【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在化学机械研磨时，监测金属层的方法和设备。
技术介绍
典型的集成电路是通过在硅晶圆基材上连续淀积导体层、半导体层或绝缘层来制备。其制造步骤包括淀积填料层在非平坦面上，然后使该填料层平坦化直到该非平坦面暴露出来为止。例如，导体填料层可被淀积到图案化的绝缘层上，来填满绝缘层的凹陷处或坑洞。然后磨光该填料层，直到绝缘层的凸起图案暴露出来为止。在平坦化之后，可于残存在绝缘层的凸起图案之间的部分导体层中形成贯穿孔、拴塞和配线，以在基材的薄膜线路之间提供一些传导路径。此外，微影制程期间，也需要平坦化制程来磨光基材表面。化学机械研磨(CMP)是可行的平坦化方法。典型的该平坦化方法需要将基材放置在载具或研磨头(polishing head)上。该基材暴露的表面正面朝下，正对着转动研磨圆形垫或带状垫。研磨垫可以是「标准的」，或者是有研磨剂固定其上。标准的研磨垫具有长久粗糙的表面，而有研磨剂固定其上的研磨垫则在中间的容器内有研磨粒子。载具头提供一向下推进的系统，使基材能推送到研磨垫上。研磨研浆被运送到研磨垫的表面，该研磨研浆至少包括一种化学活性剂，如果使用标准的研磨...
【技术保护点】
一种研磨垫，包括： 一研磨层，其系具有一研磨表面；以及 至少下列之一 一位于该研磨层里的固体透明窗，该透明窗具有一大体上与研磨表面齐平的上表面；以及至少有一凹槽形成于其中的一底部表面， 一诱导线圈，固定于研磨层上，或 一强磁体，固定于该研磨层上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：曼伍却尔拜蓝，柏格斯劳A史威克，金景哲，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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