本发明的一个目的是提供一种具有平滑表面且呈现优良结晶度的Ⅲ族氮化物半导体多层结构，所述多层结构采用可容易加工的低成本衬底。另一个目的是提供一种包括所述多层结构的Ⅲ族氮化物半导体发光器件。本发明的Ⅲ族氮化物半导体多层结构包括：衬底；Ａｌ↓...

本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓化合物半导体发光器件，其呈现与ｐ型氮化镓化合物半导体层的低接触电阻并且可以高生产率制造。所述发明的氮化镓化合物半导体发光器件包括衬底、ｎ型半导体层、发光层、ｐ型半导体层、被设置为与所述ｎ型半导...

一种化合物半导体发光二极管，包括由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温...

一种化合物半导体器件包括：六角碳化硅晶体衬底以及形成在所述碳化硅晶体衬底上的磷化硼基半导体层，其中所述碳化硅晶体衬底具有呈现｛０００１｝晶面的表面，并且所述磷化硼基半导体层由｛１１１｝晶体构成，所述｛１１１｝晶体层叠在所述碳化硅晶体衬底...

本发明的化合物半导体发光器件（ＬＥＤ）晶片的制造方法包括以下步骤：在化合物半导体ＬＥＤ晶片的顶部和／或底部表面上形成保护膜，其中所述器件规则地且周期性地排列，其间设置有分离区；在使气体吹到被激光辐照的部分上的同时，通过激光处理在其上形成...

一种磷化硼基半导体发光器件包括：硅单晶衬底；第一立方磷化硼基半导体层，设置在所述衬底的表面上，且包含双晶；发光层，由六角Ⅲ族氮化物半导体构成，且设置在所述第一立方磷化硼基半导体层上；以及第二立方磷化硼基半导体层，设置在所述发光层上，包含...

该ｐｎ结化合物半导体发光器件包括：结晶衬底；ｎ型发光层，由六角ｎ型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；ｐ型Ⅲ族氮化物半导体层，由六角ｐ型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述ｎ型发光层上；ｐ型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，...

提供了一种ｐｎ结化合物半导体发光器件，包括：包括由ｎ型或ｐ型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括ｎ型或ｐ型导体层，所述导体层和所述衬底接合...

本发明提供了一种导电组合物，其含有由式（１）所示的具有π电子共轭体系且在导电机理中显示电导性的水性溶剂可溶的导电聚合物，和水性溶剂可溶的树脂。通过使用本发明的导电组合物，可以实现涂膜电阻率的降低和电导率的升高，并且该涂膜可适于用作例如导...

本发明的一个目的是提供一种制造化合物半导体器件晶片的方法，所述方法能够精确地且以相当高的成品率解理晶片，获得高处理速度，并提高生产率。本发明方法用于制造化合物半导体晶片，所述晶片包括衬底和多个化合物半导体器件，所述多个化合物器件设置在所...

在一种设置在晶体衬底上的至少具有作为发光层的由Ⅲ族氮化物半导体形成的ｎ型有源层以及在所述ｎ型有源层上的包含ｐ型杂质的Ⅲ族氮化物半导体层的ｐ－ｎ结型化合物半导体发光二极管中，所述二极管具有沉积在所述包含ｐ型杂质的Ⅲ族氮化物半导体层上的室温...

本发明是通过以１×１０↑［２］至１×１０↑［３］℃／秒的冷却速率淬火固化熔融合金来制造锰铝铜强磁性合金、半锰铝铜强磁性合金和方钴矿合金的方法。这类材料可以用作热电转换元件。

本发明的一个目的是提供一种具有高反射性正电极的氮化镓基半导体化合物半导体发光器件，其中该高反射性正电极具有高反向电压和对ｐ型氮化镓基化合物半导体层具有低接触电阻的优良可靠性。本发明的用于半导体发光器件的反射性正电极包括邻接ｐ型半导体层的...

本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气（Ｆ↓［２］）的处...

本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明...

本发明的钛酸钙钡具有显著效果，即提供了具有优异的分散性、减少的杂质和高结晶度、并以任意比例固溶的细钛酸钙钡粉末及其制造方法。该钛酸钙钡表示为组成式：（Ｂａ↓［（１－Ｘ）］Ｃａ↓［Ｘ］）↓［Ｙ］ＴｉＯ↓［３］（其中０＜Ｘ＜０．２，且０．９...

一种制造半导体发光器件的方法包括在衬底（１）上层叠至少第一导电类型的半导体层（２）、有源层（３）和第二导电类型的半导体层（４）以形成晶片，接着在所述半导体层的生长表面侧上形成使所述第一导电类型的半导体层露出的第一沟槽（４０），通过采用激...

本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻ｎ型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构。本发明的ｎ型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构包括第一ｎ型层和第二ｎ型层，所述第一ｎ型层包括含有高浓度ｎ型杂质原子的层和含有低浓度ｎ型杂...

公开了一种构图方法，其包括构图步骤，所述构图步骤包括曝光基底，所述基底包括：（ａ）衬底；（ｂ）光催化剂层，形成在部分所述衬底上并且包含光催化剂；以及（ｃ）构图层，形成在包括所述衬底（ａ）和所述光催化剂层（ｂ）的基底的上表面上，所述构图层...

一种热电转换模块，包括多个热电元件，通过附接到每个热电元件的两端的金属盖帽来电连接各个热电元件。此外，金属盖帽和每个热电元件的两端上的电极一体形成。