本发明专利技术涉及用于可释放地容纳半导体芯片的器件。公开了一种用于可释放地容纳单片化半导体芯片的器件，所述半导体芯片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。所述器件包括支持结构。至少一个弹性元件被设置在所述支持结构上。电接触元件被设置在所述至少一个弹性元件上，并且被适配成接触所述半导体芯片的第一主表面。箔片被适配成设置在所述半导体芯片的第二主表面上方。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于可释放地容纳单片化半导体芯片的器件以及ー种用于测试单片化半导体芯片的方法。
技术介绍
在从半导体晶片中单片化半导体芯片之后，可以对每一个半导体芯片进行测试以便測量其质量和可靠性。所述测试可以包括老化(burn-in)测试，其中在测试包括在半导体芯片中的集成电路时将所述半导体芯片暴露于宽温度范围。此外，半导体芯片可以经受 速度和/或功能测试，以便检查集成电路的性能。在测试期间，还可以测试设置在半导体芯片上的接触衬垫的质量。附图说明附图被包括以便提供对实施例的进ー步理解并且被合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易认识到其他实施例以及实施例的许多预期优点，因为它们通过參照下面的详细描述而变得更好理解。附图当中的元件不一定是相对于彼此按比例绘制的。相同的附图标记指代对应的类似部件。图I示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构的器件的一个实施例的剖面 图2A-2C示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构以便产生真空用于暂时把半导体芯片固定就位的通道的器件的一个实施例的剖面图和平面 图3A-3B示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构以便产生真空从而对放置在半导体芯片上方的箔片施加力的多个通道的器件的一个实施例的剖面 图4A-4C示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构的多个通道的器件的一个实施例的平面 图5示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及所述支持结构中的多个开ロ的器件的一个实施例的平面 图6A-6I示意性地示出了支持结构和设置在所述支持结构上的弾性元件的实施例的平面 图7A-7D示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及连接到延伸穿过所述支持结构的通道的多个阀门的器件的一个实施例的平面 图8A-8E示意性地示出了用于可释放地容纳单片化小型半导体芯片的支持结构的制造方法的一个实施例； 图9示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的器件的一个实施例的剖面 图10A-10C示意性地示出了用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的实施例的平面 图11示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的単独平板的器件的一个实施例的剖面 图12示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片和两个箔片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的器件的一个实施例的剖面 图13示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片和两个箔片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的器件的一个实施例的剖面 图14示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的珀耳帖(Peltier)元件的器件的一个实施例的剖面图； 图15A-15C示意性地示出了用于冷却或加热半导体芯片的框架的实施例的剖面 图16A-16C示意性地示出了将被安装在用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构上的框架的一个实施例； 图17A-17C示意性地示出了将被安装在用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构上的框架的一个实施例； 图18A-18B示意性地示出了将被安装在用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构上的框架的一个实施例； 图19-22示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及放置在半导体芯片上方的箔片的器件的实施例的剖面图和平面 图23-24示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构、放置在半导体芯片上方的箔片以及放置在箔片上方的凝胶衬垫的器件的实施例的剖面图和平面 图25示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及放置在半导体芯片上方的铝箔片的器件的一个实施例的剖面图和平面 图26A-26E示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的、支持结构以及安装在所述支持结构上的载体的器件的制造方法的一个实施例的剖面图；以及 图27A-27B示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的允许接触半导体芯片背面的平板的器件的实施例的剖面图。