晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法制造方法及图纸

本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法，晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件，切割机槽内设有冷却液；夹持件平行于切割机槽的底部，设于切割机槽侧壁，夹持件的高度小于冷却液的高度，用于夹持晶体；驱动电机包括驱动轴，驱动轴一端与驱动电机连接，另一端与夹持件连接，用于驱动夹持件带动所述晶体旋转；升降件设于切割机槽的底部，用于控制切割机槽在垂直方向上移动；切割件设于夹持件的同一垂直平面上，用于与夹持件与升降件配合实现对晶体径向切割和旋转切割。本公开能够降低晶体加工损失，实现晶体边缘切割料的循环利用。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体晶体加工，尤其涉及一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法。

技术介绍

1、半导体晶体需要经过一些列工艺最终加工成标准尺寸的晶片，如2英寸、3英寸、4英寸等规格尺寸。砷化铟(inas)、锑化镓(gasb)、锑化铟(insb)等化合物半导体材料窄的禁带宽度和较高的电子迁移率，在红外光电器件和热光伏等领域具有重要应用。砷化铟(inas)等采用熔体法生长的晶体直径要大于指定尺寸，如要制备2英寸(50.8mm)晶片，生长晶体直径一般要达到60mm以上。而inas、inp、gaas等晶体生产目前主要是采用垂直温度梯度凝固技术(vgf)，晶体生长过程为盲盒过程，不可视，晶体容易出现孪晶、花晶的情况，成晶率低。生长的4英寸晶体如果存在孪晶或者花晶，只能加工3英寸或者2英寸的晶片，这就需要经过晶体滚圆加工到指定直径。

2、晶体生长完成后经过晶体加工将直径控制到指定尺寸，目前的晶体加工方法是生长完成的晶锭首先经过定向确定晶体晶向，然后在通过磨床滚圆加工，将直径超出的部分晶体磨削去除达到指定晶体直径，然后再经过切割等工艺加工成晶片。然而通过磨床滚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体边缘液封切割装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述夹持件(3)包括：

3.根据权利要求2所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述夹持件(3)还包括：

4.根据权利要求1所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述升降件(6)包括：

5.根据权利要求4所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述升降件(6)还包括：

6.根据权利要求1所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述切割件(7)包括：

7.根据权利要求6所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种晶体边缘液封切割装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述夹持件(3)包括：

3.根据权利要求2所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述夹持件(3)还包括：

4.根据权利要求1所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述升降件(6)包括：

5.根据权利要求4所述的晶体边缘液封切割装置，其特征在于，所述升降件(6)还包括：

6.根据权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘京明，刘刚，卢伟，杨俊，沈桂英，王凤华，谢辉，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：