多输入低压降稳压器制造技术

本发明专利技术提供一种多输入低压降稳压器，包含：一放大器、一第一金氧半晶体管及一电阻。该放大器具有多个第一输入端、一第二输入端，以及一输出端，其中该多个第一输入端中的每一第一输入端用以接收一内部电压；该第一金氧半晶体管具有一第一端，用以接收一第一电压，一第二端，耦接该放大器的输出端，以及一第三端，耦接该放大器的第二输入端；该电阻具有一第一端，耦接于该第一金氧半晶体管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二电压；该第一金氧半晶体管的第三端另用以耦接于一监控衬垫，且该监控衬垫用以输出该内部电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多输入低压降稳压器，尤其是涉及一种利用具有多个第一输入端的放大器和一个监控衬垫监控集成电路内的多个内部电压的多输入低压降稳压器。
技术介绍
在现有技术中，设计者为了要量测集成电路内的一内部电压，设计者必须利用一个运算放大器与一个衬垫以量测集成电路内的内部电压。然而，因为设计者可能会量测集成电路内的多个内部电压，所以集成电路将包含多个相对应的运算放大器与多个相对应的衬垫。如此，多个运算放大器与多个衬垫将会大幅增加集成电路的芯片面积。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种多输入低压降稳压器。该多输入低压降稳压器包含一放大器、一第一金氧半晶体管以及一电阻。该放大器具有多个第一输入端、一第二输入端，以及一输出端，其中该多个第一输入端中的每一第一输入端用以接收一内部电压；该第一金氧半晶体管具有一第一端，用以接收一第一电压，一第二端，耦接该放大器的输出端，以及一第三端，稱接该放大器的第二输入端；该电阻具有一第一端，稱接于该第一金氧半晶体管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二电压；该第一金氧半晶体管的第三端另用以耦接于一监控衬垫，且该监控衬垫用以输出该内部电压。本专利技术的另一实施例提供一种多输入低压降稳压器。该多输入低压降稳压器包含一放大器、一第一金氧半晶体管以及一电阻。该放大器具有多个第一输入端，多个第一致能输入端，一第二输入端，一第二致能输入端，以及一输出端，其中该多个第一输入端中的每一第一输入端用以接收一 内部电压；该第一金氧半晶体管具有一第一端，用以接收一第一电压，一第二端，耦接该放大器的输出端，以及一第三端，耦接该放大器的第二输入端；该电阻具有一第一端，耦接于该第一金氧半晶体管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二电压；该第一金氧半晶体管的第三端另用以耦接于一监控衬垫，且该监控衬垫用以输出该内部电压。本专利技术提供一种多输入低压降稳压器。该多输入低压降稳压器利用一具有多个第一输入端的放大器和一监控衬垫监控一集成电路内的多个内部电压。如此，相较于现有技术，因为本专利技术利用该放大器和该监控衬垫监控该集成电路内的多个内部电压，所以本专利技术可大幅减少该集成电路的芯片面积。附图说明图1为本专利技术的一实施例说明一种多输入低压降稳压器的示意图；图2为本专利技术的另一实施例说明一种多输入低压降稳压器的示意图；图3为本专利技术的另一实施例说明一种多输入低压降稳压器的示意图4为本专利技术的另一实施例说明一种多输入低压降稳压器的示意图。附图标记100、200、300、400:多输入低压降稳压器102、202、302、402:放大器104、204、304、404:第一金氧半晶体管106:电阻 108:监控衬垫110、210、310、410:第二金氧半晶体管112、312:或门 212、412:或非门1022、2022、3022、4022:电流源1024、20281-2028M、3024、40281-4028M:第一 P 型金氧半晶体管1026、2030、3026、4030:第二 P 型金氧半晶体管10281-1028M、2024、30281-3028M、4024:第一 N 型金氧半晶体管1030、2026、3030、4026:第二 N 型金氧半晶体管30291-3029M:第一致能N型金氧半晶体管3031:第二致能N型金氧半晶体管40291-4029M:第一致能P型金氧半晶体管4031:第二致能P型金氧半晶体管A、B:节点 EMVINT1-EMVINTM:内部致能信号Vl:第一电压 V2:第二电压VINT1-VINTM:内部电压具体实施例方式请参照图1，图1为本专利技术的一实施例说明一种多输入低压降稳压器100的示意图。多输入低压降稳压器100包含一放大器102、一第一金氧半晶体管104及一电阻106,其中第一金氧半晶体管104是一 P型金氧半晶体管。