一种光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：衬底；在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层；P型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触，其中所述台面为通过光刻刻蚀并露出至所述N型接触层的台面；N型接触电极，设置在所述台面下，并通过第一电极隔离层的窗口与所述N型接触层接触。该光电探测器不仅有利于电流注入均匀性提高，而且降低了探测器边缘电流密度与暗电流，提高了探测器光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子，具体涉及一种光电探测器及其制备方法。

技术介绍

1、光电探测器作为光电转换的核心器件在光光电探测器、光传感、光计算等多种领域都有重要的应用。例如，pin光电探测器作为一种以pn结为核心的光电探测器，由于可以在本征区引入较大面积的空间电荷区，有利于分离光生电子空穴对而成为光电探测器发展的主要方向之一。标准pin光电探测器的制备需要通过p型和n型半导体侧分别制备电极结构来实现光电转化电流的引出。

2、但目前该种电极结构存在缺陷，会增加台面边缘具有悬挂键导致暗电流增大的影响，使得探测器的光电性能变差。

技术实现思路

1、（一）要解决的技术问题

2、针对上述不足，本专利技术的主要目的在于提供一种光电探测器，以重新规划电流的分布，通过降低光电探测器边缘悬挂键对电流密度的影响，降低暗电流，从而提高探测器光电性能。

3、（二）技术方案

4、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供了一种光电探测器，包括：衬底；在衬底上依次叠置缓冲层、n型接触层、n型层、i本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括P型台面电极（11）和N型台面电极（12），其中，

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型接触电极（8）的尺寸由所述P型接触层（7）掺杂浓度与台面（9）半径共同确定。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述N型接触电极（10）为绕所述台面（9）的开口圆环状。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极隔离层（13）和第二电极隔离层（14）均为非导电性的绝缘介质层，所述绝缘介质材料包括S...

【技术特征摘要】

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括p型台面电极（11）和n型台面电极（12），其中，

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述p型接触电极（8）的尺寸由所述p型接触层（7）掺杂浓度与台面（9）半径共同确定。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述n型接触电极（10）为绕所述台面（9）的开口圆环状。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极隔离层（13）和第二电极隔离层（14）均为非导电性的绝缘介质层，所述绝缘介质材料包括sio2、sinx、al2o3与pmma绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，苏艳梅，韦欣，张杨，吴刚，李川川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：