浙江晶引电子科技有限公司专利技术

浙江晶引电子科技有限公司共有35项专利

  • 本技术公开了一种应用于覆晶薄膜的接料平台,包括操作台,所述操作台上端面左右对称固定有固定架,所述固定架与操作台之间设置有压板,所述操作台下端面还左右对称固定有气缸,所述气缸的输出端贯穿操作台与安装板固定连接,所述安装板下端连接有连接杆,...
  • 本发明公开了一种覆晶薄膜卷对卷设备料带计米装置,涉及覆晶薄膜卷计米领域,包括机架和电机,所述机架内固定有电机,所述机架上还左右对称固定有张紧机构,所述机架前端面固定有玻璃桌面,所述玻璃桌面上方设置有固定在机架上的固定架,所述固定架下端面...
  • 本技术公开了一种应用于覆晶薄膜的可拆卸卷盘,包括卷筒,所述卷筒上还左右对称固定有凸圆筒,所述凸圆筒与卷筒与旋转轴相互连接,所述凸圆筒外侧还连接有活动环板,所述凸圆筒上还等角度连接有四根定位杆,所述旋转轴与卷筒和凸圆筒之间均为滑动连接,且...
  • 本发明公开了一种高散热性双面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法,包括基材和导通孔,所述基材的上下两侧均设置有电路板,且电路板远离基材的一侧面上设置有芯片,所述导通孔开设在贯穿电路板和基材上,且导通孔的内部设置有导热铜。该高散热性双面覆晶薄膜及其化...
  • 本发明公开了一种高散热性单面覆晶薄膜及其制备方法,涉及覆晶薄膜制备技术领域,所述单面线路覆晶薄膜绑定IC,由于IC作业会产生热能,不易散热,于是在PI的底部开设有导通孔,并且导通孔内电镀填铜,所述PI层的底部固定连接有散热片。该高散热性...
  • 本发明公开了一种高散热性单面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法,涉及覆晶薄膜制备技术领域,所述单面线路层的顶部设置有IC且PI的底部开设有导通孔,并且导通孔内电镀填铜,所述PI层的底部固定连接有散热片。该高散热性单面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法,通过...
  • 本发明公开了一种高散热性双面覆晶薄膜及其制备方法,包括基材和导通孔,所述基材的上下两侧均设置有电路板,且电路板远离基材的一侧面上设置有芯片,同时基材上开设有导通孔,所述导通孔开设在贯穿电路板和基材上,且导通孔的内部设置有导热铜。该高散热...
  • 本发明公开了一种嵌入式超薄精密柔性覆晶薄膜封装基板生产工艺,涉及半导体封装基板制造技术领域,包括S1、载体铜箔与工具孔冲孔1;S2、第一层线路图形化;S3、柔性绝缘材处理;S3A、柔性绝缘材压合;S3B、柔性绝缘材涂布;S4、去载体;S...
  • 本发明公开了一种应用于覆晶薄膜的高周波接带工艺,涉及覆晶薄膜接带技术领域,包括导向下压组件,所述导向下压组件包括支板、第一电动推杆、下压板、连接杆和导向辊,所述支板的两侧穿设有第一电动推杆,所述下压板的底部两侧固定有连接杆。该应用于覆晶...
  • 本发明公开了用于超薄柔性薄膜封装基板的防护层材料及其制备方法,防护层材料由以下材料制成:二氧化硅、氧化铝、氮化铝、导电树脂和碳纤组成,防护层材料的制备还包括:真空箱、烘干机、清洗仪器、反应釜和加压器。本发明通过设置防静电涂层和外侧的防护...
  • 本发明公开了一种用于增强覆晶薄膜局部抗挠折性的制备方法,所述基座的顶部通过第一电机与转盘底部连接,所述转盘的顶部呈环形阵列状设置有限位座,且限位座上开设有限位槽,同时转盘通过旋转块与基座转动连接,所述限位槽内连接有垫块,且垫块通过第一复...
  • 本发明公开了一种可将多种金属材料结合至覆晶薄膜的选镀工艺,所述第一电镀池的右侧平行设置有第二电镀池,所述支架的两侧底部的背面固定有伺服电机,所述油液盒远离电动推杆的一侧底部穿设有传动杆,且传动杆的底部设置有限位橡胶轮轴,上下分布的橡胶轴...
  • 本发明公开了一种用于提高覆晶薄膜抗挠折性的制备工艺,所述操作台,所述操作台上端面后侧固定有固定板,所述固定板前端面左侧安装有可转动的覆晶薄膜卷,所述覆晶薄膜卷上覆晶薄膜本体与收卷棍、清理机构、导向机构、涂覆机构和烘干机构,所述收卷棍安装...
  • 本发明公开了一种用于覆晶薄膜模块轨道孔的化学刻蚀工艺,包括刻蚀槽,所述刻蚀槽内固定有网状结构的隔板,所述隔板上端面等角度固定有四组立杆,所述隔板上端面中心位置固定有电机,所述电机的输出端固定有安装套,所述安装套内安装固定有第一磁石。该用...
  • 本发明公开了一种在覆晶薄膜制造工艺中混合刻蚀法及其设备,涉及覆晶薄膜制备技术领域,包括S1、线路板固定;S2、刻蚀加工;S3、清洗风干;S4、加热烘干。该在覆晶薄膜制造工艺中混合刻蚀法及其设备,设置有两个储液箱,分别用于存储铜箔刻蚀和镍...
  • 本发明公开了一种用于覆晶薄膜制备的烘烤工艺及设备,涉及柔性线路板加工技术领域。本发明使用过程中,柔性电路板由传送带一得到间歇输送,一方面,触发气缸一伸长并抵触位于上料位置的自锁夹紧组件的触发杆,使得活动夹块克服弹簧的弹力背离固定夹块运动...
  • 本发明公开了一种提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺,涉及覆晶薄膜制备技术领域,包括S1、基板固定;S2、排列线路;S3、线路合并增宽;S4、基板翻转;S5、涂层增厚。该提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺,通过排线组件对线路端部进行夹持固定,将每...
  • 本发明公开了一种用于覆晶薄膜制造的异向刻蚀液及其应用方法,涉及覆晶薄膜制造技术领域,所述用于覆晶薄膜制造的异向刻蚀液按重量份包括下述原料:三氯化铁500‑600份,盐酸20‑50份,水1000‑1200份、高锰酸钾溶液300‑500份。...
  • 本发明公开了一种覆晶薄膜原材料的制备方法和制造设备,所述加工池通过隔板分割成电镀池和清洗池,所述加工池上端面左侧安装有可转动的铜箔卷。该覆晶薄膜原材料的制备方法和制造设备,通过在铜箔表面形成镍铬分子层,然后采用物理方法使铜箔与POLYM...
  • 本发明公开了一种高效率覆晶薄膜化学刻蚀剪裁方法及设备,涉及软性基板电路加工技术领域,包括台座和传送装置,所述台座的上方架设有防尘仓,所述台座的中央安装有回流池,且回流池的左右两侧安装有组合架,所述传送装置水平设置安装于显影装置的正下方。...