本发明涉及传感器封装及其制造方法。公开了一种传感器封装和用于制造传感器封装的方法。实施例包括传感器和导电线，其中传感器接近导电线布置。传感器和导电线被隔离并且至少部分被密封。软磁体被布置在密封件中、密封件上和/或密封件周围，其中软磁体包...

一种用于为计算单元生成指令序列的方法。该计算单元能由至少包括该指令序列的程序来控制，其中，在程序运行期间基于已执行的指令来计算签名值并且与参考值进行比较。该方法包括：为目标签名确定目标签名值；为通向程序点的程序段确定初始指令序列，其中从...

本发明的实施例提供了一种轮单元、在车辆上定位多个轮的中央单元、系统和方法，其中轮单元构造成当轮单元连接至轮时，在围绕转动轴线转动的该轮的预定转动位置发射发射信号。

本实用新型提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括耦接至一衬底的半导体芯片以及耦接至所述衬底的基板。所述基板包括第一金属层，所述第一金属层包覆至第二金属层。所述第二金属层被变形以提供管脚鳍片或鳍片式冷却结构。根据本实用新型的技术方案，可...

本发明公开了检测和消除由邻近相同扰码引起的潜在性能降低。本发明的一个实施例涉及一种检测由邻近相同扰码引起的潜在性能降低的方法。所述方法包括：在用户设备处，在来自不同小区的接收的信号中检测相同扰码的存在；以及基于所述检测，在接收的信号的处...

本发明涉及数据转换器电路和方法。在实施方式中，过采样数据转换器包括低通滤波器，所述低通滤波器具有包括动态限幅器的滤波级，其中，动态限幅器具有由在过采样数据转换器的输入端的信号水平设定的限度。过采样数据转换器还包括量化模块，所述量化模块包...

本发明公开了宽带多赫蒂放大器电路。一种放大器电路包括：信号求和节点；第一放大器，其被配置成操作在第一模式；阻抗逆变器；第二放大器，其被配置成操作在第二模式；以及宽带阻抗变换器。所述阻抗逆变器将所述第一放大器的输出耦合到所述信号求和节点。...

本发明涉及微机械数字扬声器。一种数字扬声器包括：基板，关于基板固定的第一定片，关于基板固定且与第一定片分隔一定距离的第二定片，以及在第一定片和第二定片之间的薄膜。薄膜在其中薄膜与第一定片机械接触的第一位置和其中薄膜与第二定片机械接触的第...

本发明涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT，它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。

本发明提供了一种DC-DC变换器的模式控制电路。设备和技术的代表性实施方式确定dc-dc变换器何时从第一工作模式向第二工作模式切换。基于表示电流波形的一部分的时间间隔进行确定，该时间间隔是测量出的并与阈值进行比较。

本发明涉及包括用于补偿寄生电感的电路的半导体装置。一种半导体装置包括第一晶体管、与第一晶体管并联耦合的第二晶体管、以及第一晶体管的发射极和第二晶体管的发射极之间的第一寄生电感。该半导体装置包括：第一电路，被配置为基于公共驱动器信号向第一...

本发明涉及控制在源与负载之间的电流。公开了一种用于控制在能量源与负载之间的电流的方法。切换模块耦合于能量源与负载之间。切换模块包括耦合到能量源的两个输入端子和耦合到负载的两个输出端子以及在输入端子之一与输出端子之一之间耦合的至少一个半导...

本发明涉及包括底座的半导体器件。一种半导体装置包括半导体芯片和耦接到半导体芯片的底座。该底座包括上部分和下部分。上部分具有与下部分的侧壁相交的底表面。该半导体装置包括耦接到底座的冷却元件。冷却元件具有与底座的上部分的底表面直接接触的第一...

一种用于制造具有侧壁绝缘的半导体模块的方法，具有以下特征：提供半导体本体，其具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧；产生至少一个至少部分填充绝缘材料的第一沟槽，其从第一侧出发朝向第二侧的方向伸入到半导体本体中，其中，至少一个第一沟槽在用于...

本发明涉及容错触发器。其中，本发明的一个实施方式涉及具有能够容许单个易失性软错误和永久错误的低硬件开销的容错存储器电路。在一个实施方式中，方法和设备包括具有多个存储器元件对的存储器电路，各个存储器元件对具有配置为存储数据单元的两个存储器...

本发明的一些实施方式涉及动态焊盘硬件控制器，它由监测IC引脚操作状态的智能硬件模块触发。然后该硬件模块根据IC引脚的操作状态提供控制信号至多路复用器控制块，该多路复用器控制块为IC引脚选择多个不同配置中的一个。由于控制信号由硬件模块提供...

本发明涉及具有数字输出的准确且成本高效的线性霍尔传感器。本发明的一个实施例涉及具有被配置为生成与所施加磁场成比例的数字信号的磁场传感器器件的磁性传感器电路。模拟到数字转换器将模拟信号转换成数字信号，该数字信号被提供给被配置为数字地跟踪模...

本发明涉及一种磁场传感器。该磁场传感器包括：磁场发生器，除测量磁场之外生成辅助磁场，其中，测量磁场指示可旋转元件的角度或旋转；至少一个XMR元件，生成XMR检测信号；以及计算单元，基于XMR检测信号和辅助磁场确定角度或旋转特性。

本发明涉及电介质层的预灾变、应力诱导漏电流情况的检测。本发明公开的技术对电介质层施加应力直到检测到预灾变、应力诱导漏电流(SILC)情况。当检测到预灾变SILC情况时，应力被移除以防止电介质及其关联器件的灾变性故障。因为这些技术防止电介...

本发明涉及用于可释放地容纳半导体芯片的器件。公开了一种用于可释放地容纳单片化半导体芯片的器件，所述半导体芯片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。所述器件包括支持结构。至少一个弹性元件被设置在所述支持结构上。电接触元件被设置在所...