将一种软附垫用于化学机械抛光的方法技术

一种对晶片表面修整的方法，其特征在于，所述方法包括：　　　　提供包含第一三维固定研磨元件和一般与第一固定研磨元件共同延伸的第一附垫的第一磨具；　　　　使所述第一三维固定研磨元件的表面与晶片表面接触；　　　　使所述第一磨具与晶片作相对运动；　　　　提供包含第二三维固定研磨元件和一般与第二固定研磨元件共同延伸的第二附垫的第二磨具；　　　　使所述第二三维固定研磨元件的表面与所述晶片表面接触；　　　　使所述第二磨具与晶片作相对运动；　　　　从１ｋｇ重物边缘１．５ｃｍ的位置测量时，第一附垫的下陷小于第二附垫的下陷，该重物有直径１．９ｃｍ的接触面积。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磨具和使用所述磨具的方法。
技术介绍
半导体晶片有个半导体基片。半导体基片可用任何适当的材料，例如单晶硅、单晶砷化镓和本领域中已知的其它单晶半导体材料制造。在半导体基片表面上有个介电层。此介电层一般包含二氧化硅，然而，其它合适材料的介电层在本领域中也是可以用的。在介电层的正面有大量不连续的金属互连部分(例如金属导体块)。每个金属互连部分可以是由例如铝、铜、铝铜合金、钨等组成。这些金属互连部分的制备一般是先在介电层上沉积连续的金属层。然后对其进行蚀刻，除去多余的金属形成所需的金属互连部分图案。然后在每个金属互连部分上，金属互连部分之间和介电层表面上施加绝缘层。绝缘层一般为金属氧化物，如二氧化硅、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)，PSG(磷硅酸盐玻璃)或其复合体。得到的绝缘层的正面往往可能达不到所需的“平面度”和/或“均匀度”。在用光刻法加上任何额外的电路层之前，要求处理绝缘层的正面，达到所需程度的“平面度”和/或“均匀度”；该具体程度取决于许多因素，包括晶片的种类和晶片的用途，还有对晶片的所有后续处理步骤的特性。为了简化起见，在本申请的剩余部分，本方法将称为“平面化”。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·加利亚尔迪，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：