩点数N,其中N=2<supgt;n</supgt;,n为大于1的正整数;输入转换模块,用于根据所述脉冲压缩点数N,将一路串行输入数据补零为N点输入数据,...
氧化镓晶体及其异质外延方法技术
本发明提供一种氧化镓晶体及其异质外延方法,应用于半导体技术领域,该方法包括:制备具有特定双向偏角的蓝宝石衬底;在蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体;在氧化镓晶体上沉积功能性材料,得到目标器件。本发明提供的氧化镓晶体异质外延方法,引入三维扭转的定...
高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法技术
本发明提供了一种高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法,涉及集成光学技术领域,用以解决现有端面耦合器耦合效率低且工艺容差低的技术问题。该薄膜铌酸锂端面耦合器包括:衬底;绝缘层;N层波导芯层,从上到下依次叠设于绝缘层上,其中,第N层...
半导体可饱和吸收镜的封装结构及封装方法技术
提供一种半导体可饱和吸收镜的封装结构,涉及激光技术领域,其结构包括:热沉,热沉上设置有沟槽;半导体可饱和吸收镜芯片,具有底部表面和顶部表面,底部表面设置于沟槽的底面上;以及金刚石散热片,设置于半导体可饱和吸收镜芯片的顶部表面上,将顶部表...
增益可编程放大器制造技术
本公开提供了一种增益可编程放大器。该增益可编程放大器包括第一电阻器,第一电阻器的第一端电连接至电压输入端;第二电阻器,第二电阻器的第一端与第一电阻器的第二端电连接,第二电阻器的第二端电连接至电压输出端;以及运算放大器,运算放大器的负输入...
垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件技术
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件,该制造方法包括:在第一衬底上依次生长第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜;其中第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜被配置为沿垂直于有源层的方向自第一布拉格反射镜的一侧...
大功率半导体激光器真空解理装置制造方法及图纸
本发明提供了一种大功率半导体激光器真空解理装置,涉及半导体解理技术领域。该装置包括:框架;解理托装置,设于框架上,用于承托待解理的半导体外延片,其中,半导体外延片的P面预先制备有多道划痕;解理台装置,设于框架上,用于放置半导体外延片;解...
氧化镓器件及其制备方法技术
本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法,该器件包括:肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板;肖特基器件包括:衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚;绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧;散热基板通过焊盘与肖特基器...
太赫兹吸收器的结构单元、吸收器及调控方法技术
本公开提供了一种太赫兹吸收器的结构单元,所述结构单元从上往下依次包括:石墨烯层,其中,所述石墨烯层采用十字形石墨烯结构;第一介质层;二氧化钒层,其中,所述二氧化钒层包括内环、外圆内方环和正方形,所述内环设置在所述二氧化钒层的中心,所述外...
一种可编程神经网络处理器制造技术
本发明提供一种可编程神经网络处理器,包括向量处理单元阵列,向量处理单元阵列包括多个处理单元、权重寄存器与数据重排模块,其中;每一处理单元用于处理向量数据;权重寄存器用于存储权重数据;数据重排模块用于深度卷积和逐点卷积融合的数据重排;其中...
三运放仪表放大器制造技术
本公开提供了一种三运放仪表放大器,包括:第一放大器,用于接收第一输入信号,并输出第一输出信号。第二放大器,用于接收第二输入信号,并输出第二输出信号。第三放大器,用于对第一输入信号和第二输入信号的差分信号进行放大。以及共模反馈环路,用于反...
微系统的热源仿真方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
提供了一种微系统的热源仿真方法,可应用于热模型仿真技术领域,该方法包括以下步骤:将预设数量的温度传感器布置到温度传感器的目标位置;利用温度传感器观测采集温度场信息,获得温度场的观测数据;基于温度传感器的目标位置和观测数据,利用温度场重构...
准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法技术
本发明提供一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法,准垂直结构GaN肖特基二极管包括衬底、缓冲层、传输层、漂移层、阴极层以及阳极层;本发明通过在漂移层上形成多个纳米柱,通过将阳极层设置为欧姆接触金属层和肖特基接触金属层的混合结构,当...
光模块的三维封装结构制造技术
本发明提供一种光模块的三维封装结构,包括PCB板、第一光集成芯片、第一电集成芯片、第二光集成芯片以及第二电集成芯片;本发明通过将第一光集成芯片和第二光集成芯片分别设置在PCB板相对的第一表面和第二表面上,实现了光模块内紧凑光集成芯片的空...
图像处理方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
本发明提供一种图像处理方法、装置、设备及介质,应用于图像处理技术领域,该方法包括:获取原始图像,将原始图像传入预训练得到的目标处理模型;基于编码器对原始图像进行特征提取,得到多个特征图,其中,编码器包括多个编码层,前一层级输出的特征图作...
通信装置及水下无线光通信系统制造方法及图纸
本公开提供一种通信装置及水下无线光通信系统,涉及水下无线光通信领域,一种通信装置,包括:发射单元,用于将输入的发送信号分为多路同步信号,并将多路所述同步信号转化成多路光信号后进行发送;接收单元,用于将所述光信号进行光电转化后进行第一次放...
用于光纤与高速光模块高密度集成的光耦合器制造技术
本公开提供一种用于光纤与高速光模块高密度集成的光耦合器,涉及硅光子集成电路领域,其包括:下包覆层;上包覆层,设置于下包覆层上;模斑变换波导,设置于上包覆层内,模斑变换波导包括第一波导结构和第二波导结构,第一波导结构的输入端与光纤的输出端...
首页
<<
30
31
32
33
34
35
36
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
金乡县中医院
1
黔东南苗族侗族自治州人民医院
48
江苏仅三生物科技有限公司
22
俞迪岸
2
常州舒康莱机械科技有限公司
1
河北云昕环境科技有限公司
5
胡梓杰
3
合肥市建设工程监测中心有限责任公司
40
安徽科技学院
4550
瑞安市洪江车业有限公司
63