反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模技术

本发明专利技术涉及一种反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括：衬底，在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，并由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。层由含铬且不含硅的材料组成。层由含铬且不含硅的材料组成。

【技术实现步骤摘要】
反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模
[0001]相关应用的交叉引用
[0002]本非临时申请根据35 U.S.C.
§
119(a)要求2022年4月13日在日本提交的第2022
‑
066238号专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种用于制造半导体器件的反射型光掩模，以及一种制造反射型光掩模的方法，以及一种用于制造反射型光掩模材料的反射型光掩模坯料。

技术介绍

[0004]根据半导体器件的小型化，特别是大规模集成电路的高集成度，要求投影曝光具有高的图案分辨率。因此，已经开发出相移掩模作为改善光掩模的转印图案分辨率的一种手段。相移法的原理是，通过调整以使已经经过相移膜开口的透射光相位相对于已经经过与开口相邻的相移膜部分的透射光相位反转约180度，透射光之间的干涉降低了开口边界和与开口相邻部分处的光强度。结果，转印图案的分辨率和焦深得到改善。利用这一原理的光掩模通常称为相移掩模。
[0005]用于制造相移掩模的最常见相移掩模坯料(作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射型光掩模坯料，包括：衬底,在衬底上形成且反射曝光光的多层反射膜，所述曝光光是极紫外范围内的光，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀而图案化所述吸光膜中充当硬掩模，其中所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，第一层由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其中第一层的材料进一步包含氧，并且具有不低于25at％且不超过65at％的硅含量和不低于30at％的氧含量。3.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第一层厚度不小于2纳米且不超过12纳米。4.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第二层的材料进一步包含氮，并且具有不低于30at％且不超过90at％的铬含量和不低于8at％且不超过55at％的氮含量。5.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第二层的材料进一步包含氧，并且具有不超过40at％的氧含量。6.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中第二层的材料进一步包含碳，并且具有不超过20at％的碳含量。7.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中所述第二层的厚度不小于2nm且不大于16nm。8.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中所述吸光膜由含钽材料组成。9.如权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其中所述吸光膜的厚度不小于50nm且不大于74nm。10.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，包含形成于所述硬掩模膜上并与所述硬掩模膜接触的抗蚀剂膜，其厚度不超过80纳米。11.一种用于从权利要求1至9中的任一项的反射型光掩模坯料制造反射型光掩模的方法，该反射型光掩模包含吸光膜的图案，其中该方...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井敬佑，三村祥平，石井丈士，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：