一种制造Ⅲ族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成Ⅲ族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为Ⅲ族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为Ⅲ族元素的源的原材料气体，从而制造所述Ⅲ族氮...

一种发光二极管（１０），具有光提取表面，且包括透明衬底（１４）、接合到透明衬底的化合物半导体层（１３）、包含在化合物半导体层中的发光部分（１２）、包含在发光部分中且由（Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］）↓［Ｙ］Ｉｎ↓［１－Ｙ］Ｐ（０≤Ｘ≤１...

一种透明衬底发光二极管（１０），具有由化合物半导体制成的发光层（１３３），其中其上形成有第一电极（１５）和极性与所述第一电极（１５）不同的第二电极（１６）的光提取表面的面积（Ａ）、形成为接近所述光提取表面的所述发光层（１３３）的面积（Ｂ...

本发明的目的为提供一种发光装置，由于减小了对来自所述发光装置的光的自吸收，所以所述发光装置具有良好的光提取效率。本发明的发光装置包括板、在所述板上可选地通过载体形成的半导体发光元件、密封所述半导体发光元件的帽以及围绕所述帽设置的反射镜，...

一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：　第一结晶生长工序，在基板上至少顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的ｎ型半导体层、发光层和第一ｐ型半导体层；　第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成 ...

一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，具备半导体叠层结构、由Ⅲ族氮化物半导体形成的发光层、和分别设置在所述半导体叠层结构的表面侧和背面侧的电极，其特征在于，　所述半导体叠层结构至少具备杂质层和Ⅲ族氮化物半导体层，所述杂质层含有高浓度层和低浓度 ...

本发明提供发光特性、和出光效率优异的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及灯。这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、ｎ型半导体层、发光层、ｐ型半导体层的ＧａＮ系半导体发光元件的...

一种背光灯系统具有：多个ＬＥＤ衬底（１２），其具有多个发光二极管（ＬＥＤ）（２１）、向所述多个发光二极管（ＬＥＤ）（２１）提供驱动电流的电路、以及金属膜岛，所述金属膜岛传导由所述多个发光二极管（ＬＥＤ）（２１）产生的热量；背光灯框架（１...

一种基于ＧａＮ的半导体发光器件１包括叠层体１０Ａ和在导电衬底３１上形成的第二接合层３３，所述叠层体１０Ａ具有部件层１２并具有由金属制造的第一接合层１４作为最外层，部件层１２包括每一层均由基于ＧａＮ的半导体形成的依次堆叠的ｎ型半导体层、发...

本发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段，本发明的特征是制造一种半导体发光元件（１），所述半导体发光元件（１）是在基板（１１）上层叠有ｎ型半导体层（１３）、发光层（１４）和...

本发明提供可高效地输出紫外光的半导体发光元件及其制造方法。本发明的半导体发光元件（１），其具备含有ｐ型半导体层（１４）并至少在紫外区具有发光波长的半导体层和设置于所述ｐ型半导体层（１４）上的透光性电极（１５），所述透光性电极（１５）是含...

本发明提供驱动电压（Ｖｆ）低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件（１）的ｐ型半导体层（１４）上层叠含有掺杂...

本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的Ⅲ族氮化物化合物半导体层的Ⅲ族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的Ⅲ族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由Ⅲ族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由...

本发明公开了一种显示装置，其显示预定的图案，包含有机电致发光元件，该有机电致发光元件包括透明的阳极、有机电致发光化合物层、以与该预定图案几乎类似的形式图案化的阴极缓冲层、和阴极，以此顺序层压到透明绝缘基体上。该显示装置可以通过简单的结构...

本发明提供一种可控制凹陷的研磨组合物的制造方法、使用该研磨组合物的基板研磨方法、以及基板制造方法。在研磨组合物的制造方法中，通过将组成不同的２种预备组合物（Ａ）和（Ｂ）改变混合比例来混合从而制造多种研磨组合物，作为预备组合物（Ａ）使用含...

本发明提供一种能够得到可抑制由氢退火处理所导致的ｐ型半导体层的电阻率的增加，同时减少透光性导电氧化膜的电阻率，并且驱动电压（Ｖｆ）低的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。能够得到这样的氮化...

本发明提供调节通过管路内的光的量、流体的流量或流体的压力的调节孔的控制方法。在光或流体通过的管路（３）内，呈横截状地配置着由含有磁性粒子的粘弹性固体形成的隔壁（５）。在隔壁（５）上，沿轴方向贯通地设有用于调节光量、流体流量或流体压力的调...

本发明的目的是提供光取出效率优异、发光输出功率高的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是包括基板和层叠于基板上的氮化镓系化合物半导体层的发光元件，其特征在于，发光元件...

本发明提供可实现更高亮度化和省电的发光装置及其制造方法。本发明的发光装置，是具有设有电极极板（９、１０）的发光元件２和设有电极引线（１１、１２）的引线框３，并且电极极板（９、１０）和电极引线（１１、１２）借助于接合线（１４、１５）进行了...

一种用于Ｇａｐ发光元件的外延晶片，它包含在ｎ型Ｇａｐ单晶衬底上相继生长的ｎ型Ｇａｐ缓冲层、ｎ型Ｇａｐ层、掺氮的ｎ型Ｇａｐ层和Ｐ型Ｇａｐ层，其中掺氮的ｎ型Ｇａｐ层中的Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ和Ｃｕ的总浓度不超过１×１０↑［１...