如图1所示，放大器102包含一电流源1022、一第一 P型金氧半晶体管1024、一第二 P型金氧半晶体管1026、M个第一 N型金氧半晶体管10281-1028M及一第二 N型金氧半晶体管1030，其中M是一正整数。第一金氧半晶体管104具有一第一端，用以接收一第一电压VI，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶体管1024的第三端，以及一第三端，耦接第二 N型金氧半晶体管1030的第二端，其中第一电压Vl是一高电压。电阻106具有一第一端,稱接于第一金氧半晶体管104的第三端，以及一第二端，用以接收一第二电压V2,其中第二电压V2是一低电压。另外，第一金氧半晶体管104的第三端另用以耦接于一监控衬垫108，且监控衬垫108用以输出一内部电压。因此，一使用者即可通过监控衬垫108量测监控衬垫108所输出的内部电压。如图1所示，电流源1022具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收第二电压V2 ;第一 P型金氧半晶体管1024具有一第一端，用以接收第一电压Vl，一第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶体管104的第二端，其中第一 P型金氧半晶体管1024的第三端作为放大器102的输出端；第二 P型金氧半晶体管1026具有一第一端，用以接收第一电压VI，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶体管1024的第二端，以及一第三端，耦接第二 P型金氧半晶体管1026的第 二端；第一 N型金氧半晶体管10281-1028M中的每一第一 N型金氧半晶体管具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶体管1024的第三端，一第二端，作为放大器102的M个第一输入端中的一第一输入端,用以接收一内部电压，以及一第三端,I禹接电流源1022的第一端。例如，第一 N型金氧半晶体管10281具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶体管1024的第三端，一第二端，作为放大器102的M个第一输入端中的一第一输入端，用以接收一内部电压VINT1，以及一第三端，耦接电流源1022的第一端，其中内部电压VINTl经过处理而介于第一电压Vl与第二电压V2之间。第二 N型金氧半晶体管1030具有一第一端，耦接第二 P型金氧半晶体管1026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半晶体管104的第三端，用以作为放大器102的第二输入端，以及一第三端，耦接电流源1022的第一端。如图1所示，多输入低压降稳压器100另包含一第二金氧半晶体管110和一或门112，其中第二金氧半晶体管110是一 P型金氧半晶体管。第二金氧半晶体管110具有一第一端，用以接收第一电压VI，一第二端，耦接电流源1022的控制端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶体管104的第二端；或门112具有M个致能输入端，以及一输出端，耦接第二金氧半晶体管110的第二端，其中M个致能输入端中的每一致能输入端用以接收一相对应的内部致能信号。如图1所示，当或门112的M个致能输入端所接收的内部致能信号都为低电位时，或门112的输出端的电位是一低电位，导致第二金氧半晶体管110开启，电流源1022关闭，且一节点A的电位等于第一电压Vl (高电位)。因为节点A的电位等于第一电压VI，所以第一金氧半晶体管104关闭；因为电流源1022关闭，所以放大器102禁能。如此，因为第一金氧半晶体管104关闭且放大器102禁能，所以监控衬垫108的电位是浮动的(floating)。亦即监控衬垫108不会输出内部电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多输入低压降稳压器，其特征在于，包含：一放大器，具有多个第一输入端、一第二输入端，以及一输出端，其中该多个第一输入端中的每一第一输入端用以接收一内部电压；一第一金氧半晶体管，具有一第一端，用以接收一第一电压，一第二端，耦接该放大器的输出端，以及一第三端，耦接该放大器的第二输入端；及一电阻，具有一第一端，耦接于该第一金氧半晶体管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二电压；其中该第一金氧半晶体管的第三端另用以耦接于一监控衬垫，且该监控衬垫用以输出该内部电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张延安，张益豪，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：