对铝硬箔除油而不降低硬度，以改善涂敷材料的涂敷性能。对轧制箔片铝箔进行低温热处理，所述低温热处理将所述铝箔在８０至１６０℃下保持１小时或更长时间。低温热处理优选通过卷绕铝箔而对其进行批处理来进行。

本发明提供一种每单位催化剂金属量的活性高、反应电阻低、输出功率密度提高了的对燃料电池有用的催化剂担载体，其制造方法及使用上述催化剂的燃料电池。本发明的催化剂担载体，其特征在于，在进行粉碎处理以使得ＢＥＴ比表面积达到４～１００ｍ↑［２］／...

本发明提供一种具有优异的导电性的导电性结构体的制造方法和一种尺寸精度高、导电性优异的燃料电池用隔板的制造方法。在本发明中，将模腔表面温度保持在复合材料的结晶熔融温度（Ｔｍ）以上直到熔融的该复合材料在模具内的赋形完成，赋形之后，在模腔表面...

本发明提供一种可消除现有技术的缺点的燃料电池用的导电性树脂组合物，同时还提供一种通过对该导电性树脂组合物进行成型而制造的、导电性和弯曲特性优异的燃料电池隔板。在本发明中，提供一种燃料电池隔板用导电性树脂组合物和由该树脂组合物制成的燃料电...

一种锂电池阳极，其包括能够吸着和释放锂离子的活性物质、碳基导电性增强剂、和粘合剂，其特征在于该阳极所包含的碳基导电性增强剂的量相对于阳极总质量为０．１到２质量％，以及碳基导电性增强剂包含平均纤维直径为１到２００ｎｍ的碳纤维，其中由活性物...

一种包括具有石墨结构的碳颗粒和纤维状碳的碳材料，所述颗粒具有沉积到其至少一部分表面上的含碳材料。在碳材料中，含碳材料通过对含有聚合物的组合物进行热处理来得到。优选将纤维状碳通过含碳材料沉积到碳颗粒上，所述含碳材料是通过对含有聚合物的组合...

本发明提供一种二次电池集电器，包括铝箔片以及在所述箔片上形成的膜，该膜包含离子渗透化合物以及碳细粒，或者，一种二次电池集电器，包括铝箔片、在其上形成的作为下层的包含离子渗透化合物和碳细粒的膜以及在其上形成的作为上层的包含粘合剂、碳细粒和...

本发明提供了一种可固化的组合物，其可以获得具有优异物理性能的固化产品且特别适合作为用于燃料电池如聚合电解质燃料电池的隔板的材料。本发明的导电可固化树脂组合物包括（Ａ）具有多个碳－碳双键的烃化合物、（Ｂ）不包括组分（Ａ）的弹性体、和（Ｃ）...

一种锂二次电池阳极，其中包含能够吸留（即吸收和储存）和释放锂的阳极活性材料、导电碳材料和粘合剂，其中的阳极活性材料是这样的石墨材料，其采用天然石墨或人造石墨，其石墨结构中的通过Ｘ－射线衍射测定的ｄ（００２），（００２）面之间的平面距离，...

通过熔化包括能够吸收和释放Ｌｉ元素的元素，例如Ｓｉ和Ｓｎ的两种或多种金属材料，以及包括Ｃｕ等的另一种金属材料，获得熔体。通过条带铸造，以大于２×１０↑［３］℃／ｓｅｃ且不大于１０↑［４］℃／ｓｅｃ的速率对所获得的熔体进行冷却和固化，然后...

通过将生焦炭等的在惰性气氛下从３００℃加热到１０００℃时的加热减量成分为５质量％～２０质量％的碳原料粉碎，接着对粉碎了的碳原料进行石墨化处理，由此得到在较高地维持初次充放电时的初期效率和放电容量的状态下，由于具有比表面积和平均粒径均小的...

本发明提供显示高的电池容量、充放电循环特性良好、并且充电特性优异的适合作为二次电池负极用途的复合石墨粒子、使用该复合石墨粒子的负极用膏、负极以及锂二次电池。本发明的复合石墨粒子，是包括芯材和表层的复合石墨粒子，所述芯材由ｄ（００２）面的...

本发明涉及锂电池负电极材料，其特征在于包含比表面积为１平方米／克或更高的碳质负电极活性物质、由苯乙烯－丁二烯橡胶形成的粘合剂和纤维直径为１至１０００纳米的碳纤维；还涉及使用这种负电极材料的锂电池，其具有优异的特性，即低电极电阻、高电极强...

一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法，所述方法包括以下步骤：熔化合金原料以使其形成熔融物，所述原料包括至少是Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ及Ｙｂ中的一种物质的稀土金属Ｒ、至少是Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及Ａｇ中的一种物...

本发明提供了一种适于ｎ型Ⅲ族氮化物半导体的ｎ型欧姆电极的结构，及其用于提供低的接触电阻率的形成方法。提供的ｎ型欧姆电极在与ｎ型Ⅲ族氮化物半导体的结界面处包括铝和镧的合金或包括镧。所述方法包括在３００℃或更低温度下形成镧铝合金层，以在所述...

产生自由基的方法包括以下步骤：将Ｆ↓［２］气体或Ｆ↓［２］气体与惰性气体的混合气体供给到内部具有碳材料的室中，通过对所述碳材料施加靶偏压，由所述碳材料提供碳原子，从而产生高密度的自由基，其中，当测量在所述室内部产生的自由基的红外吸收光谱...

本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的ｎ型层、有源层和ｐ型层，所述...

本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的ｎ型层、发光层和ｐ型层，所述发...

一种氮化镓基半导体器件具有ｐ型层，所述ｐ型层是包含ｐ型杂质并呈现ｐ型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述ｐ型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述ｐ型杂质元素和与之结合的氢。

本发明提供了一种具有很少不规则颜色的低成本的发光二极管。发光二极管使用一种或多种磷光体材料，将作为初始光发射源的ＬＥＤ发射的第一光发射波长的光转换为第二光发射波长的光。将主要由磷光体材料构成的薄膜施加到作为初始光发射源的ＬＥＤ的光提取表...