本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、ｐ型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和ｎ型氮化物半导...

本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，该氮化物半导体发光器件在去除衬底之后翘曲较小，并且可从其侧面发射光；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次层叠至少ｎ型半导体层、发光层和ｐ型半导...

一种发光器件，其在发光元件中设置有接合线，所述接合线为主要由金或铜形成且至少部分地涂覆有这样的物质的金属细线，所述物质能够提高从所述发光元件发射的光的波长的反射系数。

本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠ｎ型半导体层、发光层、ｐ型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所...

本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

本发明的一个目的是通过具有高吞吐量的激光加工方法作为器件形状的加工方法，并且通过蚀刻作为在激光加工之后的处理，防止器件特性的劣化且提高器件的生产成品率。本发明涉及一种氮化物半导体发光器件的制造方法，所述氮化物半导体发光器件包括衬底、在所...

发光装置安装基片、发光装置安装组件和平面光源装置。在其上安装有发光颜色不同的多种发光装置的发光装置安装基片，其特征在于，包括多个发光装置安装部，每个发光装置安装部用于装入对应于一种发光颜色的发光装置，其中，所述发光装置安装部具有一构型，...

本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与ｐ型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的ｎ型半导体层、发光层和ｐ型...

本发明涉及一种导光部件，具有此导光部件的面光源装置以及使用此面光源装置的显示设备。本发明的目的是提供一种层压在安装有发光装置如ＬＥＤ的发光装置安装基板的上表面上的导光部件。在该导光部件中，位于发光装置正上方的片区的亮度降低，可均匀化导光...

提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板（１１）上，按包含氮化镓类化合物半导体的ｎ型半导体层（１３）、发光层（１４）、ｐ型半导体层（１５）的顺序将它们层叠，在该ｐ型半导体层（１...

提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导...

提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压（Ｖｆ）的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的ｐ型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前...

本发明的目的是提供光取出效率优异的、具备具有开口部的正极的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有由氮化镓系化合物半导体构成的、ｎ型半导体层和发光层以及ｐ型半导体层，并且分别与ｐ型半导体...

本发明提供一种半导体模块（１０），该半导体模块（１０）包括：具有安装半导体元件（１２）的正表面和与该安装半导体元件（１２）的正表面相反的背表面的陶瓷基板、接合于基板正表面的正面金属板（１５）、接合于背表面的背面金属板（１６）、和接合于该...

本发明的目的是不使用复杂而庞大的设备，提供相对介电常数高、膜厚可任意地控制、电容量的温度依赖性小的复合氧化物膜及其制造方法、包含该复合氧化物膜的复合体及其制造方法、包含上述复合氧化物膜或复合体的介电材料或压电材料、包含温度依赖性小的复合...

本发明的目的是不使用复杂而庞大的设备，提供相对介电常数高、膜厚可任意地控制、具有高的耐受电压的复合氧化物膜及其制造方法、包含该复合氧化物膜的复合体及其制造方法、包含上述复合氧化物膜或复合体的介电材料或压电材料、包含对高耐受电压化有利的复...

一种发光二极管（１０）包括透明衬底和化合物半导体层，所述化合物半导体层包含发光部分（１２），所述发光部分（１２）包含由（Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］）↓［Ｙ］Ｉｎ↓［１－Ｙ］Ｐ形成的发光层１３３，其中０≤Ｘ≤１且０＜Ｙ≤１，并且所述化合...

本发明涉及作为合金组分含有０．０１至１０原子％的至少一种选自元素周期表第２到１６族元素的元素、并且还含有０．１至７０质量％的一氮化二铌结晶的用于电容器的铌合金、其中铌合金粉末的平均颗粒度为０．０５到５μｍ并且ＢＥＴ比表面积为０．５到４０...

本发明为了提供可以形成使得电子仪器可以小型化的小型电容器所必需的薄膜电介质瓷器、粒径小、不需要的杂质少、电特性优异的钛酸钡及其制造方法，通过在碱性化合物存在的碱性溶液中，使得氧化钛溶胶和钡化合物反应，反应后以气体的形式除去碱性化合物并烧...

一种固体电解质电容器，有许多电子管金属经腐蚀表面有氧化膜层的重叠薄片，电连接正电极终端，氧化膜层上形成半导体层，半导体层上形成导电层，导电层上形成负电极对每个薄片共用．另一种极型固体电解质电容器，其中第一种薄片连接负电极终端，将第二种薄...