可变电压产生电路制造技术

可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、至少一可变电阻及一下电阻。每一可变电阻包括M个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该可变电阻的第一端，及一第二端；及一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+1电阻的第一端，其中2≤M，1≤i≤M，i、M为自然数。因此，该可变电压产生电路可根据一参考电压、该至少一可变电阻及该下电阻，输出至少一可变电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系有关于一种可变电压产生电路，尤指一种可根据至少一可变电阻，产生至少一可变电压的可变电压产生电路。
技术介绍
请参照图1，图1是先前技术说明可变电压产生电路100的示意图。可变电压产生电路100包括一放大器102、一 P型金属氧化物半导体晶体管104、一上电阻RU、一下电阻RD、一电阻RO及一可变电阻106，其中可变电阻106包括多个串联电阻Rl-foi以及多个并联开关Sl-Sn，且每一电阻和一开关并联。如图1所示，当多个并联开关Sl-Sn皆关闭时，可变电压VINTREF可由式(1)决定。VINTREF = IREF* ((R1+R2+... +Rn) +RU+RD)IREF = VREF/RD (1)当开关Sl开启，S2_Sn皆关闭时，因为参考电流IREF流经开关Sl取代流经电阻 Rl，因此可变电压VINTREF可由式O)决定。VINTREF = IREF* ((R2+—+Rn)+RU+RD) (2)因此，使用者可藉由控制多个并联开关Sl-Sn的开启与关闭，以调整可变电压 VINTREF。然而，每一电阻和一开关并联，且开关的内电阻随着半导体的制程、所受电压及温度而变化。所以，当与开关并联的电阻的阻值越小时，产生的可变电压VINTREF越不准确。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种可变电压产生电路。该可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、一第一可变电阻及一下电阻。该放大器具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端。该P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端。该第一可变电阻具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端，其中一第M电阻的第二端，耦接于该第一可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，i、M为自然数。该下电阻具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括:M个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端；其中一第M电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，且i、M 为自然数。该第一可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第一可变电阻的第二端之间。该M个电阻的阻值是相同、部分相同或不同。本专利技术的另一实施例提供一种可变电压产生电路。该可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、一第一可变电阻及一下电阻。该放大器具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端；该P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端；该第一可变电阻具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M-I个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端；其中该M-I个电阻的一第i 电阻具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端，其中一第一电阻的第一端耦接该第一可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第一可变电阻的第二端，其中2彡M，1彡i彡M-I, i、M为自然数。该下电阻，具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括:M-1个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端；及其中该M-I个电阻的一第 i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端；其中一第i电阻的第一端耦接该第二可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第二可变电阻的第二端，2彡M，1彡i彡M-1，且i、M为自然数。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以提供一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以提供一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括N个电阻；及N个开关，其中该N个开关的一第j开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该N个电阻的一第j 电阻，具有一第一端，耦接于该第j开关的第二端，及一第二端，耦接于一第j+Ι电阻的第一端；其中一第N电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡N，1 < j彡N，且j、N 为自然数。进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。进一步包括至少一上电阻，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端及该第一可变电阻的第一端之间。进一步包括至少一第一上电阻，耦接于该上电阻及该第一可变电阻的第一端之间。该第二可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。该第二可变电阻另包括一电阻，耦接于一第N电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。该第一可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第一可变电阻的第二端之间。该M个电阻的阻值是相同、部分相同或不同。本专利技术提供的一种可变电压产生电路，系利用至少一可变电阻中的至少二串联开关以选择至少一可变电阻的阻值，产生至少一可变电压。因此，可改善先前技术中每一电阻和一开关并联，而造成该至少一可变电压随着半导体的制程、所受电压及温度而变化的缺点，可减少开关的内电阻的影响，以及可同时产生至少一可变电压。附图说明图1是先前技术说明可变电压产生电路的示意图。图2是本专利技术的一实施例说明可变电压产生电路的示意图。图3是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。图4是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。图5是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。图6是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。图7是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。图8是本专利技术的另一-实施例说明可变电压产生电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可变电压产生电路，包括：一放大器，具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端；一Ｐ型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端；一第一可变电阻，具有一第一端，耦接于该Ｐ型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括：Ｍ个电阻；及Ｍ个开关，其中该Ｍ个开关的一第ｉ开关，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该Ｍ个电阻的一第ｉ电阻，具有一第一端，耦接于该第ｉ开关的第二端，及一第二端，耦接于一第ｉ＋１电阻的第二端；其中一第Ｍ电阻的第二端，耦接于该第一可变电阻的第二端，２≤Ｍ，１≤ｉ≤Ｍ，且ｉ、Ｍ为自然数；及一下电阻，具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张延安，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71