中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 适用于硬件的高速卷积神经网络目标跟踪方法和装置
    一种适用于硬件的高速卷积神经网络目标跟踪方法和装置,其中该目标跟踪方法包括以下步骤:在目标跟踪过程中,采用预先训练得到的高速卷积神经网络处理高速输入的图像,通过高速计算实现指定目标的高速跟踪;其中,所述高速卷积神经网络计算检测目标位置的...
  • 一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法
    本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法,该凹槽阳极肖特基二极管,包含衬底,形成于衬底上的外延层,形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽,以及形成于外延层上的阳极和阴极,其中:阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上,使阳极表面具有...
  • 一种GaN基异质结二极管及其制备方法
    本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法,该GaN基异质结二极管包括:依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层;在部分势垒层上形成部分凹槽区域,高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面;阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部...
  • 一种小型结构光照明超分辨显微成像系统
    本发明公开了一种小型结构光照明超分辨显微成像系统,包括激光光源、准直透镜、旋转挡光板模块、二向色镜、滤光板、显微物镜、载物台、成像透镜、光电探测器和同步控制系统,其中所述激光光源发射的光经所述准直透镜准直后成为平行光束,经所述旋转挡光板...
  • 基于二维电子气的MEMS高温压力传感器及其制备方法
    一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法,所述MEMS压力传感器包括:衬底和玻璃板,其中所述衬底的背面有一背腔,所述衬底的背面与所述玻璃板键合,所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜,所述感压薄膜上设置有二维电子气层形...
  • 基于相干激光调频通信的发射端、接收端、系统及方法
    本发明提供了一种基于相干激光跳频通信的发射端、接收端、系统及方法,通过在发射端和接收端都设置至少两个可调谐激光器,可以交替工作,使得在每个跳频周期内,能够得到不同的波长信息和密钥,大大增加数据截获难度,提高通信安全性。另外,本发明还根据...
  • 在衬底上制备GaN纳米线的方法
    本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法,包括以下步骤:步骤1:清洗衬底;步骤2:在衬底上镀一层Ni和Au金属;步骤3:将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中,将反应室升温;步骤4:向反应室中通入反应气体,在衬底上...
  • 折射率可调的金属介质复合光学薄膜
    一种折射率可调的金属介质复合光学薄膜,所述复合光学薄膜包括金属条带和介质条带;其中,所述金属条带与所述介质条带交替排列,形成周期性结构,相邻金属条带与位于相邻金属条带之间的介质条带形成金属‑介质‑金属波导结构。本发明的折射率可调的金属介...
  • LED光源的应用方法及装置
    本发明提供了一种LED光源的应用方法,包括步骤:根据应用环境,预设一第一LED光源系统,其包括第一驱动电路和多路第一光源,各第一光源包括不同的第一光波长;将第一LED光源系统放置于应用环境中,筛选第一光波长,确定筛选后光波长组及其中的各...
  • 片上光网络拓扑结构的调整方法及装置
    本公开提供了一种片上光网络拓扑结构的调整方法,包括:确定片上光网络拓扑结构的原始路由状态数,片上光网络拓扑结构包括多个光开关单元;将光开关单元中的一待调整光开关单元替换为替换波导,比较原始路由状态数和替换后路由状态数,若相等,则将待调整...
  • 增强型GaN HEMT的制备方法
    一种增强型GaN HEMT的制备方法,包括如下步骤:在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层;在所述p型帽层上制备掩膜层;图形化掩膜层,露出栅区部分的p型帽层,形成样品;在样品露出的p型帽层上外延p型...
  • 单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置
    本发明公开了一种单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置,包括M组单管半导体激光器及光学透镜模组,每一组单管半导体激光器包括N个单管半导体激光器;光学透镜模组包括:光束整形透镜,包含快轴光束整形透镜及慢轴光束整形透镜,反射镜,以及聚焦透...
  • 基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法
    本发明公开了一种基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法,包括制备敏感膜,其中,所述制备敏感膜包括:准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件;从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部...
  • 在衬底上生长GaN平面纳米线的方法
    本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法,包括如下步骤:步骤1:将衬底放入有机溶液中超声清洗;步骤2:在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜;步骤3:把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上,在衬底与托盘之间形成狭缝;步骤4:提升反...
  • 硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片
    一种硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片,所述激光器包括依次设置的半导体光放大器、硅基模斑变换器、热调硅基环形谐振器及硅基相移器和双端口硅基多模干涉反射镜。所述双端口硅基多模干涉反射镜包括输入波导、输出波导、多模波导,以及分别将输入波导、...
  • GaN基垂直LED结构及其制备方法
    本发明公开了一种GaN基垂直LED结构及其制备方法。其中,GaN基垂直LED结构,包括:衬底,为透明、导电、与GaN晶格失配度在1%~15%的宽禁带半导体材料;依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反...
  • 开放式单细胞研究用芯片及其制备方法
    一种开放式单细胞研究用芯片及其制备方法,所述芯片包括由基片、挡墙以及透明盖片围成的封装结构,所述基片在封装结构内侧具有微孔阵列结构,所述微孔阵列结构的若干微孔内分别容纳有单细胞,各个所述微孔的上方通过3D打印方式分别加入单细胞研究用试剂...
  • 信息加解密装置及方法
    本发明提供了一种信息加解密装置,包括:一密钥输入模块,用于输入密钥;一加解密模块,用于根据所述密钥,对原始信息进行加密处理,得到已加密信息;或者根据所述密钥,对已加密信息进行解密处理,得到原始信息;其中,该加解密模块中上加载的程序用于确...
  • 弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组
    本发明公开了一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组。其中,弯曲锥形光子晶体激光器包括:依次相连的脊波导部分,弯曲波导部分和锥形光放大部分;其中,脊波导部分为直波导,弯曲波导部分具有一弧度,锥形光放大部分沿着光输出的方向渐扩。通过引...
  • 一种防止MOS管过载的保护电路
    本公开提供了一种防止MOS管过载的保护电路,其第一输入端用于输入第一电压,第二输入端用于输入基准电压;第一电压由零变为基准电压值所需时间为第一时间,保护电路具有预设导通时间,预设导通时间为第一时间的第一倍数;第一电压由零变为峰值电压所需...