【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及覆晶薄膜制备，具体为一种高散热性单面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法。
技术介绍
1、覆晶薄膜，简称cof，是一种将集成电路（ic）固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术。它运用软质附加电路板作为封装芯片载体，将芯片与软性基板电路结合，或者单指未封装芯片的软质附加电路板。覆晶薄膜技术使得产品更加轻薄短小化，满足了现代电子产品对尺寸和重量的严格要求，且线距可以做到非常精细，例如达到16μm的pitch，这增加了产品的可靠性和集成度，与传统的tab技术相比，cof没有悬空引线易变形或折断的问题，有助于提高生产良率和降低制造成本。因此，这种技术非常适用于小尺寸面板如手机或pda等液晶模块产品。
2、而单面覆晶薄膜则是指在一侧（单面）柔性基板上贴装芯片的构装方式。这种方式仍然具备cof技术的主要优点，通常在不需要双面芯片布局的场景中使用。但单面覆晶薄膜由于单面构装，其集成电路的密集程度相较于双面覆晶薄膜更甚，因此，其对散热性的要求也就更高。
3、然而，现有的单面覆晶薄膜一般通过集成电路所在面胶贴散热片，来辅助电路元件...
【技术保护点】
1.一种高散热性单面覆晶薄膜，其特征在于，所述单面线路覆晶薄膜绑定IC, 由于IC作业会产生热能,不易散热,于是在PI的底部开设有导通孔，并且导通孔内电镀填铜，所述PI层的底部固定连接有散热片。
2.一种高散热性单面覆晶薄膜的化学刻蚀方法，应用于如权利要求1所述的高散热性单面覆晶薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种高散热性单面覆晶薄膜的化学刻蚀方法，其特征在于，还包括步骤：
4.根据权利要求3所述的一种高散热性单面覆晶薄膜的化学刻蚀方法，其特征在于，还包括步骤：
5.根据权利要求4所述的一种高散...
【技术特征摘要】
1.一种高散热性单面覆晶薄膜，其特征在于，所述单面线路覆晶薄膜绑定ic, 由于ic作业会产生热能,不易散热,于是在pi的底部开设有导通孔，并且导通孔内电镀填铜，所述pi层的底部固定连接有散热片。
2.一种高散热性单面覆晶薄膜的化学刻蚀方法，应用于如权利要求1所述的高散热性单面覆晶薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈玖瑭，郑右豪，孙嫚徽，
申请(专利权)人：浙江晶引电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。