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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
有机电致发光器件及其制造方法技术
在构成有机电致发光器件的阳极上精确地提供具有0.2到30nm的厚度、很少凸起的平滑中间膜层以及具有对发光层的高粘附性的表面层,其中所述有机电致发光器件包括存在于阳极和阴极之间的发光化合物层。在利用通过射频等离子体处理的干法处理方法或者通...
发光体、使用该发光体的照明装置和显示装置制造方法及图纸
本发明涉及包括主发光单元和副发光单元的发光体,该副发光单元由于该主发光单元射出的光而发光,其中该副发光单元包含铱化合物。作为铱化合物,可以列举由L↑[1]L↑[2]L↑[3]Ir(L↑[1]、L↑[2]和L↑[3]是与铱配位的有机二齿配...
发光二极管发光源制造技术
本发明提供了具有优异性能的作为发光源的发光二极管发光源、使用该发光源的发光器和用于液晶显示的背光,所述性能例如是在从绿光到红光的波长区域中的平坦光谱分布和红光区域的足够发射强度,该发光源包括在光谱分布的480-700nm范围内具有半值宽...
β-二酮化合物的制备方法及其金属配合物的制备方法技术
一种制备下述式(3)代表的β-二酮化合物的方法,包括步骤1:在碱金属醇盐催化剂存在下,使下述式(1)代表的酯化合物与下述式(2)代表的酮化合物反应, CR↑[1]R↑[2]R↑[3]COOR↑[4] (1) 其中R↑[1]...
Ⅲ族氮化物半导体器件制造技术
本发明的一个目的是提供一种Ⅲ族氮化物半导体元件,其包括呈现高结晶性和没有裂缝的厚AlGaN层,并且不包括厚GaN层(其通常作为在紫外LED中的光吸收层)。本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件包括:衬底;在所述衬底上提供的由AlN构成的第一氮化物...
制造p型Ⅲ族氮化物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光器件技术
本发明的一个目的是提供一种制造具有足够的载流子浓度和低晶体损伤发生率的表面的p型Ⅲ族氮化物半导体的有效方法。所述制造p型Ⅲ族氮化物半导体的发明方法包括以下步骤:(a)在包括氢气和/或氨气的气氛中在1000℃或更高的温度下,生长包括p型掺...
氮化物半导体光发射器件及其制造方法技术
氮化物半导体光发射器件,使用含铟的Ⅲ族氮化物半导体层作为光发射层,该层为由具有不同含铟量的主相和子相组成的多相结构,其特征是,所述的子相主要由晶体构成,其和主相的边界由变形层包围。
红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件制造技术
红外发光元件用外延晶片具备在n型GaAs衬底上边,用液相生长法依次叠层了第1n型Ga#-[1-x1]Al#-[x1]As层(0<X1<1)、第2n型Ga#-[1-x2]Al#-[x2]As层(0<X2<1)、n型Ga#-[1-x3]Al...
高纯氟气体、其生产方法和用途和分析高纯氟气体中的痕量不纯物的方法技术
在容器中分别进行至少一次步骤(1)将氟镍化合物加热以释放氟气体、步骤(2)使氟气体包藏在氟镍化合物内以及步骤(3)将氟镍化合物加热并降低内压,随后在步骤(1)中获得高纯氟气体。此外,在其表面上具有形成的氟化层的容器中,分别进行至少一次步...
氮化物半导体;使用该半导体的发光器件;及其制造方法技术
本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品,该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层,发光层和p型层,所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上,所述发光层具有量子...
氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件技术
一种氮化镓基半导体层叠结构,包括低温沉积缓冲层和有源层。所述低温沉积缓冲层由Ⅲ族氮化物材料构成,其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层,所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的(0001)(c)面接触的结区域的附近。所述有源层由设置在所述低温沉积...
制造Ⅲ族氮化物半导体元件的方法技术
本发明的目的是提供一种具有优良的静电放电特性和提高的可靠性的Ⅲ族氮化物半导体元件的制造方法。在本发明的制造方法中,所述Ⅲ族氮化物半导体元件在衬底上依次具有包括Ⅲ族氮化物半导体的n型层、有源层以及p型层,其中在所述n型层的生长期间或/和之...
稀土磁体合金铸块、其生产方法、 R - T - B型磁体合金铸块、 R - T - B型磁体、 R - T - B型粘结磁体、 R -T - B型交换弹性磁体合金铸块、 R - T - B型交换弹性磁体和 R - T - B型交换弹性粘结磁体技术
本发明的一个目标是提供具有改善了的磁性质的稀土磁体合金铸块。为了达到此目标,本发明提供了稀土磁体合金铸块,其中稀土磁体合金铸块包含R-T-B型磁体合金(R代表至少一种选自稀土元素的元素,包括Y;T代表主要包含Fe的物质,其中部分Fe原子...
二次电池制造技术
本发明涉及非水二次电池.该电池具有一个苯胺或苯胺衍生物聚合物做的正电极.有一个用以下材料做的负电极:(i)碱金属;(ii)碱金属合金;(iii)导电的聚合物;(iv)碱金属或碱金属合金与导电聚合物的复合材料.苯胺或苯胺衍生物的聚合物是由...
二次电池制造技术
本发明是一种二次电池,它的负极或者正负两个电极是用主链里带有共轭双键的聚合物制成的.电池中的电解质是铵盐,这种铵盐可用下面的通式表示:(式略)其中R-[1]、R-[2]、R-[3]和R-[4]代表一种带有1到16个碳原子的烷基或者一个带...
非水溶液二次电池制造技术
一种非水二次电池,其正电极由式(1)和式(2)代表的苯胺化合物经氧化聚合而得的聚合物或其还原产物组成,负电极由(i)碱金属,(ii)碱金属合金,(iii)电导聚合物或(iv)电导聚合物与碱金属或碱金属合金的复合体所组成,电解液是由选自L...
充电电池制造技术
一个充电电池包括正电极、负电极和无水电解液,其中,正电极包括一个钠-钴氧化物作为主要成分,负电极由含有钠合金,例如钠/铅或钠/锡合金,碳材料和粘合剂的合成物组成,无水电解液由钠盐和醚化合物组成,正、负电极由一种方法备制,其中,粘合剂膨胀...
固态聚合物电解质、用其制作的电池和固态双电层电容器及其制作方法技术
一种固态聚合物电解质,该固态聚合物电解质包含以下物质的复合材料: (a)可由至少一种化合物获得的聚合物,该化合物包含源自带有三羟基或多羟基的多元醇的结构,上述醇式羟基基团中至少两个氢原子分别被如下通式(1)代表的单元取代: ...
电池用碳质材料及使用该碳质材料的电池制造技术
作为碳质材料是比表面积3m#+[2]/g以下,纵横比6以下,轻敲体积密度0.8g/cm#+[3]以上的石墨粉末,或轻敲体积密度0.8g/cm#+[3]以上,氧化开始温度600℃以上的石墨粉末或体积密度0.8g/cm#+[3]以上,比表面...
碳纤维、其制造方法和电池用电极技术
本发明提供一种纤维直径在1μm以下,用X射线衍射法求得的层面间距d↓[002]为0.335~0.34nm的范围,而且满足d↓[002]<0.3448-0.0028(logφ)(式中φ为碳纤维直径),Lc在40nm以下的高结晶性细微碳纤维...
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