【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造领域,特别是涉及用于超薄柔性薄膜封装基板的防护层材料及其制备方法。
技术介绍
1、封装基板简称sub,半导体封装是将芯片连接和保护在外部环境中的过程,其中芯片会使用到封装基板作为其底部的基础支撑件,封装基板是一种用于连接和支持电子元器件的基础材料,它通常由多层复合材料构成,具有高度的可靠性、稳定性和机械强度,在半导体封装过程中,封装基板被广泛应用于各种微电子器件,封装基板常用于通过表面贴装工艺将电子元器件固定在其表面上,随着微电子技术的发展,封装基板分为刚性和柔性两种类型,刚性封装基板由刚性介质形成,常用于高精度pcb。
2、经检索专利公开号为:cn103215535b的“一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法”,其中采用纯al粉末和y2o3-a12o3粉末的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层,利用高速气流将al粉末和y2o3-a12o3粉末的混合粉末直接喷涂于离子刻蚀腔体表面,通过控制喷涂参数:喷射距离5~50mm、气体压强0.5~5.0mpa、气体温度为260~520℃、气流流量为10~30g
...【技术保护点】
1.用于超薄柔性薄膜封装基板的防护层材料,其特征在于,所述防护层材料由以下材料制成:二氧化硅、氧化铝、氮化铝、导电树脂和碳纤组成;
2.根据权利要求1所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述步骤三沉积的过程中,采用高偏压氦等离子体进行基底沉积,偏压为600~900V,采用的等离子气体流量为200~700sccm。
4.根据权利要求3所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述等离子气体
...【技术特征摘要】
1.用于超薄柔性薄膜封装基板的防护层材料,其特征在于,所述防护层材料由以下材料制成:二氧化硅、氧化铝、氮化铝、导电树脂和碳纤组成;
2.根据权利要求1所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述步骤三沉积的过程中,采用高偏压氦等离子体进行基底沉积,偏压为600~900v,采用的等离子气体流量为200~700sccm。
4.根据权利要求3所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述等离子气体选用氦气作为载气使用。
5.根据权利要求2所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述步骤二等离子气体与材料气体进行低压离子轰击:加压压力值为10pa~15pa,离子轰击电压200v~1kv负高压,轰击时间为5min~20min。
6.根据权利要求2所述的用于超薄柔性薄膜封装基板防护层材料的制备方法,其特征在于,所述步骤三沉积真空加压...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈玖瑭,孙嫚徽,江祖平,
申请(专利权)人:浙江晶引电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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