一种ＧａＰ绿色发光二极管，包括：ｎ型ＧａＰ单晶衬底；和至少按顺序形成在衬底上的ｎ型ＧａＰ层、掺氮ｎ型ＧａＰ层和掺氮ｐ型ＧａＰ层。控制掺氮ｎ型ＧａＰ层中的碳和／或硫浓度不超过６×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］。

作为在ｐ型ＧａＡｓ单晶衬底上层积第一ｐ型层、ｐ型包覆层、ｐ型有源层和ｎ型包覆层后除去单晶的外延晶片，ｎ型包覆层的载流子浓度为１×１０↑［１７］～１×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］，硫浓度为３×１０↑［１６］原子／ｃｍ↑［３］以下，层厚度为...

本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸，氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物，侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的Ａｌ合金等配线材料不被腐...

本发明涉及（１）用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使ＳＦ＃－［６］和Ｆ＃－［２］、ＮＦ＃－［３］中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；（２）用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合ＳＦ＃－［６］和Ｆ＃－［２］、Ｎ...

一种八氟丙烷的制备方法，该方法包括在氟化催化剂存在下，于１５０－４５０℃温度下，使六氟丙烯与氟化氢在气相中反应得到２Ｈ－七氟丙烷的步骤（１）和在没有催化剂存在下，于２５０－５００℃温度下使步骤（１）中所得的２Ｈ－七氟丙烷与氟气在气相中反...

本发明的纯化八氟丙烷的方法包括以下步骤：使含有杂质的粗八氟丙烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟丙烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟丙烷的方法，可以基本上除去杂质例如氯化合物，并容易地获得高纯度的八氟丙...

本发明通过汽相法制备半导体器件，并且提供一种半导体层，该半导体层由磷化硼（ＢＰ）或一种ＢＰ基混合晶体组成，上述磷化硼（ＢＰ）在室温下具有不少于２．８ｅＶ和不多于３．４ｅＶ的带隙，而ＢＰ基混合晶体含有磷化硼（ＢＰ）并用下面分子式表示：Ｂ＃...

本发明涉及一种用于有机发光器件的具有高发光效率、高亮度和耐久性的发光材料，并涉及一种使用该发光材料的有机电致发光器件。该发光材料含有一种受到两维或多维空间压缩和限制的发光物质，由此提供一种以源于激发三重态的磷光发光为基础的高效率有机发光...

本发明涉及由翅片式铝挤出型材制成并用于电子装置和其中包含有一电子装置的信息装置的散热器。由翅片式铝挤出型材制成的本发明的散热器包括一基板、和在该基板一表面上平行设置的翅片。基板宽度为２５－４００ｍｍ、长度为２５－４００ｍｍ、厚度为２－５...

本发明的纯化八氟环丁烷的方法的特征在于使含有杂质的粗八氟环丁烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟环丁烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟环丁烷的方法，可以基本上除去杂质例如氟碳化合物，并容易地获得高纯度的...

一种以氧化铈为主要成分的铈基抛光料，其基本粒径为４０ｎｍ至８０ｎｍ，比表面积为２ｍ↑［２］／ｇ至５ｍ↑［２］／ｇ，当以１０％（质量）的量分散于水中时，该抛光料的沉淀物堆积比重为０．８ｇ／ｍｌ至１．０ｇ／ｍｌ。这样得到的抛光料能够提供具有...

通过包括如下步骤的方法制备了四氟硅烷：加热六氟硅酸盐的步骤（１）、将步骤（１）中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与氟气反应的步骤（２－１）、将步骤（１）中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与高价金属氟化物反应的步骤（２－２）或将步骤（...

本发明提供了一种利用具有能够避免连接麻烦的结构的蓝色ＬＥＤ制作多色发光灯的技术。特别地，本发明提供了使用能够发出高强度的合成绿色光异质结型ＧａＰ基ＬＥＤ结构制作多色发光灯的技术。同样，例如，通过蓝色ＬＥＤ和黄色ＬＥＤ来制作多色发光灯过程...

本发明的散热器（１），具备具有受热部（３）及散热部（４）的垂直板状散热器本体（２）、和被设置在散热部（４）的至少一个面上的散热片（５）。在散热器本体内，以从受热部（３）经由位于受热部（３）旁侧的散热部下部区域（４ａ）到达位于比受热部（３...

一种聚合物发光材料，其中所述材料具有基于从电子能级的激发三重态跃迁至基态或通过激发三重态跃迁至基态的发光机理，所述材料包含构成所述聚合物的一部分或与所述聚合物结合的非离子发光部分。该聚合物发光材料显示出高于５％（这是荧光的外量子效率的极...

本发明提供一种用于除去制造半导体或液晶的设备中淀积物的清洁气体，包括含１ｖｏｌ％或更少的氧和／或含氧化合物的氟气。本发明的清洁气体能实现高效的半导体器件的制造工艺，能确保高蚀刻速率、高清洁效率以及优良的性能价格比。

一种Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积Ⅲ族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的步骤。

一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括以０至１，０００的Ⅴ／Ⅲ比提供Ⅲ族原材料和Ⅴ族原材料以在热衬底上形成并生长Ⅲ族氮化物半导体的第一步骤，以及使用Ⅲ族原材料和氮原材料在衬底上气相生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的第二步骤。

一种含有由通式（１）所表示的胺的金属抛光组合物，其中ｍ代表从１到３的整数，ｎ代表从０到２的整数，ｍ和ｎ使得（３－ｎ－ｍ）是０到２的整数；Ａ代表碳原子数为１到５的取代亚苯基、亚苯基或直链或支化亚烷基；Ｒ１和Ｒ３各自独立地代表氢或碳原子数为...

本发明涉及具有以下特征的粒状氧化铝：与５０％累积体积平均粒径相对应的平均粒径（Ｄ５０）在３－６μｍ范围内，Ｄ９０与Ｄ１０之比等于或小于２．５，含有０．５质量％或更少的粒径为至少１２μｍ的颗粒、０．０１质量％或更少的粒径为２０μｍ或更大的...