反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法技术

本发明专利技术涉及一种反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法。所述反射型光掩模坯料包括：衬底,反射曝光光的多层反射膜(所述曝光光是极紫外范围内的光)，保护膜，吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其与所述吸光膜接触地形成。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，且由耐受氯基干刻蚀且可通过氟基干刻蚀去除的材料组成，并且第二层由耐受氟基干刻蚀且可通过氯基干刻蚀去除的材料组成。在一种条件下在氟基干刻蚀时吸光膜的刻蚀完成时间长于在相同条件下在氟基干刻蚀时硬掩模膜的第一层的刻蚀完成时间。层的刻蚀完成时间。层的刻蚀完成时间。

【技术实现步骤摘要】
反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法
[0001]相关应用的交叉引用
[0002]本非临时申请根据35 U.S.C.
§
119(a)要求2022年5月13日在日本提交的第2022
‑
079563号专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种制造用于制造半导体器件等的反射型光掩模的方法，以及一种用于制造反射型光掩模的材料的反射型光掩模坯料。

技术介绍

[0004]根据半导体器件的小型化，特别是大规模集成电路的高集成度，要求投影曝光具有高的图案分辨率。因此，已经开发出相移掩模作为改善光掩模的转印图案分辨率的一种手段。相移法的原理是，通过调整以使已经经过相移膜开口的透射光相位相对于已经经过与该开口相邻的相移膜部分的透射光相位反转约180度，透射光之间的干涉降低了开口边界和与开口相邻部分处的光强度。结果，转印图案的分辨率和焦深得到改善。利用这一原理的光掩模通常称为相移掩模。
[0005]用于制造相移掩模的最常见相移掩模坯料(作为用于相移掩模的材料)具有这样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射型光掩模坯料，包括：衬底,在衬底上形成且反射曝光光的多层反射膜，所述曝光光是极紫外范围内的光，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀而图案化所述吸光膜中充当硬掩模，其中所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，第一层由耐受氯基干刻蚀且可通过氟基干刻蚀去除的材料组成，并且第二层由耐受氟基干刻蚀且可通过氯基干刻蚀去除的材料组成，且在一种条件下在氟基干刻蚀时吸光膜的刻蚀完成时间长于在相同条件下在氟基干刻蚀时硬掩模膜的第一层的刻蚀完成时间。2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其中当在相同条件下通过氟基干刻蚀而刻蚀吸光膜和硬掩模膜的第一层时，吸光膜的刻蚀速率与硬掩模膜的第一层的刻蚀速率之比不小于0.4且不大于2。3.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第一层由含有硅且不含铬的材料组成。4.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第二层由含有铬且不含硅的材料组成。5.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第一层具有不小于2nm且不大于14nm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井敬佑，三村祥平，石井丈士，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：