具有MOSFET和IGBT的电路布置制造技术

技术编号:7788809 阅读:220 留言:0更新日期:2012-09-21 22:50
本发明专利技术涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT,它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种用于开关电压源和电负载之间的电流、特别地用于开关高电流的电路布置。
技术介绍
在许多应用中,比如在具有转换器控制的电 动机(负载)的驱动系中,需要由开关控制诸如蓄电池或电池的能量源和负载之间的电流。该类型的开关通常被称为主开关或者主开关模块。公知的是,将主开关模块实施为继电器,其是电磁操作的机械开关。对于主开关模块,特别是在应用于功率电路中时,存在一些要求(a)在正常操作条件下时,即使在高电流下,仍期望主开关模块提供低损耗操作;(b)主开关模块必须允许安全的电流中断,即安全的过载断开或者短路断开。不论继电器应用于低功率应用还是高功率应用,继电器具有若干缺陷。作为电磁开关,继电器包括具有固有惯性的移动部分。该固有惯性引起在将开关命令施加到继电器时的时间和在继电器实际开关时的时间之间的延迟。当在负载中出现短路时,在检测到短路并且生成开关命令时的时刻和在继电器开关时的时刻之间的延迟时间期间可能出现短路电流的显著增加。然而,存在其中短路电流的延迟中断可能是有害的应用。此外,当继电器断开时可能生成电弧。因此,需要采取额外的措施以便使继电器是电弧安全的。然而,这些额外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.15 US 13/0484711.一种电路,包括 输入端子和输出端子; 至少ー个FET,具有栅极端子和漏极-源极路径,所述漏极-源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间; 至少ー个IGBT,具有栅极端子和集电极-发射极路径,所述集电扱-发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间; 限压电路,耦合到所述至少ー个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极-发射极路径的电压达到阈值电压时将所述至少ー个IGBT驱动到接通状态;以及 控制电路,具有耦合到所述至少ー个FET的栅极端子的第一驱动输出。2.根据权利要求I所述的电路,进一歩包括 电阻器,耦合在所述输入端子和所述输出端子之间。3.根据权利要求2所述的电路,其中所述电阻器是PTC电阻器。4.根据权利要求I所述的电路,其中所述至少ー个FET具有电压阻挡能力,并且其中所述阈值电压在所述电压阻挡能力以下。5.根据权利要求I所述的电路,其中所述限压电路包括 至少ー个限压元件,连接在漏极端子和所述至少ー个IGBT的栅极端子之间。6.根据权利要求5所述的电路,其中所述限压电路是齐纳ニ极管。7.根据权利要求6所述的电路,其中多个齐纳ニ极管串联连接在所述漏极端子和所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员:G德博伊W勒斯勒
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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