本公开提供了一种酒精浓度遥测装置。在该酒精浓度遥测装置中，在控制模块的控制下，探测激光器发出的探测光束依次扫过三个目标检测波，由分束装置分为两束‑探测光束和参考光束：探测光束经由集光器、待测气体环境，在反射装置处被反射，重新经由待测气体...

本发明公开了一种激光发射装置，包括驱动电路、AlN基板和激光管芯，其中：所述驱动电路的元器件集成于所述AlN基板上；所述激光管芯也贴附于所述AlN基板上；所述驱动电路与所述激光管芯电性连接。本装置将驱动电路元器件和激光器阵列同时集成在一...

本发明提供了一种用于目标的在不同设备上鉴别的迁移学习方法，包括以下步骤：S1、样品建立序号，依次在不同设备上采集光谱数据；S2、对不同设备上的光谱数据采用相同的数据集划分；S3、分别对不同设备上经过步骤S2处理的光谱数据建模，选出最好的...

本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有...

一种针对半导体激光器阵列的准直装置包括：调节台和探测设备，通过调节台调节，包括XYZ三维位移调节和三维旋转台调节光纤柱透镜和激光光源相对位置，通过探测设备观察远场光斑确定柱透镜最佳准直位置，最后用紫外固化胶点胶，将光纤柱透镜固定在激光器...

一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤...

本发明提供了一种肖像漫画生成方法，包括以下步骤：S1、对输入图像进行人脸检测与特征点定位；S2、根据人脸检测与特征点定位的结果，对输入图像进行预处理，以与参考人脸图像对齐，获得与参考人脸图像对齐的输入人脸特征点集；S3、与参考人脸特征比...

本发明提供了一种周期性交错波导结构、以及使用它的电光调制结构和MZI结构，周期性交错波导结构呈脊型，沿波导延伸方向在脊型波导中心形成有条状插指形n型Si掺杂区，在插指间形成有p型SiGe掺杂区，n型Si掺杂区和p型SiGe掺杂区周期性交...

本公开提供了一种基于相位生成载波技术的混合型光纤传感系统，包括：窄线宽激光器、调制器、脉冲发生器、隔离器、掺铒光纤放大器、环行器、光纤光栅、泵浦源、波分复用器、光纤DFB激光器阵列、迈克尔逊干涉仪、密集波分解复用模块、雪崩二极管探测器、...

本发明提供了一种实现兼容CMOS工艺的直接带隙发光的硅基材料及其制备方法，该方法包括步骤：准备硅基材料，所述硅基材料为锗材料或者硅锗合金；在所述硅基材料的部分晶格间隙位置填入惰性气体原子和/或原子序数小的原子达到晶格体积膨胀，以实现其能...

一种低发散角的超辐射发光二极管结构，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一无源波导芯层，其制作在缓冲层上；一空间层，其制作在无源波导芯层上；一应变量子阱结构，其制作在空间层上；一缓冲层，其制作在应变量子阱结构上；一电流阻挡层，其制作...

一种背靠背双吸收硅基光电探测器，包括：一SOI衬底，或该衬底为硅衬底；一吸收层，其制作在SOI衬底的顶层硅上，该吸收层包括一非故意掺杂层，一故意掺杂层，一非故意掺杂本征层，一上故意掺杂层；一第一甲电极，其制作在上故意掺杂层上面的台面上；...

一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规...

本实用新型提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置，其包括：清洗凹槽、拖铲，粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方；拖铲用于移取薄片材料；其中，拖铲包括：拖铲手柄、插棍，插棍用于移取时托住薄片材料。本实用新型可以大大降低薄片材料在解离和转...

本公开提供了一种多线阵半导体激光器光栅外腔光谱合束系统，包括：多个合束单元，包括：多个线阵半导体激光器，在水平面沿x方向与y方向等间距排列；准直单元，设置于线阵半导体激光器前面；三角棱镜，设置于各合束单元前面，对光束进行反射；变换传输透...

本公开提供了一种用于分布式光纤声传感的磁敏感光缆，包括：单模光纤，用于传输分布式光纤声传感解调仪发射的脉冲光，并产生反向瑞利散射光；紧套管，套设于所述单模光纤外层，使光纤的微弯损耗敏感性减小，并传递应力；以及含有磁粉的橡胶涂覆层，包裹在...

本公开提供了一种电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路。其中，该电源采样电路包括：第一NMOS，其栅极与自身的源极连接；第一PMOS，其栅极与自身的漏极连接，其漏极同时与所述第一NMOS的漏极连接；第一电阻，其第一端与所述第一PMOS...

本公开提供了一种碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；反向阻断时，...

本公开提供了一种柔性球面结构红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机，其中，所述柔性球面结构红外成像器件包括：基底及位于该基底的内表面的红外探测器阵列；其中，所述基底为柔性球面基底。本公开柔性球面结构红外成像器件及其制备方法、仿生红外...

本公开提供了一种三维结构的可调光延迟线，包括一个三维光学模块、一个输入光纤准直器、一个输出光纤准直器、一个位移平台以及一个位移控制模块，三维光学模块由一个固定反射镜阵列与一个移动反射镜阵列构成，光从输入光纤准直器输入三维光学模块，经过两...