一种波长稳定DFB激光器切趾光栅，包括：一衬底；一下限制层，其制作在衬底上；一下波导层，其制作在下限制层上；一有源层，其制作在下波导层上；一上波导层，其制作在有源层上；一上限制层，其制作在上波导层上；一欧姆接触层，其制作在上限制层上；其...

一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法，该器件包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO2层，位于所述第一外延层的上方；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯形结构，位于各微/纳米孔洞上方；以及量...

本发明公开了一种基于LSPR的多通道微流控传感芯片及其制作方法。其中，该制作方法，包括：将多孔胶片版贴在转移有双通AAO膜的衬底上，然后生长金膜；依次揭掉多孔胶片版、剥离双通AAO膜，在衬底上得到与多孔胶片版匹配的包含金纳米颗粒阵列的传...

本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下片的第一矩形方口...

本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器，包括：有源区，位于所述衬底上方，所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层，各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对，以及位于每两个InGaAs/InAl...

本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；N区结构层，位于量子阱有源层之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制；以...

一种可见‑短波红外探测器及其制备方法，该制备方法包括：在硅衬底背面形成硅可见光探测器的P型和N型掺杂区域；在所述P型和N型掺杂区域上形成保护层；在硅衬底正面外延生长锗锡红外光探测器的锗锡光吸收层；去除所述P型和N型掺杂区域上的保护层，完...

本发明提供了一种基于EEMD的小波熵阈值的心电信号去噪方法，包括：步骤A，选取添加的噪声次数M和添加的白噪声序列赋值系数k，对包含噪声的心电信号进行EEMD分解，得到一系列频率从高到低的固有模态函数IMF分量；步骤B，对每一个IMF分量...

一种三维光电集成滤波器及其制备方法，包括：自下而上依次沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，通孔上方设置有互连...

本发明提供了一种缝槽型波导结构及其制造方法、和使用缝槽型波导结构的MZI(Mach‑Zehnder Interference：马赫曾德尔干涉)结构，通过在沿光传播方向延伸的缝槽状低折射率波导的两侧分别设置高折射率波导来构成缝槽型波导结构...

一种数据保密通信装置及方法，该装置包括：混合解混模块，用于根据第一密钥对M路第一原始数据和N‑M路随机信号进行混合处理，确定N路混合信号；加解密模块，根据第一密钥分别对N路混合信号进行加密，确定N路已加密信号；绑定解绑模块，对N路已加密...

本发明公开了一种取向碳纳米管自粘附干电极及其制备工艺。所述干电极包括取向碳纳米管自粘附层、柔性支撑层、双层柔性导电薄膜及导线。本发明采用了电化学和微机械加工的方式制备干电极，此种干电极具备粘附性和柔性，且质量超轻，不足20g，能够稳定的...

一种InSb高电子迁移率晶体管，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InAlSb下势垒层，其生长在复合缓冲层上；一InSb子沟道层，其生长在InAlSb下势垒层上；一InAlSb下隔离层，其生长在InSb子沟道层上；一InS...

一种语音信息的获取装置和方法，该装置包括：外差干涉光路，产生载波调制信号和AOM驱动参考信号；信号转换模块，对载波调制信号进行模数转换，确定数字调制信号，及将AOM驱动参考信号离散化，确定离散AOM信号；混频模块，根据离散AOM信号产生...

一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在In...

本发明提供了一种InGaN太阳能电池结构，其包括：p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于p型GaN层的上面，n型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，p型GaN层、i...

本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型Ga...

本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池，其包括：透明导电衬底；电子传输层，形成于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，形成于电子传输层上，钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6，其中X＝Ag、Na、K或Rb，Y＝Cl、Br或I；空穴传输层，形成于钙...

本公开提供了一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，该方法包括：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；在硅片的面上制作出谐振子；制作...

本发明公开了一种用于分布式光纤声传感系统的降噪方法，利用传感光纤不同位置处的相位噪声特征参数，构建最优降噪算法，无需人为干预相关参数的设定，最大程度提升分布式光纤声传感系统的信噪比。