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本发明提供一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：衬底；在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层；P型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触，其中所述台面为通...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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