本实用新型公开一种高速外设组件互连接口与USB3.0装置之间的桥接器。桥接器包含一支持至少二通道的高速外设组件互连接口、一扩展主控制器接口及一通用串行总线3.0集线器。该高速外设组件互连接口用以耦接于一主机，其中该至少二通道中的每一通道...

本实用新型提供一种集成电路系统。该集成电路系统包括应用逻辑集成电路、至少一个内存集成电路及串行信道控制单元。该应用逻辑集成电路包括应用处理单元和内存控制单元。该内存控制单元具有总线。每一个内存集成电路包括第一信道接口、内存阵列及第二信道...

一种动态记忆体结构，包含位于基材上的条状半导体材料、跨越条状半导体材料的栅极，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区，其中源极端的源极宽度大于或等于通道区的宽度、至少部分夹置于栅极与条状半导体材料间的介电层、以及位于基材上，包含作...

USB?3.0主控制装置与降低其低耗电的方法包含一超高速传输电路、一非超高速传输电路及一控制模块。该超高速传输电路用以一第一传输速度传送数据；该非超高速传输电路用以一第二传输速度、一第三传输速度或一第四传输速度传送数据，其中该第一传输速...

执行初始校正及全时更新模式校正的方法和记忆体电路，包含供电至该记忆体电路；利用该阻抗匹配电路，对该记忆体电路执行该初始校正；该记忆体电路离开该初始校正；该记忆体电路进入一驱动模式；每隔一预定时间该记忆体电路退出该驱动模式；根据一更新指令...

存储器及更新存储器的方法包含一判断电路、多个更新计数器及多个记忆区块。该判断电路接收一更新指令；该多个更新计数器耦接于该判断电路；该多个更新计数器中的每一更新计数器对应于该多个记忆区块的一记忆区块。该判断电路侦测该多个记忆区块中的一第一...

本发明公开一种延迟锁相回路及延迟锁相回路产生应用时脉的方法，延迟锁相回路包含一第一延迟单元、一第二延迟单元、一第三延迟单元、一相位检测器及一控制器。该第一延迟单元根据一时脉和一第一延迟时间，产生一第一延迟时脉；该第二延迟单元根据该第一延...

双倍幅时钟脉冲产生器及电荷泵包含一第一双倍幅时钟脉冲产生电路和一第二双倍幅时钟脉冲产生电路。该第一双倍幅时钟脉冲产生电路用以接收一第一电压、一第二电压、一第一时钟脉冲、一反相的第一时钟脉冲和一第三电压，及用以输出一第一双倍幅时钟脉冲；该...

起电初始电路包含一起电控制单元、一第一开关和一第二开关。该起电控制单元用以接收一高电压启动信号，以及产生一第一起电控制信号；该第一开关具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以耦接于该起电控制单元，以接收该第一起电控制信号，及一第...

立体影像处理器、立体影像互动系统及立体影像显示方法，根据对左眼数字影像与右眼数字影像进行深度运算所得到的脸部深度模型，并根据脸部深度模型所判别出使用者二眼间的距离，可与已进行过脸部形变与人体渲染处理的使用者数字影像进行整合而得到使用者精...

本发明公开一种影像互动装置、互动式影像操作系统及操作方法。在影像互动装置之间需要传输大量的资讯或信息前，将这些资讯或信息以数据向量的形式编码至数字影像中，并产生对应的数字编码影像。当影像互动装置之间进行数字编码影像的传输时，即可在不额外...

本发明公开一种适用于双倍/单倍数据速率的存储器存取电路，包含一数据写入电路及一第一写入开关电路。该数据写入电路接收一双倍数据速率数据或一单倍数据速率数据，并输出一调整过的双倍数据速率数据的奇数项数据及偶数项数据或一调整过的单倍数据速率数...

本发明公开一种同时分析效能与错误的电路及其方法，用以同时分析效能与错误的电路包含一映像单元及一USB?3.0数据流分析器。该映像单元用以映像经由一周边装置元件互连总线传递至一USB?3.0主机的指令及该USB?3.0主机的内部事件至一U...

本发明公开了一种非挥发性内存模块、内存处理系统及其内存管理方法。该非挥发性内存处理系统包含：一非挥发性内存模块，包含：一内存；及一控制器，耦接于该内存，用以传递该内存的数据；及一处理器，经由一传输接口耦接于该控制器，用来对经由该控制器存...

低耗电的USB3.0主控制装置包括一超高速传输电路、一非超高速传输电路及一控制模块。该超高速传输电路是以一第一传输速度传送数据，其中该超高速传输电路的预设状态是为关闭；该非超高速传输电路是以一第二传输速度、一第三传输速度或一第四传输速度...

本发明公开一种自动侦测影像闪烁的电路包含一影像感测器、一平均单元、一差值产生单元、一转换单元及一闪烁侦测单元。该影像感测器撷取一影像画面。该平均单元根据一影像画面的每一像素列的特定像素的亮度和，产生一亮度平均值；该差值产生单元根据二连续...

用以输出随工艺变异的驱动电流的输出级电路。输出级电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管及电流源。该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位为第一电压减去该第一P型金属氧化物...

可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、至少一可变电阻及一下电阻。每一可变电阻包括M个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该可变电阻的第一端，及一第二端；及一第i电阻，具有一第一端，耦接于...

通过输入电压至存储器内包括的广域字线，并检测广域字线上对应产生的电流，可产生电流与电压的关系函数，并且可根据关系函数的偏离幅度或斜率判断广域字线是否具有连接缺陷。

应用于一存储器电路内多个存储区块的栓锁系统包括一前栓锁电路及多个后栓锁电路。该前栓锁电路是用以接收一数据和一前栓锁启动信号，并根据该数据和该前栓锁启动信号，产生并输出一中间信号。该多个后栓锁电路中的每一后栓锁电路是耦接于该前栓锁电路的输...