具体实施例方式在下面的详细描述中參照形成本详细描述的一部分的附图，在所述附图中通过说明的方式示出了其中可以实践本专利技术的具体实施例。在这方面，參照所描述的附图的取向使用了诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等等的方向术语。由于实施例的组件可以被定位在若干种不同的取向中，因此所述方向术语被用于说明的目的而决不是进行限制。要理解的是，在不背离本专利技术的范围的情况下可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑的改变。因此，不要将下面的详细描述视为限制性意义，并且本专利技术的范围由所附权利要求书限定。要理解的是，除非具体另行声明，否则这里所描述的各个示例性实施例的特征可以彼此組合。如在本说明书中所采用的术语“耦合”和/或“电耦合”并不意味着意指所述元件必须直接耦合在一起；可以在“耦合”或“电耦合”的元件之间提供中间元件。下面描述暂时包含半导体芯片以便测试半导体芯片的器件。半导体芯片可以具有不同类型，可以通过不同技术制造，并且可以包括集成电路，例如集成的电气、电光或电机械电路或无源器件。所述集成电路例如可以被设计成逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、电カ集成电路、存储器电路或集成无源器件。此外，半导体芯片可以被配置成所谓的MEMS (微电机械系统)并且可以包括微机械结构，诸如桥接器、隔膜或舌结构。半导体芯片可以被配置成传 感器或致动器，例如压カ传感器、加速度传感器、旋转传感器、麦克风等等。半导体芯片可以被配置成天线和/或分立无源器件和/或芯片堆叠。在其中嵌入这样的功能元件的半导体芯片通常包含电子电路，其用于驱动所述功能元件或者进ー步处理由所述功能元件生成的信号。不需要从例如Si、SiC、SiGe、GaAs的具体半导体材料制造半导体芯片，并且此外，半导体芯片可以包含并非半导体的无机和/或有机材料，诸如例如分立无源器件、天线、绝缘体、塑料或金属。半导体芯片可以从半导体晶片来单片化。半导体芯片在它们被测试时可能并未包装，即所述半导体芯片可能是裸半导体芯片。半导体芯片可以具有接触衬垫(或者电极)，其允许与包括在半导体芯片中的集成电路进行电接触。可以为半导体芯片的接触衬垫施加一个或更多金属层。所述金属层可以被制造成具有任何所期望的几何形状以及任何所期望的材料组分。所述金属层例如可以具有覆盖某一区域的ー层的形式。例如铝、钛、金、银、铜、钯、钼、镍、铬或镍钒的任何所期望的金属或金属合金可以被用作所述材料。所述金属层不需要是均匀的或者从仅仅ー种材料制造，也就是说，包含在所述金属层中的材料的各种组分和浓度都是可能的。所述接触衬垫可以位于半导体芯片的活性主表面上或者位于半导体芯片的其他表面上。下面所描述的器件包括支持结构，其可以由陶瓷或硅材料本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.14 US 13/0471861.一种用于可释放地容纳单片化半导体芯片的器件，所述半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，所述器件包括 支持结构； 设置在所述支持结构上的至少一个弹性元件； 电接触元件，设置在所述至少一个弹性元件上并且被适配成接触所述半导体芯片的第一主表面；以及 被适配成设置在所述半导体芯片的第二主表面上方的箔片。<2.权利要求I的器件，其中，所述箔片被适配成可释放地附着到所述支持结构。3.权利要求I的器件，其中，所述箔片被附着到框架，并且所述框架被适配成可释放地附着到所述支持结构。4.权利要求I的器件，其中，所述电接触元件被设置成对应于设置在所述半导体芯片的第一主表面上的接触衬垫。5.权利要求I的器件，其中，所述至少一个弹性元件具有闭合曲线的形状。6.权利要求5的器件，其中，第一通道延伸穿过所述支持结构，所述第一通道连接到所述支持结构中的第一开口，所述第一开口位于所述至少一个弹性元件的闭合曲线内。7.权利要求5的器件，其中，第二通道延伸穿过所述支持结构，所述第二通道连接到所述支持结构中的第二开口，所述第二开口位于所述至少一个弹性元件的闭合曲线之外。8.权利要求I的器件，还包括设置在所述支持结构上的弹性壁面，所述弹性壁面具有闭合曲线的形状并且围绕所述至少一个弹性元件。9.权利要求8的器件，其中，所述支持结构中的第二开口位于所述弹性壁面的闭合曲线内。10.权利要求8的器件，其中，第三通道延伸穿过所述支持结构，所述第三通道连接到所述支持结构中的第三开口，所述第三开口位于所述弹性壁面的闭合曲线之外。11.权利要求I的器件，还包括被适配成直接设置在所述半导体芯片的第二主表面上方的平板。12.权利要求11的器件，还包括被适配成直接设置在所述箔片上方的另外平板。13.权利要求I的器件，其中，所述箔片是柔性的。14.权利要求I的器件，其中，所述箔片是刚性的并且具有预先定形的凹陷。15.权利要求I的器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：P奥西米茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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