本实用新型专利技术提供一种可变衰减器装置，所述可变衰减器装置至少包括：第一平板玻璃和第二平板玻璃；所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“＜”或“＞”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。本实用新型专利技术可变衰减器装置，由在入射光的光路上设置的第一平板玻璃和第二平板玻璃构成，可以降低入射光强度，同时透射光的强度不会发生侧向偏离，满足曝光工艺的工艺要求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种可变衰减器装置，所述可变衰减器装置至少包括：第一平板玻璃和第二平板玻璃；所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“＜”或“＞”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。本技术可变衰减器装置，由在入射光的光路上设置的第一平板玻璃和第二平板玻璃构成，可以降低入射光强度，同时透射光的强度不会发生侧向偏离，满足曝光工艺的工艺要求。【专利说明】—种可变衰减器装置
本技术属于半导体设备领域，涉及一种曝光装置，特别是涉及一种降低曝光系统中入射光强度的可变衰减器装置。
技术介绍
现代微电子技术的核心是集成电路生产，而集成电路生产的发展又必须以半导体设备为其主要支撑条件，在当前集成电路生产设备中，光刻设备占最核心的地位。通过光刻装置，具有不同掩模图案的多层掩模早精确对准下依次成像在涂敷有光刻胶的硅片上，例如半导体硅片。光刻装置大体上分为两类，一类是步进光刻装置，掩模图案一次曝光成像在娃片的一个曝光区域，随后娃片相对于掩模移动，将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方，再一次将掩模图案曝光在硅片的另一曝光区域，重复这一过程直到硅片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置，在上述过程中，掩模图案不是一次曝光成像，而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中，掩模与硅片同时相对于投影系统和投影光束移动。在曝光工艺中，通常，扫描速度由机械控制，通过控制扫描速度来调节曝光剂量，扫描速度越低。曝光剂量越高；反之，扫描速度越高，曝光剂量越地。但是当所需的曝光剂量低到最高的扫描速度都无法满足时，则需要寻找其他降低曝光剂量的方法，比如，降低入射光的强度。现有技术中采用一种降低曝光系统中入射光强度的装置来调节曝光剂量，如图1所示，该装置包括一块倾斜的平板玻璃1lA ;光源发出的光束以一定的角度入射到所述平板玻璃1lA上，光束透过平板玻璃1lA之后相对于入射光发生了一定的衰减。但是，由于平板玻璃有一定的厚度，透射后的光束相对于入射光束有侧向偏移。这种侧向偏移会产生非对称的环形光环，无法保证曝光的质量。因此，提供一种降低曝光系统中入射光强度的装置实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种可变衰减器装置，用于解决现有技术中入射光透过平板玻璃之后发生侧向偏移的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种可变衰减器装置，该装置设置于入射光的光路上，所述可变衰减器装置至少包括:第一平板玻璃和第二平板玻璃；且所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“ < ”或“ > ”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的正、反表面上均涂有提高其反射率的薄膜材料。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述第一平板玻璃与水平面的夹角范围为40?50° ;所述第二平板玻璃与水平面的夹角范围为40?50°。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述第一平板玻璃与水平面的夹角范围为45° ;所述第二平板玻璃与水平面的夹角范围为45°。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的厚度范围均为I?10mm。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，入射光经过所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的透光率范围为0.05?0.95。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的形状均为方形。作为本技术可变衰减器装置的一种优化的结构，所述入射光波长为193nm。如上所述，本技术的可变衰减器装置，所述可变衰减器装置至少包括:第一平板玻璃和第二平板玻璃；所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“ < ”或“ > ”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。本技术可变衰减器装置，由在入射光的光路上设置的第一平板玻璃和第二平板玻璃构成，可以降低入射光强度，同时透射光的强度不会发生侧向偏离，满足曝光工艺的工艺要求。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中可变衰减器装置结构示意图。图2为本技术的可变衰减器装置结构示意图。元件标号说明1lA平板玻璃d 侧向偏移量101 第一平板玻璃102 第二平板玻璃h 厚度【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。本技术提供一种可变衰减器装置，如图2所示，该可变衰减器装置设置在入射光的光路上，即设置在投影光刻机中的光源和光刻设备照明系统之间，所述可变衰减器装置至少包括:第一平板玻璃101和第二平板玻璃102 ;所述第一平板玻璃101和第二平板玻璃102形成“<”或“>”形状，所述第一平板玻璃101与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃102与水平面的夹角。所述第一平板玻璃101设置于光源之后，从光源发射的光源先入射到第一平板玻璃101中。本实施例中，光源的波长采用193nm。现有技术的可变衰减器装置仅仅设有一块平板玻璃1lA(相当于本技术中的第一平板玻璃)，如图1所示，当入射光束以一定的角度入射到平板玻璃上时，一部分光线发生反射，一部分光线发生折射，由于平板玻璃1lA具有一定的厚度，发生折射的光线与入射光有一定的侧向偏移。如图2所示，光线入射到第一平板玻璃101的入射角为Qi，折射角为Θ。，折射率为ns，第一平板玻璃101的厚度为h，折射光线和入射光线侧向偏移量为d。由折射定律:sinΘ j = sin θ o ； (I)再根据三角形几何关系，有以下关系式:d = (h/cos Θ Q)*sin( Θ ^ Θ。)(2)由(I)式和⑵式,可以计算得到【权利要求】1.一种可变衰减器装置，该装置设置于入射光的光路上，其特征在于，所述装置至少包括:第一平板玻璃和第二平板玻璃；所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“ < ”或“ > ”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。2.根据权利要求1所述的可变衰减器装置，其特征在于:所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的正、反表面上均涂有提高其反射率的薄膜材料。3.根据权利要求1所述的可变衰减器装置，其特征在于:所述第一平板玻璃与水平面的夹角范围为40?50° ;所述第二平板玻璃与水平面的夹角范围为40?50°。4.根据权利要求本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可变衰减器装置，该装置设置于入射光的光路上，其特征在于，所述装置至少包括：第一平板玻璃和第二平板玻璃；所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“＜”或“＞”形状，所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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