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本发明公开了一种高散热性单面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法，涉及覆晶薄膜制备技术领域，所述单面线路层的顶部设置有IC且PI的底部开设有导通孔，并且导通孔内电镀填铜，所述PI层的底部固定连接有散热片。该高散热性单面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法，通过在P...
该专利属于浙江晶引电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶引电子科技有限公司授权不得商用。

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