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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
碳酸铈的焙烧温度的设置方法、氧化铈磨料的生产方法及由该方法制得的氧化铈磨料技术
一种生产氧化铈磨料的方法,其特点是该方法包括焙烧氟含量F(质量ppm)在10到500质量ppm范围内的碳酸铈原料,焙烧温度T(℃)选自下式确定的温度区间之内的温度:730-14[log(F)]≤T≤790-10[log(F)]。
包含稀土元素的合金,其生产方法,磁致伸缩器件,以及磁性冷冻剂材料技术
制造式R(T↓[1-x]A↓[x])↓[13-y](其中R表示至少一种选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Gd和Lu的物类;T表示至少一种选自Fe、Co、Ni、Mn、Pt和Pd的物类;且A表示至少一种选...
用于抛光金属的组合物、金属层的抛光方法以及生产晶片的方法技术
一种用于抛光金属层的金属抛光组合物,其含有在金属层表面上聚合、在金属层表面上形成聚合物膜的成膜化合物。
有机发光器件材料和有机发光器件制造技术
一种用于有机发光器件的材料,其包含金络合物,其中金与至少一种选自由碳、氧和硫组成的组的原子键接。
磷化硼系半导体发光元件、其制造方法和发光二极管技术
一种磷化硼系半导体发光元件,其具备异种接合结构的发光部,该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的Ⅲ族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体...
磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管技术
一种具有异质结结构的磷化硼基化合物半导体器件,所述结构包括Ⅲ族氮化物半导体层和磷化硼层, 其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的表面具有(0.0.0.1.)晶面,以及 所述磷化硼层为{111}-磷化硼层,其具有在所述Ⅲ族氮化物半导体层...
磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管技术
一种磷化硼基化合物半导体器件,包括磷化硼基化合物半导体层,所述磷化硼基化合物半导体层由非晶层和与所述非晶层结合的多晶层构成,其中所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。
清洗剂组合物、半导体晶片的清洗和制造方法、以及半导体晶片技术
一种含有下列化学式(Ⅰ)所示的非离子型表面活性剂和氢氧化季铵的清洗剂组合物: R↑[1]O(EO)↓[x](PO)↓[y]H (Ⅰ) 其中R↑[1]代表含有6至20个碳原子的直链或支链烷基,或者含有6至20个碳原子的直链或...
磷化硼基半导体发光器件及其制造方法技术
一种磷化硼基半导体发光器件,包括: 晶体衬底; 第一半导体层,在所述晶体衬底上形成,所述第一半导体层包括发光层,用作基层并具有第一区域和不同于所述第一区域的第二区域; 磷化硼基半导体非晶层,在所述第一半导体层的所述第一...
钛酸钡和使用该材料的电子元件制造技术
一种钛酸钡,其为颗粒形式的单晶,所述颗粒以总颗粒数的20%或更多的量包含不具有直径为1nm或更大的空隙的颗粒。
发光元件、其制造方法以及LED灯技术
一种发光元件,该发光元件具有基板(1)、半导体层(3)、发光层(5),其特征在于,基板和层积在其上的半导体层的折射率不同,在该基板的层积半导体层的面上形成具有倾斜侧面的凹凸(2),将该倾斜侧面的相对于基板面的角度设为30°<θ<60°。
发光二极管器件及其制造方法技术
一种双异质结构发光二极管器件,包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7),和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙...
发光二极管及其制造方法技术
一种LED(10),包括化合物半导体层(13)和碱性玻璃衬底(150),所述化合物半导体层包括发光部分,所述碱性玻璃衬底包括至少1质量%的选自钠、钙、钡和钾的一种元素,并对所述部分的发光波长透明。所述衬底与所述半导体层固定或接合。在所述...
生产四氟硅烷的方法技术
本发明涉及一种通过用硫酸分解六氟硅酸生产四氟硅烷的方法,其包括:于第一反应器中在浓硫酸中分解六氟硅酸以生成SiF↓[4]和HF、并且将由此形成的SiF↓[4]取出的步骤1;将部分步骤1的包含HF的浓硫酸溶液转移至第二反应器以使HF与加入...
半导体芯片的制造方法以及半导体芯片技术
一种从晶片制造氮化镓化合物半导体芯片的方法,所述晶片具有在衬底(1)的主表面上层叠的氮化镓化合物半导体层(2,3),包括以下步骤:通过在所述晶片的所述氮化镓化合物半导体层(2,3)侧上蚀刻,以希望的芯片形状线性地形成第一沟槽(11);在...
用于阳极缓冲层的聚合物、用于阳极缓冲层的涂覆溶液,和有机发光装置制造方法及图纸
本发明涉及:用于有机发光装置中的阳极缓冲层的聚合物,所述聚合物在1质量%的水溶液中包含pH值为3-7的自-掺杂导电聚合物,所述聚合物包含右式(1)和/或(2)代表的单体,其中M↑[+]代表氢离子、碱金属离子或季铵离子,k代表1或2,+k...
含硼聚合物化合物和使用其的有机发光器件制造技术
本发明涉及在低电压下显示高亮度效率和适用于增大发射面积和用于大规模生产的聚合物材料,以及使用该材料的有机发光器件。本发明涉及包括式(1)代表的含硼单体的聚合物,在所述式中,A代表三苯基硼基团,其中所述苯基可被取代,R↑[16]代表氢原子...
抛光组合物和抛光方法技术
作为允许高速抛光并且同时防止盘形凹陷和侵蚀并维持金属膜的平直度的抛光组合物,本发明提供一种抛光组合物,它用于抛光在具有沟槽的基材上提供的金属膜以使金属膜填充所述沟槽,从而提供平面化表面,其中所述组合物包含水、在分子中具有C≥6碳原子烷基...
抛光组合物和抛光方法技术
为了提供允许在进行高速抛光的同时防止蚀刻和侵蚀并且维持金属膜的平直度的抛光组合物,本发明提供一种抛光组合物,它包含(A)具有三个或三个以上吡咯结构部分的化合物;(B)氧化剂;和(C)选自氨基酸、有机酸和无机酸中的一种或多种物质。
金属氧化物分散体、金属氧化物电极膜、以及染料敏化太阳能电池制造技术
一种金属氧化物分散体,其包括具有颈接结构的金属氧化物颗粒以及溶剂,其中金属氧化物分散体相对于ITO膜(氧化铟锡型膜)的液滴接触角是0至60度。一种用于制造染料敏化太阳能电池电极的金属氧化物分散体,包括:金属氧化物颗粒群F,其具有通过m个...
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