本发明提供了一种用于校准喷墨打印喷嘴的喷墨打印喷嘴校准系统和方法。该系统可包括适于响应起始脉冲电压将墨水分配到基板上的喷墨打印喷嘴、适于照明所分配墨水的光源、适于测量经过所分配墨水的透光率的成像系统，以及适于基于所测得的透光率控制性地调...

本发明是提供清洁喷墨印刷头的喷嘴板的方法及设备。第一方法包括将清洁媒介置于相邻于喷墨印刷头处，决定压力滚筒施用清洁媒介的压力，将具有该决定压力的压力滚筒与清洁媒介与接触，及相对于喷墨印刷头移动清洁媒介以清洁喷墨印刷头。此方法亦包含在压力...

本发明提供用于清洁喷墨打印头的喷嘴板的方法和装置。第一方法包括：放置清洁介质靠近该喷墨打印头；确定气囊的压力以将其施加到清洁介质上；使清洁介质以所确定的压力与所述气囊接触；以及相对于喷墨打印头移动清洁介质，从而清洁喷墨打印头。该方法还包...

本发明提供使用于基板机器人的一末端受动器的若干具体实施例。在一具体实施例中该末端受动器组件包含一腕部、以及连结至该腕部的具有间隔分离关系的一第一和一第二末端受动器。该第一末端受动器含有连结至该腕部的一基座以及一末梢其连结至位在该腕部相反...

一种研磨系统（２０），可具有一转动平台（２４）；一固定于平台上的研磨垫（３０）；一固定基材使其正面朝下对着研磨垫的载具头（１０）；以及一漩涡电流监测系统，该漩涡电流监测系统包括至少部分通过研磨垫的一线圈或一强磁体。一研磨垫，具有一研磨层...

本发明是关于一种研磨垫，其具有一研磨层及一固定于该研磨层的背衬层。该研磨层具有一研磨表面、一第一厚度、一第一压缩度、一萧氏硬度Ｄ介约４０至８０的硬度。该背衬层具有一等于或小于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一...

本发明涉及智能调整器润湿站，提供一种用于监控研磨衬垫调整机构的方法及设备。于一实施例中，半导体基材研磨系统包括一润湿站、一研磨表面、一调整件以及一调整机构。该调整机构可选择性将调整件定位于研磨表面及润湿站上方。并提供至少一感应器且其经配...

本发明各所述态样大致提供一种利用电化学沉积技术研磨一基板的方法及设备。在一态样里，用以研磨一基板的设备包含一反向电极以及位于一基板与该反向电极间的垫件。该反向电极及／或该垫件各者包含数个电性隔离的区域。一电性连接器个别地耦接于每一导体元...

本发明公开一种用于电化学机械工艺的固定环。该固定环具有一通常为环状的主体，其由一导电部分和一非导电部分形成。该非导电部分在研磨期间接触该基板。该导电部分在研磨期间经电性偏压以减少在公知电化学机械工艺系统中倾向于产生的边缘效应。

本发明是关于一种研磨垫，其具有一研磨层及一固定于该研磨层的背衬层。该研磨层具有一研磨表面、一第一厚度、一第一压缩度、一萧氏硬度Ｄ介约４０至８０的硬度。该背衬层具有一等于或小于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

于本发明第一实施态样中，是提供一基材载件，其包含一外壳，其可密封且可屏蔽至少一基材。该基材载件包括一通至该外壳的第一端口，且其适于在基材载件关闭时使气体流入该外壳。本发明亦提供其它多种实施态样。

本发明公开了一种热处理系统（１０），该热处理系统包括以激光器波长发射光的激光阵列（３４），衬底支撑，设置在所述源和所述衬底支撑之间并且利用激光辐射源发射的光在衬底的衬底平面上形成直线光束的光学片（４８、５２、６２、６４、６６、７０），以...

本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层（例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层）的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有ＲＦ功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面...

本发明提供用于清洁一基板的方法、设备及系统，其包括一控制器及一耦接至该控制器的喷嘴。该控制器适于指挥该喷嘴以在基板上分配一均匀流体喷雾图案。该控制器适于通过调整该喷嘴的至少一个操作参数的方式来形成该均匀流体喷雾图案，以使一预定百分比的微...

本发明涉及形成于一反应腔构件上的制程淀积物的清洗方法。该清洗方法是机械性地钻挖该构件的气孔，以清洁其内部的淀积物。随后，使该构件的一陶瓷部位暴露至一酸性溶液，例如由氢氟酸与硝酸所构成的溶液。可于该酸清洗步骤后重复这些气孔的机械性钻挖步骤...

揭示了一种对基板（２３１）进行热处理的装置（２００）和方法，该装置包括：被置于腔室（２３０）之内的ＵＶ辐射源（２２２）；以及被置于腔室（２３０）之外的红外线源（２０８），用于提供热能、活化电子、或在腔室（２３０）内产生活化物质。

一种从半导体制造过程产生的排出气流中去除至少一种酸或氢化物气体组分或其副产物的设备和方法，该设备包含对酸或氢化物气体组分具有高容量吸附亲和力的第一吸附剂床材料，对所述气体组分具有高捕获速率吸附亲和力的第二吸附剂床材料，和将过程与各吸附剂...

本发明提供了一种衬底处理装置，该衬底处理装置包括工艺腔室和废气处理装置，该废气处理装置包括氢化反应器、洗涤器、燃烧室和操作工艺腔室和废气处理装置的控制器。在所述氢化反应器中，含氢气体用于处理腔室废气以形成包含氯化氢气体的氢化废气。洗涤器...

根据本发明的第一态样，提供一第一弱减设备。第一弱减设备包括（１）一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流、（２）一第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流、以及（３）一催化单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流。本发明尚...