中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 保密通信装置及方法
    一种保密通信装置及方法,包括:密钥存储模块;碎片化加解密模块,根据第一密钥,将碎片化数据和噪声碎片由不同的通道输出端输出,在连续的时钟周期里N个通道输出端输出混合后的碎片化数据与噪声碎片,即N路已加密信号;和/或在不同的时钟周期里,根据...
  • 光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法
    本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法,该器件包括:带谐振腔的红光LED量子阱结构;以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片;其中,该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构...
  • 一种加热混合气体的结构
    本公开提供了一种加热混合气体的结构包括:固定底座,用于固定探测器;外壁套筒,与固定底座通过螺纹连接;隔热套筒,为中空的圆柱形结构,嵌入外壁套筒内;至少一个云母管体,嵌入隔热套筒内部,起固定和填充作用,加热装置通过所述至少一个云母管体嵌入...
  • 基于多种不变性混合的目标跟踪方法和系统
    一种基于多种不变性混合的目标跟踪方法和系统,该方法包括如下步骤:对输入图像进行滤波并选取目标候选区域、对目标候选区域提取旋转不变性特征、将旋转不变性特征转换成向量、对目标候选区域提取灰度不变性特征、将灰度不变性特征转换成向量、对目标候选...
  • 自激励自检测探针及其制作方法
    一种自激励自检测探针,包括:一探针基座;一微悬臂梁,用作探测的基本部件,该微悬臂梁与探针基座一端的中间连接,该探针基座对微悬臂梁提供支撑;一探针针尖,位于微悬臂梁的自由端;在探针基座及微悬臂梁表面边缘上有金属导电线,该金属导电线覆盖探针...
  • 基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法
    一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂,形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层;步骤2:用氢氟酸清洗,碱溶液清洗,RCA清洗;步骤3:采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅...
  • 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
    一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层;通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长;在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层;刻蚀...
  • GaN基LED器件及其制备方法
    一种GaN基LED器件,包括:一衬底;一成核层,其制作在衬底上;一非掺杂GaN层,其制作在成核层上;一n型层,其制作在非掺杂GaN层上;一发光层,其制作在n型层上;一p型层,其制作在发光层上。本发明具有制备时间短,成本低廉的优点,可大规...
  • 高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法
    本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性,以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子,同时以较低浓...
  • 纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法
    一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法,该制备方法包括:对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发,蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上,在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结晶从而生长出纳米...
  • 含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法
    本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法,该钙钛矿LED包含:CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层,其中X=Cl、Br或I;p型空穴传输层,沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;透明导电阳...
  • 紫外LED抗静电硅基板的封装结构
    一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构,包括:一硅基板,该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极,所述正极位于硅基板上面的一侧,所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧;一稳压二极管,其制作在正极部分的硅基板上;一紫外LED芯片,其倒装在...
  • 一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法
    本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法,包括:提供半导体外延片;在半导体外延片上制作硬掩膜层;在硬掩膜层上制作掩膜层;以掩膜层为掩膜刻蚀硬掩膜层,图形化硬掩膜层;去除掩膜层露出图形化的硬掩膜层;对露出图形化的硬掩膜层的半导体外延...
  • 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法
    本发明公开了一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法,该方法在砷化铟单晶片的上下表面沉积一层具有一定厚度的锰薄膜作为扩散源,在砷的气氛中进行高温长时间热处理,使锰原子扩散到砷化铟材料内,并激活为有效受主,最后以适当的方法去除残留的扩散源,从...
  • 一种用于链路交换的多模光开关结构
    本公开提供了一种用于链路交换的多模光开关结构,包括模式解复用器组,多模输入波导组,每一多模输入波导连接一个模式解复用器的输入端;单模光开光单元组;多个单模输入波导组,对于每个单模输入波导组的多个单模波导,其输入端分别连接一个模式解复用器...
  • 紧凑型工业相机
    一种紧凑型工业相机,包括光学镜头、壳体和图像处理板,此板不需要板对板连接器,集高速图像传感器区域、电源管理区域、图像处理区域、程序管理区域、万兆光纤接口区域于一块软硬结合板,各相邻区域之间通过电路板柔性层交换数据,整个图像处理板通过螺丝...
  • 多互连视觉处理器及采用其的图像处理方法
    一种多互连视觉处理器及其处理方法,该视觉处理器包括精简指令集(RISC)处理器模块、系统总线模块、图像数据存储器模块、像素单元(PE)处理器阵列模块、行处理器(RP)阵列模块。其中,所有模块都与系统总线模块连接,精简指令集处理器模块可以...
  • 提高激光器寿命和发光效率的方法
    一种提高激光器寿命和发光效率的方法,包括如下步骤:步骤1:通过电子束热蒸发方式在激光器管芯两端面分别生长高反膜和增透膜;步骤2:生长完高反膜和增透膜之后,将激光器管芯迅速置入快速热退火设备中;步骤3:提前设定好热退火条件,进行热退火;步...
  • 倒装焊用热沉及其制作方法
    一种倒装焊用热沉的制作方法,包括:在一绝缘衬底上通过光刻形成倒装焊用电极图形的空白区;在光刻完的绝缘衬底上带胶形成金属薄膜电极;去掉电极图形区域外的金属薄膜电极和光刻胶;按照与之倒装焊的芯片的大小确定热沉的尺寸,并将上述半成品分割成若干...
  • 基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法
    一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,该电池结构包括:阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极,该制备方法包括以下步骤:步骤1:在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiOx的前驱体溶液,烧...