用于弱减废气的方法及设备技术

根据本发明专利技术的第一态样，提供一第一弱减设备。第一弱减设备包括（１）一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流、（２）一第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流、以及（３）一催化单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流。本发明专利技术尚提供许多其它态样。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般是关于半导体组件的制造，且特别是关于弱减(abating) 半导体组件制造设备的方法及设备。
技术介绍
氟碳化合物、氯氟碳化合物、碳氢化合物及其它含氟气体常用于制程 室中制造主动与被动电子电路，或者在此制造过程中，常会产生此类的副 产物。这些气体会毒害人类与环境。此外，其也可能会吸收大量红外线， 而导致全球暖化。特别是氟化的化合物或全氟化物(PFCs)影响甚钜，其为 长久稳定的化合物，通常可存在数千年之久。PFC的例子有四氟化碳(CF4)、 六氟化乙烷(C2Fe)、全氟环丁烷(C4Fs)、 二氟甲烷(CH2F2)、全氟环丁烷 (C4F6)、全氟丙烷(C3Fs)、三氟曱烷(CHF3)、六氟化硫(SFs)、三氟化氮(NFs)、 与氟化碳醯(C0F2)等。另一有毒气体为分子氟(F2)。长期暴露在F2浓度1 ppm的微量下都会 遭到毒害，并且F2很难再分解或减弱为无毒的型态。从前，含氟物质是经 由够高的烟自排放出去，如此排放物下降至地面时，空气中的F2浓度就可 低于管制值。然而，此法由环境观点看来并不理想，亦因生成F2的含氟气 体制程空间会受限于烟囱高度，而不利于生产制造。故需要可减少排出物 中有毒气体量的设备与方法，尤其是减少制程室释出的含F2的排放物。
技术实现思路
根据本专利技术的第一态样，提供一第一弱减设备。第一弱减设备包括(1) 一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流、(2)—第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流、以及(3)—催化单元，适用于接收第 一 水洗涤单元的流出物流。根据本专利技术的第二态样，提供一第二弱减设备。第二弱减设备包括(1) 一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流与弱减此流出物流、(2)—第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流与洗涤此流出 物流、(3)—第二水洗涤单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流与洗 涤此流出物流、(4)一催化单元，适用于接收第二水洗涤单元的流出物流与 弱减此流出物流、(5)—第三水洗涤单元，适用于接收催化单元的流出物流 与洗涤此流出物流、以及(6)—第四水洗涤单元，适用于接收第三水洗涤单 元的流出物流与洗涤Jt流出物流。根据本专利技术的第三态样，提供 一 弱减半导体组件制造系统中废气流的 方法。方法包括(1)接收废气流、(2)在一氧化室中弱减此废气流、(3)于氧 化室中弱减废气流后，洗涤此废气流、(4)在一催化室中弱减此废气流、以 及(5)于催化室中弱减废气流后，洗涤此废气流。根据本专利技术的第四态样，提供一形成弱减系统的方法。方法包括(1)提 供一具一氧化室与至少一洗涤器的第一弱减系统、(2)提供一具一催化室与 至少一洗涤器的第二弱减系统、以及(3)装配第一与第二弱减系统，以形成 一单一弱减单元，其中一废物流先于第一弱减系统中进行弱减处理，再于 第二弱减系统中进行弱减处理。本专利技术还提供许多其它态样。本专利技术的其它特征和态样在参照下述说明、申请专利范围与所附图式 后，将变得更明显易懂。附图说明图1为本专利技术第一实施例的处理系统的示意图。 图2为本专利技术图1中弱减系统的第一实施例的示意图。 图3为本专利技术图2中弱减系统的侧视图，其已移开催化系统，故可接 近氧化系统中后氧化洗涤器的侧边以供维修。图4为本专利技术图1中弱减系统的第二实施例的示意图。图5为本专利技术图4中弱减系统的另一实施例的示意图。 图6为本专利技术中用于加热催化床的第一装置的示意图。 