中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
    本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法,属于半导体光电子领域,EML集成器件整片结构为格栅构造,在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW,EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQ...
  • 石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探测器及制备方法
    一种石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探测器,包括:一衬底;一绝缘层,其制作在衬底上,起到绝缘的作用;一第一石墨烯层,其制作在绝缘层上的中间部位,该第一石墨烯层为条状;一六方氮化硼层,其制作在第一石墨烯层上的一侧,并覆盖部分绝缘层;一第二...
  • 用于薄片材料解离和转移的装置
    本发明提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置,其包括:清洗凹槽、拖铲,粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方;拖铲用于移取薄片材料;其中,拖铲包括:拖铲手柄、插棍,插棍用于移取时托住薄片材料。本发明可以大大降低薄片材料在解离和转移时受到...
  • 基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法
    本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法,在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽;在振动空腔内制作玻璃通孔,形成金属填充电极;将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔;通过阳极键合,将玻璃片与待封装硅...
  • 血氧探测器探测单元、探头及其制备方法
    本公开提供一种血氧探测器探测单元,包括:信号发射端,用于向人体皮肤方向发射红外线,其由下自上包括:红外线发射模块,用于向人体皮肤方向发射红外线;以及红光发射模块,用于向人体皮肤方向发射红光;以及信号接收端,与所述信号发射端相邻设置,用于...
  • 基于布里渊光载波恢复的可调谐单通带微波光子滤波器
    本发明公开了一种基于布里渊光载波恢复的可调谐单通带微波光子滤波器,其包括:可调谐激光器、光耦合器、第一光放大器与第二光放大器、第一光环形器与第二光环形器、复绕在一起的第一段单模光纤与第二段单模光纤、第一光偏振控制器与第二光偏振控制器、马...
  • 采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法
    本发明提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法,其包括以下步骤:步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO,并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理;步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理;步骤3、化学腐...
  • 一种氮面极性InGaN太阳能电池结构
    本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构,其包括:n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极;i区光吸收层位于n型GaN层的上面,p型GaN层位于i区光吸收层的上面;其中,n型Ga...
  • 选择性图案化制备二硫化铪氮化硼异质结材料的方法
    本发明提供了一种选择性图案化制备二硫化铪氮化硼HfS2/h‑BN异质结材料的方法,其包括以下步骤:步骤1、将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上;步骤2、对转移至目标衬底上的h‑BN进行目标图案化光刻;步骤3、在氧气气氛下对h‑BN衬...
  • 制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法
    一种制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法,其包括如下步骤:在氧化镁MgO(111)单晶衬底上外延一预定厚度的过渡金属单晶薄膜,形成样品;将样品置于离子束溅射沉积系统的腔室内,抽真空,然后在氢气气氛中升温并原位退火;关闭氢气,使...
  • ISFET阵列的放大和读出电路
    一种ISFET阵列的放大和读出电路,其特征在于包括:阵列式开关电容放大电路,与所述ISFET阵列中ISFET器件数量相同,每一开关电容放大电路输入端配置为连接每一ISFET器件漏端,包括由PMOS构成的第一开关;列选择电路,ISFET阵...
  • 基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法
    本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法,在单晶硅衬底上形成介质层,并形成感压薄膜;在感压薄膜正面淀积金属催化剂层,在谐振子区域离子注入碳,并促使石墨烯生长;淀积刻蚀金属以形成电学互联;刻蚀介质层,释放形成石...
  • 基于多层次异构并行处理的高速追踪系统及方法
    一种基于多层次异构并行处理的高速追踪系统及方法。该高速追踪系统包括带有自主调焦功能的高速摄像机、二维伺服执行控制响应模块、二维伺服模块、图像数据采集传输模块和图像处理模块。主要工作流程为:图像数据采集传输模块通过高速摄像机采集图像数据,...
  • 集成光电振荡器
    一种集成光电振荡器,包括:一光电子芯片和一电子芯片,其中光电子芯片中的电光转换器的输入端与电子芯片中的第二偏置器的输出端连接;该光电子芯片中的光电探测器的输出端与电子芯片中的第一偏置器的输入端连接;该光电子芯片和电子芯片制作在一导热基底...
  • 一种太赫兹波探测器
    本发明提供了一种太赫兹波探测器,包括:片上天线、场效应晶体管、空孔阵列,片上天线用于接收太赫兹波信号;场效应晶体管用于探测太赫兹波,所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号,且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极...
  • 一种片上可调谐多模干涉反射镜
    一种片上可调谐多模干涉反射镜,包括:衬底、所述衬底上的器件层和所述器件层上的保护层,其中所述器件层中形成有双端口多模干涉反射镜和电极,所述电极为微加热电极或电流注入电极,所述双端口多模干涉反射镜包括输入波导、第一锥形波导、多模波导、与所...
  • 一种应用于超长距离高精度时间传递的双向光放大器
    本公开提出了一种双向光放大器,应用于超长距离高精度时间传递系统,包括:起偏器一、起偏器二、单向法拉第旋转器一、单向法拉第旋转器二、双折射分束器件、单向光放大器;其中,起偏器一、单向法拉第旋转器一、双折射分束器件的1端口、2端口、单向光放...
  • 双波长分布式光纤声传感系统
    本公开提供了双波长分布式光纤声传感系统,包括:第一窄线宽激光器,第二窄线宽激光器、主主耦合器、光隔离器、调制器、掺铒光纤放大器、环行器、第一光纤光栅,第二光纤光栅、传感光纤、波分复用器、第一迈克尔逊干涉仪,第二迈克尔逊干涉仪、第一载波电...
  • 浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法
    一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅衬底上做掺杂,形成高浓度硼掺杂层;步骤2:在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀,定义出硅纳米线压敏电阻;步骤3:热氧化,调节压敏电阻的硅纳米线尺寸,同时形成钝...
  • 线电压补偿电路、控制器及LED驱动电路
    本公开提供了一种线电压补偿电路、控制器及LED驱动电路,该线电压补偿电路包括:第一开关、第二开关、第三开关及第一电容;其中,所述第一开关的第一端与第二开关的第一端相连接,并且同时连接至所述线电压补偿电路的输入端;第一开关的第二端与第一电...