【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子，具体涉及一种光电探测器及其制备方法。
技术介绍
1、光电探测器作为光电转换的核心器件在光光电探测器、光传感、光计算等多种领域都有重要的应用。例如，pin光电探测器作为一种以pn结为核心的光电探测器，由于可以在本征区引入较大面积的空间电荷区，有利于分离光生电子空穴对而成为光电探测器发展的主要方向之一。标准pin光电探测器的制备需要通过p型和n型半导体侧分别制备电极结构来实现光电转化电流的引出。
2、但目前该种电极结构存在缺陷，会增加台面边缘具有悬挂键导致暗电流增大的影响，使得探测器的光电性能变差。
技术实现思路
1、（一）要解决的技术问题
2、针对上述不足，本专利技术的主要目的在于提供一种光电探测器，以重新规划电流的分布，通过降低光电探测器边缘悬挂键对电流密度的影响，降低暗电流，从而提高探测器光电性能。
3、（二）技术方案
4、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供了一种光电探测器，包括：衬底；在衬底上依次叠置缓冲层、n型接触层、n型层、i型层、p型层以及p型接触层；p型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与p型接触层接触，其中台面为通过光刻刻蚀并露出至n型接触层的台面；n型接触电极，设置在台面下，并通过第一电极隔离层的窗口与n型接触层接触。
5、上述方案中，光电探测器还包括p型台面电极和n型台面电极，其中，p型台面电极经第二电极隔离层设置在n型接触电极的上方；以及p型台面电极和
6、上述方案中，p型接触电极的尺寸由p型接触层掺杂浓度与台面半径共同确定。
7、上述方案中，n型接触电极为绕台面的开口圆环状。
8、上述方案中，第一电极隔离层和第二电极隔离层均为非导电性的绝缘介质层，绝缘介质材料包括sio2、sinx、al2o3与pmma绝缘材料。
9、上述方案中，p型接触电极材料包括金属材料、透明导电材料以及二维材料。
10、本专利技术第二方面提供了一种光电探测器的制备方法，包括：步骤s1，提供一衬底，在衬底上依次外延生长缓冲层、n型接触层、n型层、i型层、p型层以及p型接触层，形成外延结构；步骤s2，通过光刻，将外延结构刻蚀出台面并露出n型接触层；步骤s3，在n型接触层与p型接触层上分别沉积第一电极隔离层；步骤s4，通过光刻，将第一电极隔离层刻蚀出第一电极隔离层的窗口；步骤s5，通过第一电极隔离层的窗口分别制备p型接触电极以及n型接触电极。
11、上述方案中，第一电极隔离层的窗口位于台面的中心。
12、上述方案中，p型接触电极通过热退火的方式与p型接触层形成欧姆接触。
13、上述方案中，n型接触电极通过热退火的方式与n型接触层形成欧姆接触。
14、（三）有益效果
15、本专利技术实施例的技术方案，至少具有以下有益效果：
16、（1）在半导体探测器中心区域进行光刻并制备电极，降低电极总面积，有利于电流注入均匀性提高。
17、（2）电极引入在半导体探测器中心区域，可以有效降低光电探测器边缘电流密度，改善台面粗糙所增加引入的暗电流，进而提高了探测器光电性能。
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1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括P型台面电极（11）和N型台面电极（12），其中，
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型接触电极（8）的尺寸由所述P型接触层（7）掺杂浓度与台面（9）半径共同确定。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述N型接触电极（10）为绕所述台面（9）的开口圆环状。
5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极隔离层（13）和第二电极隔离层（14）均为非导电性的绝缘介质层，所述绝缘介质材料包括SiO2、SiNx、Al2O3与PMMA绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型接触电极（8）材料包括金属材料、透明导电材料以及二维材料。
7.一种如权利要求1~6中任一项所述光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述光电探测器的制备方法，其特征在于，所述第一电极隔离层（13）的窗口位于所述台面（9）的中心。>
9.根据权利要求7所述光电探测器的制备方法，其特征在于，所述P型接触电极（8）通过热退火的方式与所述P型接触层（7）形成欧姆接触。
10.根据权利要求7所述光电探测器的制备方法，其特征在于，所述N型接触电极（10）通过热退火的方式与所述N型接触层（3）形成欧姆接触。
...【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括p型台面电极（11）和n型台面电极（12），其中，
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述p型接触电极（8）的尺寸由所述p型接触层（7）掺杂浓度与台面（9）半径共同确定。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述n型接触电极（10）为绕所述台面（9）的开口圆环状。
5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极隔离层（13）和第二电极隔离层（14）均为非导电性的绝缘介质层，所述绝缘介质材料包括sio2、sinx、al2o3与pmma绝缘材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，苏艳梅，韦欣，张杨，吴刚，李川川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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