本发明是一种研磨组合物，其包含二氧化锆作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，

本发明涉及聚合性单体、高分子化合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供具有比起已知的正型光致抗蚀剂材料更好的感度及分辨率，且边缘粗糙度、尺寸变异小、曝光后的图案形状良好的聚合性单体、使用了此单体的高分子化合物、抗蚀剂组成物、及图案形...

本发明提供一种固化性有机聚硅氧烷组合物

提供一种即使具有与常规技术中相同的甲氧基基团的取代度DS和羟基丙氧基基团的摩尔取代度MS时在有机溶剂中也具有高溶解度的羟丙基甲基纤维素HPMC；以及其他。具体而言，提供的HPMC具有0.1至0.5的MS，0.12或更大的称为3

提供了即使当保持羟基丙氧基基团的摩尔取代度MS为常规时也具有高溶解度的羟丙基甲基纤维素HPMC；以及其他。更具体而言，提供的HPMC具有0.1至0.5的羟基丙氧基基团的摩尔取代度MS，0.12或更大的称为3

本发明为一种核壳型量子点，该核壳型量子点具备：由含有

本发明涉及一种衬底及其制造方法。本文中提供了用于制造适于EUVL的掩模坯料的衬底的方法，以及能够抑制深度小于5nm的凹陷缺陷的方法。本发明提供了制造衬底的方法，其中通过具有配备有抛光垫的上抛光板的抛光设备来进行最终抛光，所述方法包括以下...

本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供：于远紫外线光刻、EB光刻及EUV光刻中，LWR、分辨性优异且能够抑制抗蚀剂图案的崩塌的抗蚀剂组成物、该抗蚀剂组成物中使用的鎓盐、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明...

本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性...

本发明提供一种防护膜框架层叠体

包含下式

在包括由多个永磁体构成的永磁体环和软磁材料环的用于磁性轴承的磁路装置中，增强了永磁体环的轴向端面附近的磁场的圆周均匀性。一种用于磁性轴承的磁路装置包括：永磁体环，通过沿圆周方向设置多个各向异性永磁体11而形成；第一软磁材料环12，与永磁...

本发明涉及导电膜组成物

本发明的反应装置具备：反应器，具有筒状的形状；及多个第1冷却配管，配置在反应器的内部，用来流通冷媒

本发明是一种片材，其特征在于，在表面上具有高度为

能形成硬度计

本发明提供一种新颖的化合物(4Z,6E)

本发明涉及石英玻璃布的加热方法和石英玻璃布的制造方法。提供能够降低介电损耗角正切的石英玻璃布的加热方法、在加热处理后无需进行特别的后处理就能够制造低介电化石英玻璃布的制造方法。石英玻璃布的加热方法，其中，将包含95质量％以上的SiO2的...

本发明涉及导热性复合片，其特征在于，其通过层叠导热片与位于该导热片的一个面上的绝缘性树脂膜而成，所述导热片的利用

本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法