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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
感光性组合物除去液制造技术
本发明涉及用于除去含有颜料的感光性组合物的感光性组合物除去液,其含有从烷撑二醇单烷基醚羧酸酯类、烷氧基羧酸酯类及脂环状酮类中选出的至少一种溶剂,和从链状酰胺类、环状酰胺类、含硫化合物和环状酯类中选出的至少一种溶剂,以及根据需要含有碳原子...
热电半导体合金的制造方法、热电转换模块以及热电发电设备技术
本发明提供一种制造半锰铝铜强磁性合金的方法以及一种利用该热电半导体合金的高性能热电发电设备,所述方法包括以1×10↑[2]至1×10↑[3]℃/秒的冷却速率淬火固化熔融的合金,以制造出由分子式ABC(其中A和B均为选自过渡金属例如Fe、...
光敏组合物清除液制造技术
本发明涉及一种用于清除含颜料的光敏组合物的光敏组合物清除液。该光敏组合物清除液包含亚烷基二醇单烷基醚、芳烃以及一种或多种选自亚烷基二醇单烷基醚羧酸酯、烷氧基羧酸酯、脂环族酮和乙酸酯的溶剂。所述光敏组合物清除液具有优异的光敏组合物清除性能。
热固性阻焊剂组合物及其固化产物制造技术
本发明提供一种具有优异的柔韧性、低固化翘曲性和优异的耐焊接热、耐PCT和耐HHBT性能的新型热固性阻焊剂组合物,适合用作印刷电路板、特别是FPC板的热固性阻焊油墨。本发明的热固性阻焊剂组合物包含以下基本组分:(A)分子中具有两个或更多个...
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
一种氮化物半导体发光器件,其包括衬底、在其中并入第一导电半导体层、发光层和第二导电半导体层的氮化物半导体层、邻接所述第二导电半导体层的第一表面的至少一部分的透明电极,以及邻接所述第一导电半导体层的第二电极,其中所述衬底具有其第一表面,所...
研磨组合物制造技术
本发明提供一种在布线金属的研磨中,减少冲蚀、凹陷,且减少布线以外的部分上的布线金属残余的研磨组合物。本发明的研磨组合物,其特征在于,含有:(A)分子中具有3个以上唑基的分子量为300~15000的含唑基化合物;(B)氧化剂;(C)选自氨...
制造显示装置的方法制造方法及图纸
本发明提供一种制造有机电致发光装置的方法,包括:将含有机电致发光化合物的组合物施加到多个电极上以在每个电极上形成有机电致发光层,其中其上施加有该组合物的基材是其中电极之间的部分和/或该电极表面已经进行了防水处理的基材。通过使用这一方法,...
LED用基板以及LED封装制造技术
本发明的目的在于提供一种散热性优异并且制造简单的LED用基板以及使用了该LED用基板的LED封装。LED用基板(1),其特征在于,在散热部(10)的平坦面上接合穿设有LED安装孔(14)的绝缘层(11),在所述绝缘层(11)上设置有构成...
研磨装置、研磨刷及圆盘状基板的制造方法制造方法及图纸
本发明提供研磨装置、研磨刷及圆盘状基板的制造方法,可促进研磨液向研磨作业区域的供给并可在层叠加工体的层叠方向上均匀地研磨。研磨机构在支撑于旋转工作台上的层叠加工体的中心孔中插入研磨刷,且从研磨浆供给喷嘴向层叠加工体的上表面供给研磨浆,使...
碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底技术
一种在硅衬底的表面上制造碳化硅层的方法,包括以下步骤:用烃基气体和电子束辐照在高真空中在范围为500℃至1050℃的温度下加热的所述硅衬底的表面,以在所述硅衬底表面上形成立方碳化硅层。
氮化镓基化合物半导体发光器件制造技术
本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件,其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构,所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层...
发光二极管及其制造方法技术
一种发光二极管,包括:衬底;形成在所述衬底上的化合物半导体层,包括p-n结型发光部分;电导体,设置在所述化合物半导体层上,并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成;以及高电阻层,具有比所述电导体高的电阻,并且设置在所述化合...
化合物半导体发光二极管及其制造方法技术
一种化合物半导体发光二极管,包括:发光层133,由磷化铝镓铟形成;发光部分13,具有各自由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体形成的组成层;透明支撑层14,接合到所述发光部分13的最外表面层的一者135且对于从所述发光层133发射的光透明;以及接合层1...
用于光敏性组合物的清除溶液制造技术
本发明涉及一种用于光敏性组合物的清除溶液,用于除去含颜料的光敏性组合物,该溶液含有脂环酮、亚烷基二醇单烷基醚和/或醇和任选地含有乙酸酯。所述清除溶液具有优异的光敏性组合物清除性能。
圆盘状基板的磨削方法、磨削装置制造方法及图纸
本发明提供圆盘状基板的磨削方法、磨削装置,能够利用圆盘状基板的外周磨削和内周磨削,在磨削后的内周及外周提高同心度。圆盘状基板(10)的磨削方法一边使在中央具有开孔的圆盘状基板(10)旋转一边对其进行磨削,其中,一边将内周磨石(31)朝向...
氮化镓基化合物半导体发光器件制造技术
本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件,所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层,所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在...
有机电致发光元件、其制备方法和用途技术
本发明公开了一种有机电致发光元件,其包括按顺序层叠的阳极层(2),包含高分子量发光化合物的有机电致发光化合物层(4),和阴极层,其中所述阴极层(6)包括:(i)与该有机电致发光化合物层接触的金属掺杂的电子注入层(6b)和(ii)与该金属...
圆盘状基板的研磨方法、研磨装置制造方法及图纸
本发明提供圆盘状基板的研磨方法、研磨装置,在利用刷所进行的圆盘状基板的外周研磨工序中,大幅提高研磨性能以使例如磨削伤变平滑。圆盘状基板的研磨方法使用研磨液来研磨圆盘状基板的端面,该方法具备:第一研磨工序(S101~S109),其使用使树...
氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法技术
本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括:衬底;顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15;层叠在p型半导体15层上的可透光正电极1...
氮化镓基化合物半导体发光器件制造技术
本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件,其具有优良的光输出效率,且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层,...
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