一种IGBT去米勒效应装置，在门极驱动装置中加入一个开关管对门极电压进行钳位，快速的将米勒效应产生的电压进行抑制。并且不用增加IGBT的开通和关断损耗，减少IGBT驱动装置的输出功率。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。本实用新型专利技术整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大功率IGBT驱动装置，尤其涉及一种IGBT去米勒效应装置。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT常用驱动装置采用的保护措施，是使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G — E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对微秒的尖峰电压进行吸收，即在高频进行时吸收速度跟不上。在G — E间 加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断时电容都在起作用，使IGBT的开通和关断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动装置的功耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有技术的不足之处，提供一种IGBT去米勒效应装置，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。大功率IGBT在设备出现外部故障或比较大的电流，在关断时会产生米勒效应，致使门极电压升高，如果驱动装置没有相应的保护会使IGBT不能有效关断或门极电压高于要求的极限值而损坏。为了解决上述技术问题，本专利技术所述一种IGBT去米勒效应装置，在门极驱动装置中加入一个开关管对门极电压进行钳位，快速的将米勒效应产生的电压进行抑制。并且不用增加IGBT的开通和关断损耗，减少IGBT驱动装置的输出功率。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G — E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E门加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断是电容都在起作用，使IGBT的开通和判断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动装置的功耗。本专利技术所述一种IGBT去米勒效应装置，整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。使用本专利技术所述的一种IGBT去米勒效应装置，可以防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏的问题。附图说明附图I是本专利技术所述一种IGBT去米勒效应装置的结构图。具体实施方式现参照附图1，结合实施例说明如下大功率IGBT在设备出现外部故障或比较大的电流，在关断时会产生米勒效应，致使门极电压升高，如果驱动装置没有相应的保护会使IGBT不能有效关断或门极电压高于要求的极限值而损坏。为了解决上述技术问题，本专利技术所述一种IGBT去米勒效应装置，在门极驱动装置中加入一个开关管对门极电压进行钳位，快速的将米勒效应产生的电压进行抑制。并且不用增加IGBT的开通和关断损耗，减少IGBT驱动装置的输出功率。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G — E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E门加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断是电容都在起作用，使IG BT的开通和判断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动装置的功耗。在IGBT大电流关断时产生米勒效应，致使IGBT的GE间电压上升，由于关断是由驱动装置输出的驱动电压变低或者是负的电压，米勒电压加到GE上后电压会通过RON流到驱动电源中，这时由于RON中有电流流过，使RON两端产生电压差，当压差达到0. 5V左右时开关管就会导通，GE间的正向电压会通过开关管直接短接放掉。这样就把米勒效应电压消除，保护IGBT有效关断。在IGBT正常开通和关断时，开关管不会开通，对原有驱动装置没有影响。本专利技术所述一种IGBT去米勒效应装置，整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。使用本专利技术所述的一种IGBT去米勒效应装置，可以防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏的问题。权利要求1.ー种IGBT去米勒效应装置，其特征在于在G — E之间加ー小容量电容，以吸收电压的突变。专利摘要一种IGBT去米勒效应装置，在门极驱动装置中加入一个开关管对门极电压进行钳位，快速的将米勒效应产生的电压进行抑制。并且不用增加IGBT的开通和关断损耗，减少IGBT驱动装置的输出功率。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。本技术整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。文档编号H02H7/20GK202374234SQ20112049786公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月5日 优先权日2011年12月5日专利技术者刘文士 申请人:刘文士本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文士，
申请(专利权)人：刘文士，
类型：实用新型
国别省市：
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