基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说是有关于基材的化学机械研磨。技术背景一集成电路通常是藉由在硅晶片上的一系列的导体、半导体、或绝缘 层的沉积而形成在一基材上。 一制造步骤包含在一非平坦表面上沉积一填 充层并平坦化该填充层。对于某些应用而言，会持续平坦化该填充层直到 一图案化层的上表面暴露出为止。 一导电填充层，例如，可沉积在一图案 化绝缘层上以填充该绝缘层的沟槽或孔洞。在平坦化的后，余留在该凸起 的绝缘层图案间的导电层部分形成介层洞、栓塞孔、及联机，其在该基材 上的薄膜电路间提供信道。就其它应用而言，例如氧化物研磨，平坦化该 填充层直到在该非平坦表面上剩下一预定厚度为止。此外，微影通常必定 要平坦化该基材表面。化学机械研磨(CMP)是一种公认的平坦化方法。此平坦化方法一般需 要将该基材设置在一载具或研磨头上。该基材的暴露表面通常相对一旋转 盘或带状研磨垫设置。该研磨垫可以是标准研磨垫或固定磨粒研磨垫。一 标准研磨垫拥有长效的粗糙表面，而固定磨粒研磨垫则拥有保持在一容纳 媒介内的研磨微粒。该载具头在该基材上提供可控制的负载，以将其推向 该研磨垫。通常供应一研浆至该研磨垫表面。该研浆包含至少一种化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机执行方法，其至少包含：　　　　选择一参考光谱，该参考光谱是从位于一第一基材上并且厚度大于一目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，该参考光谱是依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到该目标厚度；　　　　取得一现时光谱，该现时光谱是从位于一第二基材上并且现时厚度大于该目标厚度的感兴趣的薄膜反射回来的白光光谱，使在该第二基材上的感兴趣的薄膜经受一研磨步骤；以及　　　　为该第二基材判定是否已达到该研磨步骤的终点，该判定是基于该参考光谱及该现时光谱。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DJ本韦格努，JD戴维，B斯韦德克，HQ李，L卡鲁皮亚，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]