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信越化学工业株式会社专利技术
信越化学工业株式会社共有3967项专利
反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法技术
本发明涉及一种反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法。所述反射型光掩模坯料包括:衬底,反射曝光光的多层反射膜(所述曝光光是极紫外范围内的光),保护膜,吸收曝光光的吸光膜,以及硬掩模膜,其与所述吸光膜接触地形成。所述硬掩模膜由多层构成,...
金属氧化膜形成用组成物制造技术
本发明涉及金属氧化膜形成用组成物
抗蚀剂组成物及图案形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法
硅氧烷化合物及其制造方法技术
[课题]目的在于,提供具有酰胺键和(甲基)丙烯酸酯基的硅氧烷化合物。进而目的在于,提供制造作为医疗用材料而具有有益纯度的硅氧烷化合物的方法。[解决手段]下述式(1)所示的硅氧烷化合物。[化1](式中,R1为氢原子或甲基,R2为氢原子或碳...
负型感光性树脂组成物、图案形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件技术
本发明涉及负型感光性树脂组成物、图案形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件。一种负型感光性树脂组成物,包含:下列结构中的1种以上:聚酰亚胺结构、聚酰胺结构、聚苯并噁唑结构、聚酰胺酰亚胺结构、它们的前驱物结构;光酸产生剂;下列交联剂...
硅氧烷化合物及其制造方法技术
[课题]目的在于,提供具有酰胺键和(甲基)丙烯酸酯基的硅氧烷化合物。进而目的在于,提供制造作为医疗用材料而具有有益纯度的硅氧烷化合物的方法。[解决手段]硅氧烷化合物,其以下述式(1)表示,且在1分子中具有2个以上下述式(2)所示的基团。...
氮化物半导体基板及其制造方法技术
本发明为一种氮化物半导体基板,该氮化物半导体基板具备:耐热性支撑基板,其以密封层封入有由氮化物陶瓷形成的芯部;平坦化层,其设置于该耐热性支撑基板上;单晶硅层,其设置于该平坦化层上且碳浓度为1
烧结的稀土磁体和制造方法技术
本发明涉及一种烧结的稀土磁体和制造方法。在含有R2T
固化性全氟聚醚粘着剂组合物、使用了其固化物的粘着剂以及粘着胶带制造技术
本发明为一种固化性全氟聚醚粘着剂组合物,其含有:100质量份的(A)直链状全氟聚醚化合物,其在一分子中至少具有2个烯基,且在主链中具有包含
氧化物半导体膜及其成膜方法、半导体装置制造方法及图纸
本发明为一种成膜方法,对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜,其特征在于包含下述工序:将所述原料溶液雾化或液滴化而生成雾;利用载气将所述雾搬送至成膜部;以及在所述成膜部中从喷嘴向基板上供给所述雾,在所述基板上进行热处理而进行成膜,且在将...
乳化组合物制造技术
本发明的目的在于提供一种不含蛋以及过敏原物质并且能够作为冷冻食品的调味料使用的乳化组合物。上述目的通过如下乳化组合物等解决:乳化组合物,包含由粘度不同的两种以上的甲基纤维素组成的甲基纤维素混合物,所述甲基纤维素混合物的20℃下的2质量%...
化妆品制造技术
本发明为一种化妆品,其特征在于,包含(A)成分:芳香族基改性交联型有机硅氧烷,其为(A1)的有机氢(聚)硅氧烷与(A2)的有机(聚)硅氧烷的氢化硅烷化反应产物,且芳基和芳烷基的摩尔数的合计与硅原子的摩尔数的比为0.34以上。由此,可提供...
硅酮橡胶粒子的水分散物及化妆料制造技术
[课题]本发明的目的在于提供一种对特定的油剂、特别是烃油或酯油的吸油性优异的硅酮橡胶球状粒子的水分散物、以及调配有所述硅酮橡胶球状粒子的水分散物的、使用感、完妆效果、密接性、耐皮脂性优异的化妆料。一种所述硅酮橡胶粒子的水分散物,包含:[...
化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法技术
本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供可获得改善了图案形成时的分辨率且LER及CDU经改善的抗蚀剂图案,缺陷少且可使用300~400nm的短波长进行缺陷检查的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供抗蚀剂图...
醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯的制造方法技术
本发明提供一种醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯的制造方法。在所述制造方法中,即使减少脂肪族羧酸的使用量,也能够高生产率地制造出与减少脂肪族羧酸的量之前同等的分子量的醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯(HPMCAS)。所述制造方法至少包含:在脂肪族羧酸和多...
成膜装置、成膜方法、氧化镓膜及层叠体制造方法及图纸
本发明的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜,所述成膜装置包括:雾化部,将所述原料溶液雾化而产生雾;载气供给部,供给载气,所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾;成膜部,在内部包括载置所述基板的载置部,将由所述载气搬送...
有机硅涂布剂组合物和物品制造技术
以将在分子中具有至少一个未取代、卤素取代或烷基取代的苯基、并且在分子链两末端含有至少4个水解性基团的特定分子结构的有机三硅氧烷化合物、和在分子中的同一硅原子上具有至少2个未取代、卤素取代或烷基取代的苯基并且在分子中的另一方的同一硅原子上...
抗蚀剂材料及图案形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料,含有:包含具有由键结于聚合物主链的磺酸阴离子与下式(1)表示的锍阳离子构成的盐...
有机聚硅氧烷和含有其的化妆料制造技术
在具有长链烷基、甘油基和分支链的有机硅基的、烷基
多晶硅棒及多晶硅棒的制造方法技术
本发明涉及的多晶硅棒,通过西门子法制造,其长度方向上的长度大于等于1米,其棒体侧面长度方向的残留应力的压缩应力与拉伸应力之差的绝对值小于等于22Mpa。之差的绝对值小于等于22Mpa。之差的绝对值小于等于22Mpa。
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