由下述式(1)表示的有机硅化合物。(R1为烷基、烯基、芳基或酰基，R2为烷基或芳基，R3为氢原子或甲基，A1为单键或亚烷基，A2、A3、A4为亚甲基或氧原子，不过，A2、A3和A4中的1个以上为氧原子，n为1～3的整数。)))

提供10～40GHz下的介电损耗角正切低、传输损耗小、加工性也容易的玻璃布。玻璃布，其为使由软化点为1000～1600℃、Si

本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。发明课题提供正型、负型皆是高感度且LWR、CDU有所改善的抗蚀剂材料、及使用其的图案形成方法。解决手段是一种抗蚀剂材料，包含淬灭剂，该淬灭剂含有具有经含氮原子的环族基及硝基取代的苯环的芳香族羧酸的锍盐...

本发明提供一种有机钛化合物和固化催化剂。通过将所述有机钛化合物和固化催化剂添加到室温固化性有机聚硅氧烷组合物中，可使该组合物迅速固化，在不损害贮存稳定性且能够维持贮存稳定性的同时，而且，能够提高该组合物的固化物的粘合性、特别是能够提高该...

本发明为一种导热性有机硅组合物，其特征在于，其包含：(A)有机聚硅氧烷，其由下述通式(1)表示且25℃下的运动黏度为10～10,000mm2/s；(B)所述(A)成分以外的有机聚硅氧烷，其由下述通式(2)表示且25℃下的运动黏度为1,0...

本发明提供感光性树脂组合物，其包含：(A)具有环氧基和/或酚性羟基的有机硅树脂、(B)由下述式(B)所表示的光致产酸剂、和(C)羧酸季铵化合物。化合物。化合物。

本发明为一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒，所述硅化合物颗粒包含含有氧的硅化合物，所述硅化合物颗粒的至少一部分表面被碳层覆盖...

本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、及化合物。本发明提供能展现高蚀刻耐性、优良的扭转耐性、成膜性，且成为散逸气体的升华物成分少的有机膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及适合如此的有机膜形成用组成物的化合物。一种有机膜...

本发明涉及钇基喷涂涂层和制造方法。通过将氧化钇、氟化钇或氧氟化钇热喷涂到基材上以形成10

本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗...

稀土氧化物喷涂材料，其为基于激光衍射

本发明涉及有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明关于提供具有高程度平坦化特性的有机膜形成用组成物的有机膜形成用平坦化剂、含有此平坦化剂的有机膜形成用组成物、使用此组成物的有机膜形成方法、及图案形...

本发明提供一种具有热传导性粘着层的热传导性硅酮橡胶片及其制造方法。一种热传导性硅酮橡胶片，层叠具有60～96的硬度计A硬度的热传导性硅酮橡胶层的至少一层与硅酮粘着层的至少一层而成，硅酮粘着层为包含特定(a)、(c)及(f)成分的加成反应...

使用等离子体喷镀用浆料，采用等离子体喷镀来制造喷镀膜，所述等离子体喷镀用浆料含有20质量％以上且80质量％以下的最大粒径(D100)为15μm以下的氧化铝粒子，以选自水和有机溶剂中的1种或2种以上为分散介质，将700mL的所述等离子体喷...

本发明提供一种微小构造体移载用压印部件，其特征在于，在基板上形成有有机硅系橡胶膜，与所述基板为相反侧的所述有机硅系橡胶膜表面具有一个以上的封闭凹部，该封闭凹部在表面开口部以外封闭。由此，可提供一种能够在短时间内优化有机硅系橡胶膜压印表面...

本发明为一种固化型涂布组合物，其含有(A)通式(1)的有机聚硅氧烷、(B)通式(5)的聚硅氧烷二醇和/或其烷氧基相当体、(C)缩合固化催化剂。由此，能够提供一种含有有机聚硅氧烷的涂布用组合物，所述涂布用组合物形成兼顾硬度与耐弯曲性，并且...

下述表面处理剂能够形成表面滑动性优异、水滚落性优异、雾度更低、耐磨损性优异的固化被膜，该表面处理剂包含在分子中的至少一个末端具有至少一个由下述式(1)(Y为单键、或可具有F、Si和硅氧烷键的2价烃基，R为C1～4的烷基或苯基，X为水解性...

本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：包含具有由键结于聚合物主链的磺酸阴离子与下式(1)表示的锍阳离子构成的盐...

本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：包含具有由键结于聚合物主链的磺酸阴离子与下式(1)表示的锍阳离子构成的盐...

本发明涉及一种量子点的表面处理方法，其将包含具有配位性取代基及反应性取代基的配体通过所述配位性取代基配位于表面的量子点与有机硅化合物的溶液连续地供给至由透射光的材料构成的反应管道的同时，对所述反应管道照射光，使所述有机硅化合物与所述反应...