图7为本专利技术中用于加热催化床的第二装置的示意图。 图8为本专利技术中用于加热催化床的第三装置的示意图。 图9为本专利技术中用于加热催化床的第四装置的示意图。 图10为本专利技术一实施例的交叉热交换器的示意图，其可做为第4、 5 图中催化系统的热交换器及/或氧化系统的热交换器。主要组件符号说明■处理系统102处理工具104弱减系统106排放装置108氧化室110后氧化洗涤器112催化室114后催化洗涤器204弱减系统206氧化系统208催化系统302侧边304轮子306、308 箭头404(弱减)系统406氧化系统408催化系统410氧化室412、414 洗涤器416催化室418第一导管420加热器422热交换器424洗涤器426第二导管428洗涤器430风箱432污水槽434、436、 438 排水管线440泵442冷却区444循环泵446循环水管线448热交换器450反应器452入口组件454外壁456内壁458力口热组件460中央流道462入口464横向区466污水区468阻障物470柱状区段472填料474洒水喷嘴476蒸气释出口478传感器480填料482洒水喷嘴483管线484、486 导管488流体管线490、492 管线494蒸发单元495催化表面496、498 喷嘴497、499 填料504弱减系统506热交换器508洗涤器600第一装置602热交换器604反应管606箭头608、608'弱减床610内管612排放管614界面616冷却器618废物管620反应加热器622绝缘装置624废物流加热器626电源供应器700第二装置800第三装置802外管900第四装置902输送管1000热交换器1002第一入口湖6第二入口1004第一组流道1008第二组流道1010隔热材料C控制器箭头具体实施方式本专利技术提出用于弱减半导体组件制造设备的方法与设备。例如，本专利技术可用来弱减全氟化物(PFCs)、有害空气污染物(HAPs)、挥发性有机化合生的类似物质，其中半导体组件制造设备是例如与等离子辅助化学气相沉 积(PECVD)、低介电系数或高介电系数的材料沉积、高密度等离子化学气 相沉积(HDPCVD)、次大气压化学气相沉积(SACVD)、低压化学气相沉积 (LPCVD)、金属化学气相沉积(MCVD)、蚀刻、外延成长、快速热处理(RTP)、 离子植入等相关的制程及/或制程室。在一实施例中，本专利技术可用来弱减于 洁净CVD制程室时所产生的PFC。才艮据本专利技术一或多个实施例，可结合电氧化(electric oxidation)、热催 化与水洗涤(water scrubbing)技术来改善弱减效果。此结合技术对几乎 所有的半导体气态副产物(包括PFCs、 HAPs、 VOCs)的弱减率可达99%。本专利技术的实施例可修改并应用到现有产品，如控制分解与氧化(CDO) 系统，其可/人美国力口州圣^^西市的美呈牙牛一支(Metron Technology)的Ecosys 部门取得。例如，CDO系统可结合一热弱减系统，如从爱尔兰都柏林的 Guild Associates耳又4寻的Trinity系统。因弱减处理是使用水与电，故不需使用如曱烷或氢气等可燃或易燃的 燃料。本专利技术的实施例将配合图1至10描述于下。图1为根据本专利技术的第一实施例的处理系统100的示意图。参照图1, 处理系统100包括一或多个连接于一弱减系统104的处理工具102。弱减 系统104则连接于一排放装置106,如排气房(house exhaust)。一或多个处理工具102可包括例如一或多个蚀刻室、沉积室、或其它 用于半导体组件制造的制程室。弱减系统104可用来弱减一单一制程室或 工具、或多个制程室或工具。如图1所示，弱减系统104包括一连接于一或多个处理工具1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弱减设备，其至少包含：　　　　氧化单元，其适用以接收来自半导体组件制程室的流出物流；　　　　第一水洗涤单元，其适用以接收来自该氧化单元的该流出物流；以及　　　　催化单元，其适用以接收来自该第一水洗涤单元的该流出物流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S罗克斯，B金斯顿，M库里，D克拉克，R福美伦，B菲利普，M霍斯特，S苏，K林，M迈金托什，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]