钰创科技股份有限公司专利技术

钰创科技股份有限公司共有246项专利

  • 具有低消耗电流的内存和降低内存消耗电流的方法
    本发明公开了一种具有低消耗电流的内存和降低内存消耗电流的方法,其中所述内存包括一控制器和多个记忆区块,且所述多个记忆区块中的每一个记忆区块包括多个记忆区段。所述方法包括所述控制器致能对应所述多个记忆区块中一第一记忆区块的地址和一第一列地...
  • 能够提升记忆体效能的方法和相关的记忆体系统
    本发明揭露一种能够提升记忆体效能的方法和相关的记忆体系统,应用于该方法的记忆体系统包含一记忆体和一控制器,且该记忆体内的一预留空间是用以储存一逻辑位置/实体区块映射表。该方法包含该控制器保留该记忆体的多个实体区块为一写入缓冲区;当多个数...
  • 应用于影像撷取系统的校正装置包含一支撑单元及多个显示样式产生单元。该多个显示样式产生单元是枢接于该支撑单元。该多个显示样式产生单元中的每一显示样式产生单元包含多个标记,该多个标记是用以产生对应该显示样式产生单元的一显示样式,在该显示样式...
  • 静态随机存取存储系统包含一静态随机存取内存、一多工器、一输入缓冲器、一输出缓冲器及一位移器。该输入缓冲器根据一写入指令,一次写入该输入缓冲器储存的写入数据至该静态随机存取内存内和一写入地址信号相关的地址;该输出缓冲器根据一读取指令,一次...
  • 应用于嵌入式显示接口的动态随机存取存储器包含一记忆核心单元、一周边电路单元及一输入/输出单元。该记忆核心单元是用以操作于一第一预定电压;该周边电路单元是电性连接于该记忆核心单元,用以操作于一第二预定电压,其中该第二预定电压是小于1.1V...
  • 本实用新型公开了一种可重组态的高速存储芯片模块和和电子系统装置。该高速存储芯片模块包括一种型式的存储单元数组、一第一传输总线及一逻辑单元。该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路;该第一传输总线是耦接于该种型式的存储单元数组,...
  • 本发明提供一种包裹式存储器包含一基板、一第一存储器晶粒、一第二存储器晶粒、一切割线和一电性连接部分。该第一存储器晶粒有一第一输入输出总线,其中该第一存储器晶粒形成于该基板之上;该第二存储器晶粒有一第二输入输出总线,其中该第二存储器晶粒形...
  • 输入接收电路及其操作方法
    本发明公开了一种输入接收电路包含一第一输入接收单元、一第二输入接收单元、一延迟单元及一第一逻辑单元。该第一输入接收单元接收一反相唤醒信号、一外部致能信号、一第一电压及一参考信号,并根据该外部致能信号和该参考信号,产生并输出一第一致能信号...
  • 本发明提供一种多输入低压降稳压器,包含:一放大器、一第一金氧半晶体管及一电阻。该放大器具有多个第一输入端、一第二输入端,以及一输出端,其中该多个第一输入端中的每一第一输入端用以接收一内部电压;该第一金氧半晶体管具有一第一端,用以接收一第...
  • 本发明公开一种可降低影像噪声的影像处理方法、影像撷取系统及影像处理器,影像处理方法包含于一影像数据中根据一主影像区块的像素排列方式寻找多个具相同像素排列方式的参考影像区块;根据该主影像区块的各个像素的亮度值及该多个参考影像区块的各个像素...
  • 本发明公开一种快速响应的低压差稳压系统和低压差稳压系统的操作方法。快速响应的低压差稳压系统包含一低压差稳压单元、一追踪电压产生单元及一自驱动单元。该低压差稳压单元用以根据一参考电压,产生并输出一内部输出电压;该追踪电压产生单元,用以根据...
  • 本发明公开一种起始电压产生电路和起始电压产生的方法。起始电压产生电路包含一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器及多个稳压电容。该参考电压产生器产生多组参考电压候选值。该参考电压选择器包含多组选择开关与多个开关控制电...
  • 本发明公开了一种高速记忆芯片模块和有高速记忆芯片模块的电子系统装置。该高速记忆芯片模块包含一种型式的记忆单元数组组和一逻辑单元。该型式的记忆单元数组组包含多个记忆单元数组集成电路,该至少一记忆单元数组是有关于第一金属氧化物半导体晶体管栅...
  • 本发明公开一种提升传输数据包的效率的方法与装置。该方法包含当一传送端从一接收端接收对应于一第一同时型传输类型数据包的一重新传送信号时,该传送端根据该第一同时型传输类型数据包的一第一档头序列参数,设定一第二同时型传输类型数据包的一第二档头...
  • 一种动态记忆体结构,至少包含基材、条状半导体材料、断开栅极、介电层、栅极介电层与电容单元。条状半导体材料位于基材上,并沿着第一方向延伸。断开栅极位于基材上并沿着第二方向延伸。断开栅极包含独立的第一区块以及第二区块,而将条状半导体材料分成...
  • 一种伪静态随机存取记忆体的运作方法及相关记忆装置,该方法包括:在收到一外部指令信号时,依据一伪静态随机存取记忆体的一目前状态来设定其延迟时间。若伪静态随机存取记忆体并未在执行一特定运作,或已经完成特定运作且符合相对应时序参数,以一第一延...
  • 一种可双向追踪时序参数的记忆装置,记忆装置包含一动态随机存取记忆体、一第一双向追踪电路和一第二双向追踪电路。动态随机存取记忆体包含一记忆单元、一字符线,和一位元线。第一双向追踪电路用来追踪一第一时序参数,其中该第一时序参数相关于开启字符...
  • 本发明公开了一种晶体管电路布局结构,包含位于基材上具有源极端、漏极端与断开栅极的晶体管、断开栅极则包含独立的第一区块与独立的第二区块、位元线位于源极端与漏极端上或是埋入基材中并与漏极端电连接、字元线位于第一区块上并与第一区块电连接以及背...
  • 本发明公开一种产生杂乱值的系统和产生杂乱值的方法,产生杂乱值的系统包含一线性反馈位移暂存器和一杂乱引擎。该线性反馈位移暂存器是用以根据一起始值,产生多个第一杂乱值;该杂乱引擎是耦接于该线性反馈位移暂存器,用以利用该多个第一杂乱值中的每一...
  • 本发明公开一种用于影像辨识的影像撷取方法及其系统,影像撷取方法包含提供至少三台朝同一方向设置的影像撷取装置及一影像处理器;该至少三台影像撷取装置撷取至少三个第一影像;判断该至少三个第一影像中的一目标对象;根据该目标对象于该至少三个第一影...