英飞凌科技股份有限公司专利技术

英飞凌科技股份有限公司共有4164项专利

  • 本发明涉及用于驱动电子开关的方法和电路。其中,一种电子电路包括具有接收驱动信号的控制端子以及第一负载端子与第二负载端子之间的负载路径的晶体管。电压保护电路耦接至晶体管,具有控制输入端,并被配置为根据在控制输入端接收的控制信号采取激活状态...
  • 本发明涉及具有定阻抗型多工器的宽带多赫蒂放大器电路。一种三路宽带多赫蒂放大器电路包括可操作为在第一功率电平打开的第一峰值放大器,可操作为在低于第一功率电平的第二功率电平打开的第二峰值放大器,以及可操作为在所有功率电平打开的主功率放大器。...
  • 本发明涉及DC去耦电流测量。公开了一种用于测量经由负载晶体管的第一负载端子被提供至负载的负载电流的电路装置。根据本发明的一个示例,电路装置包括耦合至负载晶体管的感测晶体管,以提供表示感测晶体管的第一负载端子处的负载电流的感测电流。负载和...
  • 半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,一种制造半导体器件的方法,包括:氧化衬底,以形成局部氧化物区域,其延伸到衬底的顶表面上方。在局部氧化物区域和衬底顶表面上形成膜层。移除膜层下面的部分衬底。移除膜层下面的局部氧化物区域。
  • 本发明涉及包含具有基本正方形面的磁体的角度测量系统。为了使得磁场线更加直并且彼此更加平行,本公开利用在其中具有通孔的基本正方形磁体。将了解的是,“基本正方形”磁体包括精确正方形的磁体以及近似正方形(例如,具有圆角或者其它与正方形的微小偏...
  • 焊料合金及布置。提供一种焊料合金,该焊料合金包括锌、铝、镁和镓,其中铝组成合金重量的8%至20%,镁组成合金重量的0.5%至20%,镓组成合金重量的0.5%至20%,合金的其余部分包括锌。
  • 本发明公开了板、换能器以及用于制造和操作换能器的方法。板、换能器、用于制造换能器的方法、以及用于操作换能器的方法被公开。一个实施例包括一种板,所述板包括:包括第一应力的第一材料层;布置在第一材料层下面的第二材料层,第二材料层包括第二应力...
  • 一种麦克风设备,包括:具有音孔的壳体、具有第一灵敏度的第一输入音频换能器和具有第二灵敏度的第二输入音频换能器。在此麦克风设备中,第一和第二输入音频换能器被布置在壳体中,使得第一输入音频换能器与音孔在声学上直接耦合,并使得第二输入音频换能...
  • 具有可控补偿区的晶体管
    本发明提供了一种具有可控补偿区的晶体管,其包括至少一个晶体管单元,该晶体管单元包括:半导体本体中的源区、漏区、本体区以及漂移区,其中,本体区被配置在源区和漏区之间,并且漂移区被配置在本体区和漏区之间。该晶体管单元还包括:补偿区,被配置在...
  • 本发明涉及半导体模块系统、半导体模块及制造半导体模块的方法。一种半导体模块系统,包括:衬底、至少一个半导体芯片、以及至少两个导电性第一连接元件。衬底具有底侧和在垂直方向上与底侧间隔开的顶侧。至少一个半导体芯片设置在顶侧上。第一连接元件中...
  • 本发明涉及制造半导体器件的方法,其一个实施方式包括:在载体上配置晶片,该晶片包括单独的芯片;将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。
  • 本公开的一些实施方式涉及用于半导体存储器的改良的可靠性验证技术。并非仅通过判定存储单元在正常的读/写条件下是否准确存储“1”或“0”来执行BIST测试,本发明的各方面涉及测试单元的读和/或写裕量的BIST测试。在BIST测试期间,读和/...
  • 本发明涉及具有PFC和DC/DC转换器的AC/DC转换器。公开了一种包括功率因数校正器和DC/DC转换器的功率转换器以及一种功率转换方法。
  • 公开了一种模块和制造模块的方法。模块的实施例包含第一半导体器件、布置在第一半导体器件上的框架以及布置在框架上的第二半导体器件,框架包含腔,其中第二半导体器件密封腔。
  • 本发明涉及具有复制偏置方案的电流感测放大器。本公开的一些实施例涉及一种感测放大器架构,其便于快速且准确的读取操作。该感测放大器架构包括用于其第一感测放大器级的折叠共源共栅放大器以及用于建立感测放大器的感测线和参考感测线的预充电条件的预充...
  • 本发明涉及用于生成校验和的装置。一种装置为具有某一数目的有效载荷符号的有效载荷生成校验和。该装置包括用于对有效载荷编码的编码器。编码器被配置成组合当前有效载荷符号与先前编码符号或者初始化符号以获得组合的符号并且使用映射规则来映射组合的符...
  • 本发明涉及功率半导体模块。功率半导体模块(100)具有导电的连接元件(11a)以及容纳区域(80)、以及夹紧元件(81),该夹紧元件可以从第一位置被带入第二位置。只要该夹紧元件(81)处于第一位置,则模块外部的连接导体(200)的连接区...
  • 本发明提供了一种半导体部件和制造半导体部件的方法。在各个实施方式中,半导体部件可以包括具有正面和背面的半导体层;至少部分形成在半导体层内的至少一个电子元件;形成在半导体层内并从半导体层的正面引向背面的至少一个通孔;设置在半导体层的正面上...
  • 本发明涉及用于在基板上制造金属层的方法和器件。具体地,本发明提供了一种在半导体基板上制造金属层的方法。通过沉积金属颗粒在半导体基板上制造金属层。该金属颗粒包括由第一金属材料制成的核和包围该核的壳。该壳由抗氧化的第二金属材料制成。本发明还...
  • 本发明涉及集成压力传感器密封。本公开的一些实施例涉及用于压力感测元件的改进的封装组件。不是将压力感测元件以使它容易受到来自零星丝线、灰尘等的损坏的方式毫无遮掩地暴露于周围环境;本文公开的改进的封装组件包括盖,其帮助形成绕着压力感测元件的...