专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
适用于硬件的高速卷积神经网络目标跟踪方法和装置制造方法及图纸
一种适用于硬件的高速卷积神经网络目标跟踪方法和装置,其中该目标跟踪方法包括以下步骤:在目标跟踪过程中,采用预先训练得到的高速卷积神经网络处理高速输入的图像,通过高速计算实现指定目标的高速跟踪;其中,所述高速卷积神经网络计算检测目标位置的...
一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法技术
本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法,该凹槽阳极肖特基二极管,包含衬底,形成于衬底上的外延层,形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽,以及形成于外延层上的阳极和阴极,其中:阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上,使阳极表面具有...
一种GaN基异质结二极管及其制备方法技术
本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法,该GaN基异质结二极管包括:依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层;在部分势垒层上形成部分凹槽区域,高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面;阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部...
一种小型结构光照明超分辨显微成像系统技术方案
本发明公开了一种小型结构光照明超分辨显微成像系统,包括激光光源、准直透镜、旋转挡光板模块、二向色镜、滤光板、显微物镜、载物台、成像透镜、光电探测器和同步控制系统,其中所述激光光源发射的光经所述准直透镜准直后成为平行光束,经所述旋转挡光板...
基于二维电子气的MEMS高温压力传感器及其制备方法技术
一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法,所述MEMS压力传感器包括:衬底和玻璃板,其中所述衬底的背面有一背腔,所述衬底的背面与所述玻璃板键合,所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜,所述感压薄膜上设置有二维电子气层形...
基于相干激光调频通信的发射端、接收端、系统及方法技术方案
本发明提供了一种基于相干激光跳频通信的发射端、接收端、系统及方法,通过在发射端和接收端都设置至少两个可调谐激光器,可以交替工作,使得在每个跳频周期内,能够得到不同的波长信息和密钥,大大增加数据截获难度,提高通信安全性。另外,本发明还根据...
在衬底上制备GaN纳米线的方法技术
本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法,包括以下步骤:步骤1:清洗衬底;步骤2:在衬底上镀一层Ni和Au金属;步骤3:将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中,将反应室升温;步骤4:向反应室中通入反应气体,在衬底上...
折射率可调的金属介质复合光学薄膜制造技术
一种折射率可调的金属介质复合光学薄膜,所述复合光学薄膜包括金属条带和介质条带;其中,所述金属条带与所述介质条带交替排列,形成周期性结构,相邻金属条带与位于相邻金属条带之间的介质条带形成金属‑介质‑金属波导结构。本发明的折射率可调的金属介...
LED光源的应用方法及装置制造方法及图纸
本发明提供了一种LED光源的应用方法,包括步骤:根据应用环境,预设一第一LED光源系统,其包括第一驱动电路和多路第一光源,各第一光源包括不同的第一光波长;将第一LED光源系统放置于应用环境中,筛选第一光波长,确定筛选后光波长组及其中的各...
片上光网络拓扑结构的调整方法及装置制造方法及图纸
本公开提供了一种片上光网络拓扑结构的调整方法,包括:确定片上光网络拓扑结构的原始路由状态数,片上光网络拓扑结构包括多个光开关单元;将光开关单元中的一待调整光开关单元替换为替换波导,比较原始路由状态数和替换后路由状态数,若相等,则将待调整...
增强型GaN HEMT的制备方法技术
一种增强型GaN HEMT的制备方法,包括如下步骤:在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层;在所述p型帽层上制备掩膜层;图形化掩膜层,露出栅区部分的p型帽层,形成样品;在样品露出的p型帽层上外延p型...
单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置制造方法及图纸
本发明公开了一种单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置,包括M组单管半导体激光器及光学透镜模组,每一组单管半导体激光器包括N个单管半导体激光器;光学透镜模组包括:光束整形透镜,包含快轴光束整形透镜及慢轴光束整形透镜,反射镜,以及聚焦透...
基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法技术
本发明公开了一种基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法,包括制备敏感膜,其中,所述制备敏感膜包括:准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件;从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部...
在衬底上生长GaN平面纳米线的方法技术
本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法,包括如下步骤:步骤1:将衬底放入有机溶液中超声清洗;步骤2:在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜;步骤3:把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上,在衬底与托盘之间形成狭缝;步骤4:提升反...
硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片制造技术
一种硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片,所述激光器包括依次设置的半导体光放大器、硅基模斑变换器、热调硅基环形谐振器及硅基相移器和双端口硅基多模干涉反射镜。所述双端口硅基多模干涉反射镜包括输入波导、输出波导、多模波导,以及分别将输入波导、...
GaN基垂直LED结构及其制备方法技术
本发明公开了一种GaN基垂直LED结构及其制备方法。其中,GaN基垂直LED结构,包括:衬底,为透明、导电、与GaN晶格失配度在1%~15%的宽禁带半导体材料;依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反...
开放式单细胞研究用芯片及其制备方法技术
一种开放式单细胞研究用芯片及其制备方法,所述芯片包括由基片、挡墙以及透明盖片围成的封装结构,所述基片在封装结构内侧具有微孔阵列结构,所述微孔阵列结构的若干微孔内分别容纳有单细胞,各个所述微孔的上方通过3D打印方式分别加入单细胞研究用试剂...
信息加解密装置及方法制造方法及图纸
本发明提供了一种信息加解密装置,包括:一密钥输入模块,用于输入密钥;一加解密模块,用于根据所述密钥,对原始信息进行加密处理,得到已加密信息;或者根据所述密钥,对已加密信息进行解密处理,得到原始信息;其中,该加解密模块中上加载的程序用于确...
弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组制造技术
本发明公开了一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组。其中,弯曲锥形光子晶体激光器包括:依次相连的脊波导部分,弯曲波导部分和锥形光放大部分;其中,脊波导部分为直波导,弯曲波导部分具有一弧度,锥形光放大部分沿着光输出的方向渐扩。通过引...
一种防止MOS管过载的保护电路制造技术
本公开提供了一种防止MOS管过载的保护电路,其第一输入端用于输入第一电压,第二输入端用于输入基准电压;第一电压由零变为基准电压值所需时间为第一时间,保护电路具有预设导通时间,预设导通时间为第一时间的第一倍数;第一电压由零变为峰值电压所需...
首页
<<
135
136
137
138
139
140
141
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
施勒智能科技上海股份有限公司
33
苏州欣优新材料科技有限公司
2
天津大学
46757
上海固极智能科技股份有限公司
39
天津思德海科技有限公司
11
锦岸机械科技江苏有限公司
60
云南润航精密机械有限公司
14
北京天玛智控科技股份有限公司
689
中铁二局第一工程有限公司
352
康键信息技术深圳有限公司
1106