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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
温度控制方法及装置制造方法及图纸
本公开提供一种温度控制方法及装置,涉及集成电路热学分析领域,其包括获取各个芯片的温度,得到多个第一温度;利用线性映射函数,对多个第一温度进行处理,构建温度场,其中,温度场包括各个热点芯片的位置和数量;热点芯片的温度为第二温度;对比第二温...
具有目标识别和数据存储功能的智能望远镜制造技术
具有目标识别和数据存储功能的智能望远镜,其中,所述望远镜包括:外壳;望远镜观测模块,用于收集聚焦场景光线,调节观测焦距和放大倍数;图像采集模块,用于将光信号转换成图像和视频;感知处理模块,用于图像检测识别,统计场景中预设目标的类别数量信...
视觉SLAM系统的数据校准方法及装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种视觉SLAM系统的数据校准方法及装置、电子设备及存储介质,涉及计算机视觉技术领域。该方法包括:根据局部地图的点云中各地图点的位置以及局部地图的RGB图像,获得局部地图的场景中所有直线线条上的直线地图点;在RGB图像中,确定...
GePb纳米片的异质选区外延方法和GePb纳米片技术
本公开提供了一种GePb纳米片的异质选区外延方法和GePb纳米片,方法包括:获取具有掩膜的衬底。在具有掩膜的衬底上沉积Pb原子。对沉积Pb原子后的具有掩膜的衬底进行退火,以使掩膜的窗口内形成Pb金属液滴。在形成Pb金属液滴后的具有掩膜的...
双模调制器制造技术
本发明提供一种双模调制器,包括:分束模块,用于分别将TE<subgt;0</subgt;模式的光和TE<subgt;1</subgt;模式的光等分为两束;调制模块,由调制臂和热调波导构成,其中,调制臂用于对分束后...
晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法制造方法及图纸
本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法,晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件,切割机槽内设有冷却液;夹持件平行于切割机槽的底部,设于切割机槽侧壁,夹持件的高度小于冷却液的高度,用于夹持晶体;...
Si/Ge超薄超晶格结构外延方法技术
本发明提供一种Si/Ge超薄超晶格结构的外延方法,包括:步骤S1,提供衬底,对该衬底进行预处理;步骤S2,调节该衬底的温度至第一预设温度后,在该衬底上以第一预设速率沉积第一预设厚度的Si缓冲层;步骤S3,调节该衬底的温度至第二预设温度后...
偏振分集多波长相干接收光芯片制造技术
本公开提供了一种偏振分集多波长相干接收光芯片,包括偏振控制模块、阵列波导光栅解复用器和接收模块,偏振控制模块用于接收信号光和本振光,将信号光偏振分束为第一偏振态信号光和第二偏振态信号光,将本振光偏振分束为第一偏振态本振光和第二偏振态本振...
红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片技术
本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括:衬底,所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区,其中,所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触;单晶窄带隙材料台面,设置于所述衬底的上表面,且位于所述p型掺杂区和所...
红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片技术
本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括:衬底;M个单晶窄带隙材料台面,互不接触地平铺于所述衬底的上表面,所述M个单晶窄带隙材料台面具有不同的长度,且每一个所述单晶窄带隙材料台面上形成有p型掺杂区和n...
材料生长参数的调整系统及方法技术方案
本申请提出一种材料生长参数的调整系统及方法,包括:数据获取模块,用于获取生长参数对应的第一参数值及原位表征数据;处理模块,用于根据正在生长材料的目标类型及目标生长阶段,从通过可扩充模型接口与调整系统连接的参数获取模型中确定目标参数获取模...
人工反铁磁薄膜及其制备方法、磁性隧道结器件技术
本发明提供了一种单晶氧化物衬底上人工反铁磁薄膜及其制备方法、磁性隧道结器件。单晶氧化物衬底上人工反铁磁薄膜包括:钴基Heusler合金层,设置在单晶氧化物衬底上,钴基Heusler合金具有体心立方结构;锰基合金层,设置在钴基Heusle...
有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器技术
本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器,其中,方法包括:在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构;将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域,通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一...
一种光电探测器及其制备方法技术
本发明提供一种光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括:衬底;在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层;P型接触电极,设置在台面上的中心处,并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触,其中所述台面...
多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备技术
本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备,涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括:获取多孔硅层;采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层,以将多孔硅层充分且均匀氧化;对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火...
三维封装光模块制造技术
本发明提供一种三维封装光模块,包括PCB板、光集成芯片、电芯片以及散热块;本发明通过将电芯片设置在光集成芯片上,通过光集成芯片中的多个TSV导电孔与PCB板电连接,实现了光电子集成芯片的三维封装,不仅提高了封装密度,还减小了电互联的长度...
自动温控的低频探测分布式光纤传感系统技术方案
本公开提供一种自动温控的低频探测分布式光纤传感系统,包括:光源模块,用于产生连续相干光信号;辅助干涉仪模块,用于对连续相干光信号的频率进行监测,并计算得到连续相干光信号的频率漂移量;强度调制器模块,包括第一强度调制器和第二强度调制器,第...
偏振旋转分束结构及分束器制造技术
本公开提供了一种偏振旋转分束结构及分束器,其中,偏振旋转分束结构包括:输入波导,用于输入第一TE基模偏振光和TM基模偏振光;模式转换器,连接输入波导,用于将第一TM基模偏振光转化为TE高阶模式偏振光;模式耦合器,包括上耦合波导和下耦合波...
光波导及其生长方法技术
本公开提供了一种光波导及其生长方法,光波导包括衬底、下包层、芯层和上包层,衬底、下包层、芯层和上包层由下至上依次生长;下包层中设有第一结构和第二结构,第二结构设于第一结构上;上包层中设有第三结构和第四结构,第四结构设于第三结构上;其中,...
用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法技术
本发明提供了一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法,包括:在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后,从第一压焊点向热沉上的第三电极拉出第一引线后断线,其中,第一引线的末端悬浮在第三电极的上方;在热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点...
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